Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления электронных или газоразрядных приборов, разрядных осветительных ламп или их деталей; восстановление материала из электронных или газоразрядных приборов или ламп – H01J 9/00

Изобретение относится к электронной технике, а именно, к способу изготовления металлопористого катодов для вакуумных электронных приборов. Возможность изготовления крупногабаритных катодов со сложной формой эмитирующей поверхности, а также повышение срока его службы за счет создания ламинарного электронного потока с минимальными пульсациями, является техническим результатом заявленного изобретения. Предложенный катод также обеспечивает минимально допустимое оседание электронов в пролетном канале, отсутствие локального перегрева коллектора и отсутствие возвратных ионов и электронов. Указанный технический результат достигается за счет того, что заявленный способ изготовления металлопористого катода включает изготовление запрессовки вольфрамового порошка при давлении P=8-15 т/см² в стакан, выполненный точением из молибденового прутка, с внутренней высотой, достаточной для формирования в нем пористой губки, которую пропитывают активным веществом при температуре t=1700-1800°C в среде водорода, после чего удаляют избыток активного вещества, стачивают припуск и формируют эмитирующую поверхность, при этом перед запрессовкой в вольфрамовый порошок вводят примесь нанопорошка аморфного ультрадисперсного оксида кремния SiO₂ в количестве 0,01-0,08% от веса вольфрамового порошка, и затем отжигают полученную смесь в среде водорода при температуре t=1600-1800°C в течение 5-30 минут. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к технологии изготовления эмиттеров электронов с пониженной работой выхода, может использоваться в диоде для выпрямителей переменного тока в постоянный при высоких температурах окружающей среды. Технический результат - упрощение изготовления эмиттера с сохранением основных выходных параметров устройства больших плотностей электронного тока. Способ предусматривает изготовление эмиттера электронов из тугоплавкого материала с добавками цезия или бария, в качестве материала эмиттера используют монокристаллические W или Мо или Nb или Та, а барий или цезий имплантируют в материал эмиттера путем бомбардировки пучком ионов, ускоренных до энергии 30-60 кэВ до достижения доз имплантации 10¹⁶ ион/см². Дополнительно осуществляют сканирование ионного пучка по поверхности эмиттера в горизонтальном и вертикальном направлениях. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к способам лазерной обработки материалов при изготовлении автоэмиссионных катодов из стеклоуглерода, которые могут быть использованы в области приборостроения электронной техники, а именно в электровакуумных приборах с большой плотностью электронных потоков и микросекундным временем готовности. Для создания автоэмиссионного катода в качестве углеродного материала используют стеклоуглерод. Формирование эмиттеров на поверхности катода производят фрезеровкой сфокусированным лазерным излучением и последующей лазерной очисткой поверхности катодной структуры. Нанесение эмитирующей структуры на поверхности эмиттеров катода производят лазерной микрогравировкой с образованием поля микроострий пирамидальной формы с последующей вырезкой основания катода сфокусированным лазерным излучением и лазерной очисткой эмитирующих структур. Технический результат - повышение технических характеристик автоэмиссионного катода. 2 ил.

Изобретение относится к области электроники. Технологический прибор для обработки полого холодного катода в газовом разряде, содержащий полый холодный катод, анод, расположенный коаксиально внутри катода и равноудаленный от его поверхности, стеклянную вакуумно-плотную оболочку, в котором анод выполнен составным, рабочая часть анода, контактирующая с газовым разрядом, соединена с его внешней частью, электрически контактирующей с внешним источником напряжения или тока, посредством разъемного соединения, выполнена из того же материала, что и рабочая поверхность катода, обработана с не меньшим классом чистоты, чем у катода, со стороны входа в катод частично экранирована диэлектриком, расположенным коаксиально снаружи анода. Неэкранированная рабочая часть анода расположена внутри полости катода и ограничена максимальной длиной, не превышающей длины катода. Обрабатываемый катод закреплен в держателе, который электрически соединен с токоподводом к катоду, причем токоподвод вакуумно-плотно вмонтирован в стеклянную оболочку технологического прибора. Технический результат - возможность проводить анодное окисление катода в среде электроотрицательного газа, тренировать и испытывать катод автономно от вакуумного поста, а также неоднократно заменять или использовать анод и стеклянную вакуумно-плотную оболочку при установке нового катода. 1 ил.

