способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала bi2sn2can-1cuno2n+1

Классы МПК:H01L39/24 способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в  39/00 приборов или их частей
Автор(ы):, , ,
Патентообладатель(и):Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете
Приоритеты:
подача заявки:
1991-04-24
публикация патента:

Использование: для получения сверхпроводящих фаз Bi-2212 и Bi-2223 методом твердофазного синтеза. Сущность ия: готовят смесь из Bi2O3 , SrCO3 и CuO, соответствующую составу 2: 2:0:1 по катионам Bi, Sr, Ca, Cu, а также смесь CaCO3 и CuO, соответствующую составу 1:1 по катионам Ca и Cu, спекают первую смесь при температуре 800°С в течение 2 ч, а вторую - при 1000°С в течение 8 ч в аргоне, затем после закалки на воздухе обе смеси смешивают, перетирают, а спекание ведут при температуре 830 - 850°С в атмосфере аргона в течение 12 - 14 ч, после чего закаливают на воздухе.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА Bi2Sr2Can-1CunO2n+4(n= 2 или 3), включающий приготовление шихты и ее спекание, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных образцов и сокращения времени получения сверхпроводящего материала, для приготовления шихты готовят смесь из Bi2O3, SrCO3 и CuO, соответствующую составу 2 : 2 : 0 :1 по катионам Bi, Sr, Ca, Cu, а также смесь CaCO3 и CuO, соответствующую составу 1 : 1 по катионам Ca и Cu, спекают первую смесь при 800oС в течение 2 ч, а вторую - при 1000oС в течение 8 ч в атмосфере аргона, затем после закалки на воздухе обе смеси смешивают и перетирают, а спекание ведут при 830 - 850oС в атмосфере аргона в течение 12 - 14 ч, после чего закаливают на воздухе.

Описание изобретения к патенту

Изобретение относится к технологии синтеза высокотемпературных сверхпроводниковых материалов и может быть использовано для получения сверхпроводящих фаз В1-2212 и В1-2223 методом твердофазного синтеза.

Известны способы получения фаз В1-2212 и В1-2223 методом твердофазного синтеза [1, 2]. Они заключаются в приготовлении стехиометрического состава по обычной керамической технологии и последующем долговременном отжиге при определенных температурах, в результате которого образуются фазы В1-2201, В1-2212 и В1-2223. Недостатком данных способов является невозможность получения гомогенных по фазе образцов.

Известен также способ получения фазы В1-2223 по керамической технологии, который заключается в том, что спрессованный образец отжигают при температуре 840оС в течение 400 ч [3].

Основным недостатком этого способа является то, что при этих режимах отжига и для этого состава образуется совокупность фаз - низкотемпературная В1-2213 и высокотемпературная В1-2223.

Целью изобретения является упрощение технологического процесса и получение образцов В1-2212 или В1-2223, гомогенных по фазе.

Это достигается тем, что при способе, включающем приготовление шихты исходного состава из окислов Bi2O3, CuO и карбонатов SrCO3, SrCO3, предварительное спекание на воздухе и синтез при 830-850оС проводят в течение 20-24 ч из компонент Bi2Sr2CuO6 и CaCuO2, взятых в стахиометрическом соотношении в атмосфере инертного газа.

Новизна изобретения заключается в использовании двух компонент для синтеза, одна из которых предварительно отжигается в атмосфере аргона.

Предлагаемая совокупность признаков в известной литературе не обнаружена.

Способ осуществляется следующим образом: используется исходный состав шихты BiSr2CuO6, который спекается при 800оС в течение 2 ч с последующей закалкой на воздухе, и CaCuО2, который спекается в аргоне из CaCO3 и CuO при 1000оС в течение 8 ч. Затем обе части системы смешиваются в одну, перетираются и отжигаются при температуре 830-850оС в течение 12-14 ч.

П р и м е р 1.Готовят смесь компонент 2,33 г Bi2O3, 1,48 г SrCO3 и 0,40 г CuO, соответствующую составу 2:2:0:1 по катионам Bi, Sr, Ca, Cu, а также смесь 0,5г CaCO3 и 0,4 г CuO, соответствующую составу 1:1 по катионам Ca, Cu, и в тиглях из Al2O3 выдерживают в муфельной печи соответственно при 800оС в течение 2 ч на воздухе и при 1000оС в течение 8 ч в аргоне. Затем после закалки на воздухе обе смеси смешивают в одну, перетирают и вносят в печь при температуре 840оС в атмосфере аргона. После выдержки 12-14 ч образец закаляют на воздухе.

Рентгенографическое исследование полученных керамических образцов, проведенное методом порошка на дифрактометре ДРОН-3М (способ получения высокотемпературного сверхпроводящего   материала bi<sub>2</sub>sn<sub>2</sub>ca<sub>n-1</sub>cu<sub>n</sub>o<sub>2n+1</sub>, патент № 2017274 Cu-Ka) показывает, что они на 95% состоят из фазы Bi-2212 Tск=88--90К.

П р и м е р 2. Образец готовят так же, как в примере 1, за исключением того, что процессы синтеза проводят в воздушной среде. После таких условий содержание фаз Bi-2201 и Bi-2212 становится равным и составляет примерно 50%, Ткс=58-60К.

Благодаря тому, что получение CaCuO2 и взаимодействие компонент Bi2Sr2CuO6 и CaCuO2 происходят в аргоне возможно получение до 95% фазы Bi-2212 или Bi-2223. Ускорение процесса обусловленно непродолжительным предварительным спеканием (порядка 8 часов) и синтезом, продолжающимся около 12-14 ч. Общее время, затраченное на спекание и синтез, составляет порядка 20 часов (в аналоге около 400 ч).

По сравнению с прототипом ускоряется проведение процесса и получаются однофазные образцы.

Класс H01L39/24 способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в  39/00 приборов или их частей

способ электроискрового формирования тонкопленочной втсп схемы -  патент 2508576 (27.02.2014)
металлическая сборка, заготовка для сверхпроводника, сверхпроводник и способ, пригодный для получения сверхпроводника -  патент 2507636 (20.02.2014)
устройство и способ для нанесения сверхпроводящих слоев -  патент 2503096 (27.12.2013)
способ осуществления гиперпроводимости и сверхтеплопроводности -  патент 2497236 (27.10.2013)
способ изготовления подложки для высокотемпературных тонкопленочных сверхпроводников и подложка -  патент 2481674 (10.05.2013)
способ изготовления тонкопленочного высокотемпературного сверхпроводящего материала -  патент 2481673 (10.05.2013)
способ обработки высокотемпературного сверхпроводника -  патент 2477900 (20.03.2013)
способ изготовления сверхпроводниковых однофотонных детекторов -  патент 2476373 (27.02.2013)
способ формирования гладких ультратонких ybco пленок повышенной проводимости -  патент 2450389 (10.05.2012)
устройство для высокотемпературного осаждения сверхпроводящих слоев -  патент 2443038 (20.02.2012)
Наверх