Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика – H01L 21/84
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА
Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик, снижение трудоемкости изготовления и повышение надежности гибридной интегральной схемы. Сущность изобретения: способ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металлизации пленочных проводников и, по крайней мере, одной посадочной площадки для расположения, по крайней мере, одного кристалла навесного компонента, изготовление на одной стороне пленочного полимерного носителя рисунка плоских пленочных соединительных внутрисхемных проводников, содержащего, по меньшей мере, одну группу для подключения активного полупроводникового прибора, изготовление отверстий в полимерном носителе, соединение внутренних концов пленочных соединительных внутрисхемных проводников с контактными площадками, по меньшей мере, одного кристалла активного навесного компонента - полупроводникового прибора, закрепление кристаллов активных компонентов на посадочных площадках, присоединение внешних концов группы пленочных соединительных внутрисхемных проводников к пленочным проводникам топологического рисунка, закрепление кристаллов пассивных компонентов, изготовление на полимерном носителе пленочных соединительных внутрисхемных проводников для выполнения всех соединений. Концы проводников соединяют с топологическим рисунком непосредственно или посредством пассивных компонентов, затем удаляют пленочный носитель. 4 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2417480 патент выдан: опубликован: 27.04.2011 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА
Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающем изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металлизации пленочных проводников и, по крайней мере, одной монтажной площадки для расположения, по крайней мере, одного кристалла навесного компонента, расположение, совмещение и соединение внутренних концов плоских балочных выводов выводной рамки с контактными площадками, расположенными на лицевой стороне кристаллов навесных компонентов, удаление технологических частей выводной рамки, расположение кристаллов навесных компонентов на монтажные площадки, соединение внешних концов плоских балочных выводов выводной рамки с пленочными проводниками топологического рисунка металлизации, удаление технологических частей выводной рамки осуществляют после соединения внешних концов плоских балочных выводов выводной рамки с пленочными проводниками топологического рисунка металлизации, при этом удаление осуществляют либо полностью, либо частично, расположение кристаллов навесных компонентов на монтажные площадки осуществляют либо одновременно, либо в определенной последовательности, соединение внешних концов плоских балочных выводов выводной рамки с пленочными проводниками топологического рисунка металлизации осуществляют либо непосредственно, либо и/или посредством кристаллов навесных компонентов. Техническим результатом изобретения является увеличение процента выхода годных, улучшение электрических характеристик при сохранении надежности гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. |
2314595 патент выдан: опубликован: 10.01.2008 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГИС СВЧ НА КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ
Изобретение относится к технологическим процессам интегральной электроники. Способ осуществляют следующим образом. Поверхность отверстий активируют в процессе лазерной прошивки за счет применения полиоргансилоксановой жидкости. После этого поверхность отверстий металлизируют путем химического осаждения слоев металлов в последовательности золото-никель-золото. Процессы осаждения дополнительно интенсифицируют с помощью ультразвуковых колебаний. Способ обеспечивает высокое качество перемычек и их низкое электрическое сопротивление. |
2242823 патент выдан: опубликован: 20.12.2004 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ СВЧ
Использование: в электронной технике при изготовлении интегральных схем СВЧ. Техническим результатом изобретения является упрощение технологического процесса изготовления интегральных схем, снижение трудоемкости и осуществление возможности изготовления мощных интегральных схем при сохранении высокой разрешающей способности при изготовлении топологического рисунка. Сущность изобретения: проводящие полоски заданной топологии формируют путем сканирования по поверхности керамической подложки лучом лазера с мощностью Р, со скоростью V и нанесением защитного слоя на проводящие полоски после изготовления проводящих полосок заданной топологии. Максимальная величина мощности луча лазера Рмак и минимальная величина скорости сканирования луча лазера Vмин связаны соотношением Рмак/Vмин = с рТкипS, где с - удельная теплоемкость, р - плотность, Ткип - температура кипения металла, входящего в состав керамической подложки, S - площадь луча лазера. 2 з.п. ф-лы.
