Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, устройства для этих целей: .контактированием с диффузионным материалом в газообразном состоянии – C30B 31/06
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОВ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ СВОЙСТВАМИ
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению синтетических алмазов, легированных бором, которые могут найти применение в электронной промышленности для изготовления полупроводниковых устройств. Способ включает разложение твердых карбонильных соединений платиновых металлов в газовой среде при повышенной температуре в герметичном контейнере с образованием алмазов и их легирование бором при температуре 150°С÷500°С в течение 2-5 часов в газовой среде, содержащей монооксид углерода СО и диборан B2H6 при весовом соотношении в газовой смеси бора к углероду, равном 1:100÷1000. Техническим результатом изобретения является получение монокристаллов алмаза с полупроводниковыми свойствами высокого качества. 1 табл., 5 пр. |
2484189 патент выдан: опубликован: 10.06.2013 |
|
| АДГЕЗИОННОЕ КОМПОЗИЦИОННОЕ ПОКРЫТИЕ НА АЛМАЗАХ, АЛМАЗОСОДЕРЖАЩИХ МАТЕРИАЛАХ И СПОСОБ ЕГО НАНЕСЕНИЯ
Изобретение относится к композиционной поверхностной системе на материалах, содержащих натуральные и синтетические алмазы, обладающей высокой адгезионной способностью к связке в алмазных инструментах или изделиях, износостойкостью и химстойкостью. Покрытие алмазов и алмазосодержащих материалов представляет собой в преимущественном варианте сочетание внутреннего слоя из карбидов вольфрама и наружного вольфрамового слоя, легированных фтором. Покрытие позволяет обеспечить хорошую адгезию алмазов и алмазосодержащих материалов к подложке. Для нанесения покрытия из вольфрама подложку помещают в среду порошка вольфрама и шихты, содержащей фтор в количестве 0,003-5 вес.% от веса инертного наполнителя и нагревают до температуры 700-1200 |
2238922 патент выдан: опубликован: 27.10.2004 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСКУССТВЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА ОСОБО КРУПНЫХ РАЗМЕРОВ Использование: получение искусственного алмаза. Поставленная задача выполняется с помощью наработки жидкого расплава углерода между углеродсодержащими электродами, один из которых расположен в горизонтальном положении, а другой установлен вертикально. Наработанный в горизонтально расположенном электроде определенный объем жидкой ванны расплава углерода транспортируют в жидкий углеводородный охладитель, расположенный ниже ванны расплава, путем обрушивания в темпе утонченной расплавлением подины ванны расплава, с помощью импульса разности давлений, сжатого водорода, высокого - в зоне зеркала расплава углерода, и низкого - в зоне жидкого охладителя, из замкнутой зоны которого импульсом сбрасывается давление водорода в атмосферу. Технический результат - получение алмазов крупных размеров. 2 ил. | 2118562 патент выдан: опубликован: 10.09.1998 |
|
| СПОСОБ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА И РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ Изобретение относится к способам синтеза монокристаллов алмаза (МКА) из низкомолекулярных углеродсодержащих соединений при высоких температурах в гетерогенных селикатных средах. Сущность изобретения: техническим результатом, достигаемым в изобретении, для способа синтеза монокристаллов алмаза и реактора для его реализации является обеспечение синтеза монокристаллов алмаза большой каратности. Реактор содержит корпус, выполненный в виде обечайки с крышкой и днищем, узел загрузки шихты, узел слива продуктов реакции, узлы подачи углеродсодержащих веществ, теплообменник охлаждения, патрубок для отвода газообразных продуктов реакции. Реактор может быть снабжен по крайней мере одним узлом фиксации монокристаллов алмаза. В корпус через узел загрузки загружается шихта определенного состава порционно. После этого включается узел нагрева и шихту нагревают до температуры 800-1450oC, одновременно с нагревом шихты вводят в образовавшуюся гетерогенную среду через узел подачи углеродсодержащих веществ углеводородные вещества с расходом от 0,001 до 3% от массы шихты в минуту. Образовавшуюся гетерогенную среду периодически охлаждают теплообменником охлаждения до температуры 650-1050oC с синтезированием монокристаллов алмаза, в том числе большой каратности. В образовавшуюся гетерогенную среду можно подавать азот или азотсодержащие низкомолекулярные соединения с расходом от 0,001 до 2 мас.% в минуту через узел подачи углеродсодержащих веществ. В шихту или гетерогенную среду могут также вводиться элементы III или V групп ПСЭ, что позволяет синтезировать азотсодержащие монокристаллы алмаза или МКА с полупроводниковыми свойствами. Способ может быть осуществлен и при фиксации алмазов путем установки гребенки узла фиксации монокристаллов алмаза в горизонтальное положение, растущие МКА задерживаются гребенкой до окончания роста МКА со стабильными характеристиками. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 2 табл., 4 ил. | 2102542 патент выдан: опубликован: 20.01.1998 |
|
| СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ПАССИВНОГО ЛАЗЕРНОГО ЗАТВОРА Использование: в квантовой электронике для приготовления пассивных лазерных растворов неодимовых лазеров с длиной волны излучения 1,34 мкм. Кристаллы SrF2-Nd3+ аддитивно окрашивают в атмосфере насыщенных паров металлического Ca при температуре 950°С в течение 2 ч. Обеспечено повышение стабильности ионов Nd2f . 3 ил. | 2023064 патент выдан: опубликован: 15.11.1994 |
|
С. Для нанесения покрытия из карбида вольфрама подложку помещают в реактор, вакуумируют его до 10 Па, подают гексафторид вольфрама и водорода, выдерживают подложку в течение необходимого времени и отжигают подложку при температуре, необходимой для образования карбида вольфрама. 4 н. и 27 з.п. ф-лы.