Изобретение относится к области создания вакуумных фотоэлектронных приборов, а точнее к конструкции фотокатодного узла таких приборов, в частности, конструкции фотоэлектронных приборов (ФЭП), электронно-оптических преобразователей (ЭОП). Фотокатодный узел вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом содержит входное окно из сапфира с гетероэпитаксиальной структурой соединений типа А³В⁵, выращенной на монокристаллической подложке, фланец из активного металла, закрепленный по периферийному контуру входного окна, выполненного в виде плоского диска из сапфира. Гетероэпитаксиальная структура может быть выполнена в виде структуры GaN/GaAlN, выращенной на упомянутом плоском диске из сапфира, имеющем толщину 0,5-0,7 мм. В качестве активного металла может быть использован титан. Способ изготовления фотокатодного узла вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом включает изготовление гетероэпитаксиальной структуры на монокристаллической подложке и закрепление ее на входном окне, в качестве входного окна используют плоский диск из сапфира, на монокристаллической подложке эпитаксиально выращивают последовательно стопорный, активный и буферный слои гетероэпитаксиальной структуры, приваривают ее к материалу сапфира входного окна, подложку и стопорный слой стравливают селективным травлением, после чего по периферии входного окна приваривают фланец из активного металла.Технический результат- повышение чувствительности, теплопроводности фотокатодного узла и контраста передаваемого изображения, упрощение конструкции и повышение ее надежности.2 н.п. и 5 з.п.ф-лы, 4 ил.

Заявленное изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу получения трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки для автоэмиссионного катода, и может быть использовано в различных электронных приборах: СВЧ, рентгеновских трубках, источниках света, компенсаторах заряда ионных пучков и т.п. Создание трехмерно-структурированной полупроводниковой подложки, на которую наносят эмитирующую пленку автоэмиссионных катодов в виде микроострийной квазирегулярной ячеисто-пичковой структуры с аспектным отношением не менее 2 (отношение высоты острий к их высоте), позволяет повысить эмиссионную характеристику катодов, что является техническим результатом заявленного изобретения. Полупроводниковую подложку для формирования на ней требуемой микроострийной структуры подвергают фотоэлектрохимическому травлению в водном или безводном электролите, меняя режимы травления и интенсивность подсветки. Предложена также структурированная полупроводниковая подложка для автоэмиссионного катода из кристаллического кремния р-типа с проводимостью от 1 до 8 Ом*см и сам автоэмиссионный катод с такой подложкой, обладающий повышенными эмиссионными характеристиками. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Способ изготовления МДМ-катода предназначен для повышения плотности тока эмиссии и однородности ее распределения по поверхности. На подложку последовательно осаждается металлический нижний электрод на основе пленки молибдена, затем два слоя резистов, в которых формируется рисунок с помощью электронно-лучевой литографии, затем напыляется сплошная пленка молибдена. Наноострийная структура получается путем «взрыва» резистивной маски в виде пирамидок с основанием 260 нм, вершиной 40 нм, высотой 250 нм и плотностью 3·10⁸ см^-2. Технический результат - повышение равномерности распределения эмиссионных центров и плотности тока эмиссии. 2 ил.

Изобретение относится к технологическому сверхвысоковакуумному оборудованию, применяемому в электронной промышленности для откачки электровакуумных приборов (ЭВП) различного назначения, в частности крупногабаритных клистронов с размером по высоте до 2-х метров и весом более 100 кг, а также приборов других типов. Техническим результат - повышение надежности и качества откачки ЭВП, упрощение конструкции поста и повышение его производительности. Высоковакуумный пост для откачки электровакуумных приборов содержит защитную камеру и вакуумную систему откачки приборов, включающую турбомолекулярный и безмаслянный форвакуумный насосы. Металлические охлаждаемые стенки камеры по вертикали разделены уплотнительной прокладкой на две части, одна из которых подвижна. На основании неподвижной части расположено с возможностью перемещения по трем координатам юстирующее устройство для крепления приборов. Вдоль стенок камеры по вертикали расположены нагреватели с независимыми источниками питания. Вверху камеры расположен коллектор для подачи азота. В основании установлен кран с ручным управлением потоком азота. Вакуумная система откачки подключена к прибору через прогреваемый кран. Вакуумная система откачки прибора может быть выполнена на безмасляном форвакуумном спирального типа насосе. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных СВЧ-микроблоков с вакуумными интегральными схемами (ИС) и другими схемами. Технический результат - возможность миниатюризации полной системы логических элементов с уменьшением потерь электромагнитной энергии, распространение интегральности по третьей координате, послойно располагая активные топологические СВЧ-структуры. Для этого в предлагаемых СВЧ-переходах между слоями интегральных схем симметрично друг под другом располагаются в одном случае клинообразный вертикальный переход, в другом - террасовидный вертикальный переход, включающие каждый свои микрополости, а над ними нависающие кромки пленочных элементов рабочих топологий с тупыми углами заданной величины между ними и стенками микрополостей. 7 ил.

