8258

МПК Раздел H H01 H01L H01L 21/00 H01L 21/8258

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей

H01L 21/8258 .....на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках 21/822, 21/8252, 21/8254 или 21/8256

Патенты в данной категории

	ЭЦР-ПЛАЗМЕННЫЙ ИСТОЧНИК ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (ВАРИАНТЫ), ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур. ЭЦР-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур в процессе изготовления полупроводниковых приборов или интегральных схем содержит реактор с подложкодержателем для размещения полупроводниковых структур, систему откачки для обеспечения сверхвысокого вакуума, магнитную систему, СВЧ генератор, ввод СВЧ мощности излучения, газовую систему коммутации и дозированной подачи реагентов, высокочастотный генератор с тюнером для формирования постоянного самосмещения образца. Реактор сконструирован так, что он имеет нерезонансный объем на частоте 2,45 и 1,23 ГГц для поддержания стабильного разряда. Магнитная система выполнена с возможностью создания магнитного поля на внутреннем срезе четвертьволнового окна ввода СВЧ излучения с напряженностью 910-940 Гс, а на продольной оси источника в центральной его части на длине не менее 3 см - 875 Гс для формирования однородной моды плазменного разряда с неоднородностью плотности плазмы по поперечному сечению источника менее 3%. Предложены также полупроводниковый прибор и интегральная схема и способы их изготовления. Технический результат - повышение воспроизводимости параметров обрабатываемых полупроводниковых структур и приборов, улучшение параметров приборов, устранение возможности образования дефектов в различных областях, ускорение процесса обработки. 7 с. и 12 з.п.ф-лы, 9 ил.	2216818 патент выдан: опубликован: 20.11.2003
	ПРЕЦИЗИОННЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛИКРЕМНИЕВЫЙ РЕЗИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Изобретение относится к конструированию прецизионных интегральных поликремниевых резисторов и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС). За счет экранирования резистивного поликремния от подложки локальными экранами из проводящего материала достигается эффект повышения точности воспроизведения сопротивлений и отношения сопротивлений интегральных поликремниевых резисторов, устранения зависимости сопротивления резисторов от напряжения между резистором и подложкой (в том числе и от напряжения питания ИС), а также улучшения временной стабильности сопротивлений. 2 с. и 5 з.п. ф-лы, 4 ил.	2110871 патент выдан: опубликован: 10.05.1998
	МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Использование: в полупроводниковой электронике, конструкциях мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит транзисторные кристаллы с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом коллекторных или стоковых электродов транзисторных кристаллов, а также два вывода других электродов транзисторов, расположенные по обе стороны от фланца корпуса и соединенные рядами проводников с соответствующими электродами транзисторных структур, введен дополнительный вывод, расположенный со стороны одного из выводов других электродов симметрично оси симметрии транзистора и соединенный рядом проводников с электродами транзисторных структур, соединенными с другим выводом транзистора, что обеспечивает усиление СВЧ-мощности. 5 ил.	2054750 патент выдан: опубликован: 20.02.1996