|
2206145 патент выдан: опубликован: 10.06.2003 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ КЕРАМИКИ ДЛЯ ГИС СВЧ Использование: электронная техника. Технический результат: снижение трудоемкости изготовления и стоимости деталей и повышение точности изготовления. Сущность изобретения: в качестве исходного материала используют готовые подложки из отожженной керамики, на которые после очистки поверхности наносят металлическую маску и проводят травление керамики с целью формообразования. Затем удаляют формообразователь-маску обработкой на воздухе при температуре травления. Далее разделяют подложку на отдельные детали и проводят их контроль. 2 з.п. ф-лы. | 2206144 патент выдан: опубликован: 10.06.2003 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛАСТИН Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных микросхем с поликристаллическими активными и пассивными компонентами. Сущность изобретения: способ изготовления керамических пластин включает отливку пластин в формы под давлением, извлечение органической связки из отливок, их высокотемпературную обработку, изготовление микрорельефа. Операцию отливки пластин в формы совмещают с операцией изготовления микрорельефа путем вклеивания в боковые стенки литьевых форм пластин кремния с требуемым микрорельефом, который получают путем нанесения фоторезиста на пластину кремния и формирования с помощью фотошаблона негативного изображения топологического рисунка, после чего через вскрытые в фоторезисте окна химическим способом удаляют слой SiO2, а затем снимают фоторезист и проводят анизотропное травление пластины кремния на требуемую глубину путем регулирования времени травления, а потом проводят термические технологические операции. Техническим результатом изобретения является получение более качественного топологического рисунка микрорельефа, удешевление технологического процесса и снижение трудоемкости изделий. 1 ил. | 2173004 патент выдан: опубликован: 27.08.2001 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур. Сущность: нелитографическими методами на поверхности исходной подложки создается маска. Рисунком маски является совокупность отверстий произвольной формы и субмикронных размеров, отстоящих друг от друга на субмикронные расстояния. Травлением через полученную маску в кремниевой пластине формируют колодцы. Стенки колодцев маскируют нитридом кремния. Затем структуру окисляют. Окисел кремния растет со дна колодцев и смыкается в сплошной слой, отделяющий монокристаллическую пленку кремния с отверстиями от кремниевой пластины. На боковой поверхности отверстий в монокристаллической пленке кремния проводят эпитаксию до зарастания этих отверстий монокристаллическим кремнием. И получают таким образом КНИ структуру. 2 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2096865 патент выдан: опубликован: 20.11.1997 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР Использование: в технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур. Сущность изобретения: нелитографическими методами на поверхности кремниевой пластины создается маска. Рисунком маски является совокупность отверстий произвольной формы с размером менее микрона, отстоящих друг от друга на расстоянии не превышающем микрона. Травлением через маску с таким рисунком в кремниевой пластине формируют колодцы. Стенки колодцев маскируют нитридом кремния. Затем окисляют кремний пластины. Окисел кремния растет со дна колодцев и смыкается в сплошной слой, отделяющий монокристаллическую пленку кремния с отверстиями от кремниевой пластины. На монокристаллической пленке кремния с отверстиями осуществляют эпитаксию кремния и в результате получают КНИ структуру с гладкой поверхностью кремниевого слоя. Способ позволяет повысить производительность процесса изготовления КНИ - структур. 6 ил. | 2090952 патент выдан: опубликован: 20.09.1997 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР (57) Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении дискретных приборов и интегральных схем. Сущность: на поверхности кремниевой подложки нелитографическими методами создаются маскирующие участки субмикронного размера, удаленные друг от друга на субмикронное расстояние и имеющие произвольную форму; эта маска используется для анизотропного травления кремниевой пластины на определенную глубину. После удаления маски на поверхности, образуемой вершинами полученных анизотропным травлением кремниевых столбов, осуществляется эпитаксия, в результате чего эпитаксиальный слой и кремниевая пластина оказываются соединенными множеством столбов. Затем выращенный эпитаксиальный слой кремния локально стравливают, что дает доступ окислителя к слою кремниевых столбов. 4 з.п. ф-лы, 7 ил. | 2070350 патент выдан: опубликован: 10.12.1996 |
|