Изобретение относится к электронной промышленности. Технический результат - снижение трудоемкости наполнения инертным газом прибора и повышение надежности и срока службы прибора. Способ откачки и наполнения прибора газом содержит откачку и прогрев прибора, напуск газа в прибор и герметизацию прибора. Вначале проводят форвакуумную откачку камеры до давления 5-10 ^-2 мм рт.ст. и напуск осушенного азота в прибор до давления не более 2 атмосфер, затем откачку прекращают и измеряют вакуум в камере. Если степень вакуума не изменилась, то ведут безмасляную форвакуумную откачку прибора до давления 5·10^-2 мм рт.ст., а затем откачку турбомолекулярным насосом до давления 5·10^-6 мм рт.ст., прибор во время откачки прогревают до температуры не более 100°C. Насосы отсоединяют, выключают и проводят напуск инертного газа до давления не более 1,3 атмосферы. Камеру заполняют азотом и герметизируют прибор холодным отпаем штенгеля. 1 ил.

Изобретение относится к области плазменной техники, а именно к составу материала для изготовления электродов генераторов низкотемпературной плазмы, содержащему связывающее вещество и растворитель, при этом состав дополнительно содержит оксиды лютеция Lu₂O₃ и неодима Nd₂O₃ в соотношении между собой 100:20 мас.%

и имеет следующее соотношение: связывающее вещество - 10-70, оксиды лютеция Lu₂O₃ и неодима Nd₂O₃ - 80-20, растворитель - остальное. Технический результат изобретения состоит в повышении стабильности работы и увеличении срока службы катодов генераторов низкотемпературной плазмы в присутствии агрессивных добавок, используемых для создания экологически безопасных источников оптического излучения. 3 ил., 5 пр.

Изобретение относится к устройствам вакуумной электроники, в частности к источникам для получения электронного потока - автоэмиттерам (холодным эмиттерам) электронов, материалам и способам их изготовления. Подобные катоды могут использоваться в качестве источников электронов в различных электронных приборах - электронных микроскопах, рентгеновских трубках, усилительных и генераторных приборах СВЧ электроники, источниках света и т.п. Технический результат изобретения - получение стабильного автоэмиссионного катода с высокой удельной проводимостью, плотностью автоэмиссионного тока до 20 мА/см². Результат достигнут использованием в автоэмиссионном катоде объемного композитного материала, содержащего частицы металла, окруженные наноструктурированным углеродным материалом (углеродные или углерод-азотные нанотрубки, углеродные нановолокна, фуллерены и им подобные материалы). При этом металл обеспечивает низкое удельное сопротивление, высокую теплопроводность и механическую прочность, а наноуглеродный материал - высокие эмиссионные свойства катода. Для повышения эффективности автоэлектронной эмиссии при изготовлении катода применены: дополнительная механическая обработка с удалением поверхностного слоя катода и последующей шлифовкой, химическое и плазменное травление рабочей поверхности. Полученный катод обеспечивает плотность автоэмиссионного тока на уровне 10-20 мА/см² с высокой стабильностью и однородностью. 4 ил.

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам изготовления фотокатодов и устройствам для изготовления фотокатодов для использования их в различных областях промышленности, техники, а также для научных исследований. Технический результат - упрощение способа изготовления фотокатода, обеспечение высокой повторяемостью результатов, повышение квантовой эффективности. При изготовлении фотокатодов осуществляют наращивание тонкого покрытия на поверхности подложки как гомогенного, так и комбинированного посредством импульсного лазерного напыления тонких пленок, обеспечивают взаимодействие лазерного луча с мишенью, поглощение электромагнитной энергии, отвод тепла мишенью, расплавление материала мишени, испарение, многофотонную ионизацию, образование плазмы, свечение плазмы, обратное тормозное излучение, расширение плазменного облака, включающего материал мишени, которое осуществляют при начальной температуре плазмы в облаке в диапазоне 5000-15000 К. Описаны также вариант способа изготовления фотокатода и варианты устройств для их осуществления. 4 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления электронных приборов, в частности к технологии изготовления углеродных многоострийных автоэмиссионных катодов, используемых в вакуумных электронных приборах с эффективными холодными источниками электронов. Технический результат - увеличение плотности автоэмиссионного тока за счет образования периодической микроострийной углеродной структуры. Для образования периодической структуры из микроострий на поверхности монолитной углеродной подложки в качестве микро-, наноразмерной обработки используется способ группового микрозаострения в низкотемпературной плазме ВЧ-разряда в кислородной или в смеси кислородной и инертной газовых средах. 3 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии матрицы многоострийных углеродных эмиттеров на пластинах монокристаллического кремния. Изготовление матрицы многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют на пластинах монокристаллического кремния в плазме микроволнового газового разряда осаждением из паров углеродосодержащих веществ, например этанола, с использованием явлений самоорганизации и структурирования субмонослойных углеродных покрытий в наноостровковые образования и последующего высокотемпературного отжига. Для увеличения коэффициента усиления электрического поля и уменьшения, тем самым, рабочих напряжений при получении повышенных значений токов автоэмиссии осуществляют формирование эмиссионных центров в виде интегральных столбчатых наноструктур высотой до нескольких десятков нанометров, которые получают высокоанизотропным травлением кремниевых пластин с использованием полученных углеродных островковых нанообразований в качестве масочного покрытия. Технический результат - повышение стабильности и эффективности эмиссии.

Электрод на основе оксида олова, сформированный из композиции, содержащей основной компонент, состоящий из оксида олова (SnO₂) и добавок, состоящих из CuO, ZnO, а также добавок, изменяющих удельное электрическое сопротивление. Общее количество CuO и ZnO не больше чем приблизительно 0,3 вес.% и количество ZnO находится в диапазоне от приблизительно 0,1 вес.% до приблизительно 0,19 вес.%. Полученный электрод выполнен в виде прямоугольного тела, которое не содержит макроскопических трещин, поскольку состав предложенной композиции позволяет получать электроды промышленного размера на основе оксида олова, не содержащие внутренних трещин, что явяляется техническим результатом предложенного изобретения. Кроме того, удельное электрическое сопротивление готовых электродов пригодно для их промышленного использования. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 7 ил., 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области охраны окружающей среды и может быть использовано для утилизации отработанных и дефектных люминесцентных ламп и приборов, содержащих ртуть. Способ включает их разрушение, измельчение, нагрев, вакуумирование лампового боя в камере и последующую конденсацию паров ртути в охлаждаемых ловушках при последовательной герметизации всех процессов, при этом разрушают сразу партию ламп и приборов, измельчение ведут до размеров частиц не более 20 мм, разрушение и извлечение ртути осуществляют при температуре 150-200°С и разрежении до 10 Па с выдержкой до 30 минут, затем проводят второй этап очистки боя промывочной жидкостью (однонормальным раствором серной или соляной кислот) с последующим разделением цоколей и стеклобоя. При заполнении камеры с ламповым боем промывочной жидкостью осуществляют циркуляционное перемешивание в течение не менее чем 5 минут. После отделения от боя промывочную жидкость подвергают фильтрации и термическому разложению до металлической ртути при температуре более 500°С. Разделение очищенных цоколей и стеклобоя осуществляют просеиванием через решетки с разным размером ячеек под действием вибрации. Технический результат изобретения заключается в повышении производительности и экологичности процесса, а также эффективности извлечения ртути при снижении энергозатрат. 4 з.п. ф-лы, 6 пр.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении изделий светоиндикаторной техники и эмиссионной электроники на основе автоэлектронной эмиссии многоострийных углеродных структур. Синтез материала многоострийного автоэмиссионного катода осуществляют в плазме микроволнового газового разряда из паров углеродосодержащих веществ, например, этанола в диапазоне параметров процесса, в котором реализуется переход от осаждения графитовых к осаждению алмазных пленок. Образующийся композиционный материал представляет собой графитовую матрицу с включениями наноалмазных кристаллитов. Матрица многоострийного автоэмиссионного катода изготавливается по технологии, совместимой с технологией производства интегральных схем. Технический результат - повышение механической и электрической прочности, плотности автоэмиссионных токов и деградационной стойкости при работе с повышенными напряжениями. 2 ил.

Способ соединения баллона (2) разрядника газоразрядной лампы (1) с патрубком (6, 8) предусматривает нагревание баллона (2) разрядника в предусмотренном месте (12) соединения с патрубком (6, 8). При этом материал баллона (2) разрядника, размягченный в месте (12) соединения, разрывается таким образом, что он прижимается к внутренней стороне (17) патрубка (6, 8), и в баллоне (2) разрядника образуется сквозная дыра (18). Технический результат - упрощение соединения баллона разрядника газоразрядной лампы с патрубком во многих местах баллона с малыми затратами. 10 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления электронно-оптических преобразователей инфракрасного излучения с высокой чувствительностью. Технический результат - повышение чувствительности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Пироэлектрическая мишень выполняется путем последовательного формирования на слое титана диоксида титана, пленки из составной мишени (Pb+Ti) с последующим стабилизирующим термическим отжигом при температуре 250-300°С и формирования дискретных элементов с необходимыми геометрическими размерами, выполненных непрерывными со сквозными щелевыми отверстиями. 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам обработки эмиттирующей поверхности металлопористых катодов электронных приборов СВЧ-типа. Техническим результатом изобретения является обеспечение равномерного распределения микроотверстий по эмиттирующей поверхности катода, идентичности их геометрических размеров, увеличение эмиссионной способности. Согласно изобретению осуществляют механическую обработку эмиттирующей поверхности катода и направляют импульсное лазерное излучение на эмигрирующую поверхность. В результате лазерного воздействия происходит вскрытие завальцованных пор с обеспечением формирования равномерно распределенных по эмиттирующей поверхности микроотверстий. Длина волны (мкм) импульсного лазерного излучения и глубина микроотверстий h (мкм) подчинены соотношению: /h=0.009÷0.13 для ультрафиолетовой области излучения, /h=0.019÷0.26 для диапазона видимого излучения, X/h=0.039÷0.84 для инфракрасного излучения. Затем наносят на эмиттирующую поверхность слой металла платиновой группы и осуществляют термическую обработку эмиттирующей поверхности. 1 з.п. ф-лы., 2 ил., 1 пр.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является использование в качестве материала эмиттера наноалмазных покрытий, представляющих собой углеродные пленки, которые содержат наноструктурированные алмазные компоненты, что приводит к повышению деградационной стойкости, плотности тока и уменьшению рабочих напряжений в интегральных приборах вакуумной нано- и микроэлектроники. Сущность изобретения: интегральный автоэмиссионный элемент включает подложку, покрытую диэлектрическим слоем, катодную структуру, состоящую из одного или нескольких слоев электропроводящего материала и расположенную на внешней поверхности упомянутой подложки, опорную структуру, расположенную на верхней поверхности упомянутой катодной структуры и содержащую сквозные отверстия, внутри которых формируются катоды на основе наноалмазных покрытий, расположенные на внешней поверхности катодной структуры, анодный слой из электропроводящего материала, расположенный на внешней поверхности упомянутой опорной структуры и содержащий технологические отверстия, совмещенные с упомянутыми отверстиями в опорной структуре. Создание эмиттера на основе наноалмазного покрытия проводится в едином технологическом цикле с формированием структуры анодов без дополнительной операции совмещения анодов с катодной структурой. 4 н. и 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Керамическая горелка содержит разрядный баллон (22), в котором заключено разрядное пространство (24) с ионизируемым наполнителем, содержащим один или более галоидов. Баллон (22) содержит керамическую стенку (30), расположенную между первой и второй концевыми частями (41, 42), сквозь которые проходят токопитающие проводники (51, 52) для электродов (53, 54), расположенных в разрядном пространстве для поддержания разряда. Керамическая стенка (30) содержит трубку (66) для введения ионизируемого наполнителя в разрядный баллон во время изготовления керамической горелки. Трубка (66) выступает от керамической стенки (30) и снабжена газонепроницаемой герметизацией, выполненной посредством облучения выступающего конца трубки лазерным лучом, при этом место расположения трубки относительно керамической стенки (30) выбрано таким образом, чтобы во время работы предотвращать понижение температуры внутри трубки ниже температуры конденсации по существу, любого компонента ионизируемого наполнителя. Технический результат заключается в предотвращении появления трещин в керамическом материале контейнера, за счет возможности выполнять газонепроницаемую герметизацию на отдалении от керамической стенки разрядного баллона. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления металлопористых катодов для ЭВП. Способ включает формирование пористой губки катода путем запрессовки порошка тугоплавкого металла в стакан из молибдена, пропитку при температуре 1700-1800° в водороде пористой губки активным веществом (АВ) в виде порошка из алюмината или алюмосиликата бария-кальция, охлаждение их до комнатной температуры, удаление затвердевшего расплава АВ с поверхностей стакана и пористой губки, высушивание на воздухе и механическую обработку. Порошок тугоплавкого металла запрессовывают в стакан из молибдена, внутренняя высота которого достаточна для формирования в нем пористой губки с припуском не менее 0,2 мм относительно заданной рабочей толщины губки. Стакан с пористой губкой помещают в емкость из молибдена, заполняют ее порошком АВ, который нагревают до состояния расплава и при условии полного покрытия расплавом АВ стакана с пористой губкой осуществляют пропитку пористой губки. Для удаления затвердевшего расплава АВ с поверхностей стакана и пористой губки емкость со стаканом с пористой губкой и покрывающим их затвердевшим расплавом АВ помещают в водный раствор аммиака и выдерживают в нем до полной очистки поверхностей стакана и пористой губки от расплава активного вещества, после чего стакан с пористой губкой высушивают на воздухе и путем механической обработки снимают припуск пористой губки и формируют эмитирующую поверхность катода. Техническим результатом является ускорение процесса изготовления катода и снижение его трудоемкости за счет сокращение времени удаления избытка АВ с поверхностей стакана и пористой губки катода и снижения при этом общего расхода воды. 3 з.п. ф-лы, 2 пр.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления металлопористых катодов (МПК) для однолучевых и многолучевых СВЧ-приборов, преимущественно O-типа. Техническим результатом является повышение механической прочности соединения эмиттеров с основанием катода и обеспечение стабильно высокого и надежного теплового контакта эмиттеров с основанием катода, а следовательно, заданной эмиссии катода в течение длительного срока службы. Технический результат достигается за счет того, что из предварительно спеченных и пропитанных активным веществом пористых вольфрамовых губок изготавливают механическим путем эмиттеры, каждый из которых устанавливают в соответствующее отверстие основания катода. Перед установкой эмиттера в отверстие основания катода на боковой поверхности отверстия основания катода выполняют микрорельеф в виде ряда выступов, расположенных параллельно оси этого отверстия. Диаметр D_B окружности, проходящей через вершины выступов в отверстии основания катода, определяют из условия D_В=D_Э-(1÷2)10^-2 D_Э, где D_Э - диаметр эмиттера. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способу и устройству для производства плазменной отображающей панели. Технический результат - обеспечение способа и устройства для производства плазменной отображающей панели, которые делают возможным достигать улучшения в пропускной способности линии производства плазменных отображающих панелей и их энергетической эффективности. Достигается тем, что в способе производства плазменной отображающей панели, где герметизированное пространство определено между первой и второй подложками (1, 2) и наполнено газом электрического разряда, содержится первый этап дегазирования для выделения примесного газа из защитной пленки, сформированной на первой подложке (1), чтобы защищать первую подложку (1) от плазменного электрического разряда, посредством нагревания первой подложки (1) выше 280°С в вакуумном пространстве или в управляемой атмосфере, и этап уплотнения для приведения первой подложки (1), где примесный газ выделяется из защитной пленки, в контакт со второй подложкой (2) и для герметизации пространства между ними. Так как примесный газ выделяется из защитной пленки перед тем, как первая подложка приводится в контакт со второй подложкой, и пока проводимость удаления является высокой, очистка может выполняться в короткое время. Дополнительно, так как защитная пленка нагревается выше 280°С, около 70% или более примесного газа, адсорбированного на защитной пленке, может выделяться. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления герметизированной панели и способу и устройству для изготовления плазменной дисплейной панели. Технический результат - предоставление способа и устройства для изготовления герметизированной панели и также способа и устройства для изготовления плазменной дисплейной панели, которые делают возможным повышение производительности и эффективности использования энергии. Достигается тем, что способ изготовления герметизированной панели, имеющей первую подложку и вторую подложку, включает: стадию плавления герметизирующего материала, который не содержит связующего, чтобы получить герметизирующий материал в виде клея; стадию нанесения покрытия из расплавленного герметизирующего материала на поверхность второй подложки; и стадию герметизации с наслаиванием одной на другую первой подложки и второй подложки посредством герметизирующего материала, нанесенного на поверхность второй подложки. 6 н. и 6 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к углеродсодержащим наноматериалам с низким порогом полевой эмиссии электронов (НППЭЭ). Техническим результатом изобретения является получение дисперсных материалов с (НППЭЭ) и упрощение технологии их изготовления. Согласно изобретению углеродсодержащий наноматериал с НППЭЭ представляет собой дисперсный порошок с размером частиц менее 50 мкм, состоящий из ядра и поверхностного слоя, при этом ядро сформировано из диэлектрического (ДЭ) или полупроводникового (ПП) материала, и поверхностного слоя из графитоподобного углерода (ГПУ) толщиной 0,5-50 нм. Способы получения наноматериала (варианты) реализуются следующим образом. 1. Порошки ДЭ или ПП материала термообрабатывают в среде углеводородов при температуре, превышающей температуру их термического разложения, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц порошка слоя ГПУ толщиной 0,5-50 нм. 2. Порошки алмаза термообрабатывают в инертной среде или вакууме при температуре, превышающей температуру перехода алмаза в графит, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц алмаза слоя ГПУ толщиной 0,5-50 нм. 3. Порошки ковалентных или металлоподобных карбидов термообрабатывают в хлоре при температуре, превышающей температуру их взаимодействия с хлором с образованием газообразных хлоридов и углерода, в течение времени, необходимого для образования на поверхности частиц порошка слоя ГПУ толщиной 0,5-50 нм. 4 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Данное изобретение относится к способу изготовления эмитирующего электроны прибора, содержащего материал с низкой работой выхода, способу изготовления источника электронов и способу изготовления устройства отображения изображения. Технический результат - обеспечение возможности создания устройства, способного отображать изображение с малой флуктуацией яркости в течение длительного периода времени. Достигается тем, что предложен способ простого изготовления эмитирующего электроны прибора, покрытого материалом с низкой работой выхода, обладающим хорошими электронно-эмиссионными свойствами, с высокой воспроизводимостью, вследствие чего уменьшаются различия в электронно-эмиссионных свойствах между эмитирующими электроны приборами. Перед покрытием структуры материалом с низкой работой выхода на этой структуре формируют слой оксида металла. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 27 ил.

Изобретение относится к способам формирования защитного слоя при изготовлении плазменной индикаторной панели (PDP). При этом панель состоит из передней подложки, содержащей сканирующий электрод, поддерживающий электрод, диэлектрический слой и защитный слой, и задней подложки, содержащей адресный электрод, барьерные ребра и флуоресцентный материал, нанесенный на внутренние стенки канавок, образованных барьерными ребрами. Способ включает формирование пленки MgO, имеющей ориентацию (111), методом осаждения из паровой фазы со скоростью осаждения, составляющей 280 Å/с или более, и при температуре подложки, составляющей 120°С или менее. Технический результат - упрощение производственного процесса, возможность получения слоя MgO с ориентацией (111) за счет понижения температуры осаждения. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 24 ил.