Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах – H01L 21/8248
Патенты в данной категории
| МЕТОД ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОЙ БИКМОП СТРУКТУРЫ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве БиКМОП структур для многоэлементных фотоприемников и радиосхем, использующих базовую технологию КМОП приборов. Эффект от использования способа заключается в повышении качества структуры биполярного транзистора - сохранении высокой эффективности эмиттера и коэффициента усиления по току при уменьшении ширины эмиттера до субмикронных размеров, а также в «сокращении» маршрута изготовления, предусматривающем уменьшение количества операций литографии и полупроводниковых слоев, что снижает стоимость, повышает процент выхода годных и технологичность процесса. Сущность изобретения: высокая эффективность эмиттера и коэффициента усиления по току при субмикронных значениях размера эмиттера достигается благодаря формированию вокруг области эмиттера в кремнии кольцевого электрода из поликремния. Кольцевой электрод расположен на подзатворном окисле, охватывает эмиттер и имеет его потенциал, создающий вокруг эмиттера поле, препятствующее рекомбинации неосновных носителей в приповерхностной области, и, в результате, увеличивающий значения коэффициента усиления в два-три раза. Сокращение маршрута изготовления достигается в результате совмещения всех основных процессов формирования биполярного транзистора с типовыми процессами изготовления КМОП без потери качества и ухудшения параметров биполярного транзистора. 2 з.п. ф-лы, 4 ил. |
2329567 патент выдан: опубликован: 20.07.2008 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО БиКМОП ПРИБОРА
Использование: микроэлектроника, технология изготовления самосовмещенных БиКМОП структур в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного БиКМОП прибора окна под все области биполярных и МОП транзисторов, а также изолирующих областей вскрывают одновременно в третьем, во втором диэлектрических слоях и первом слое поликристакллического кремния до первого диэлектрического слоя. Локально удаляют первый диэлектрический слой в окнах под изолирующие области и формируют на вертикальных стенках разделительный диэлектрик третьим диэлектрическим слоем. При этом линейный размер окон под изолирующие области равняется полуторному линейному фотохемографическому размеру окон активной базовой, затворных областей, контакта к коллектору, что обеспечивает, при формировании разделительного диэлектрика из второго диэлектрика на вертикальных стенках окон под изолирующие области толщиной в половину линейного фотохемографического размера окон под активную базовую, затворные области и коллекторные контакты, полное заполнение вторым диэлектриком окон транзисторных структур, которое позволяет осуществлять формирование изолирующих областей без рассовмещения с другими областями транзисторных структур. Разделительный диэлектрик из третьего диэлектрического слоя, защищающий первый, второй диэлектрические слои и первый слой поликристаллического кремния в окнах под изолирующие области и контакты к коллекторам, а в окнах под активные базовые и затворные области этот разделительный диэлектрик, защищающий второй диэлектрический слой и первый слой поликристаллического кремния, позволяет только в этих окнах проводить травление первого диэлектрического слоя под первым слоем поликристаллического кремния, что дает возможность совместить пассивную, активную базовые, эмиттерную, затворные, стоковые и истоковые области. Техническим результатом изобретения является повышение плотности компановки транзисторных структур за счет самосовмещения областей транзисторных структур вместе с изолирующими областями. Полностью самосовмещенная технология позволяет также повышать воспроизводимость параметров приборов. 3 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2295800 патент выдан: опубликован: 20.03.2007 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОМАСШТАБИРУЕМОЙ БИКМОП СТРУКТУРЫ Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости, первый слой диэлектрика, формируют тонкий окисел кремния, осаждают слой электродного поликристаллического кремния, легируют его в месте расположения биполярного транзистора примесью первого типа проводимости для создания сильнолегированных областей пассивной базы в кремнии и примесями первого и второго типа проводимости соответственно в местах расположения полевых транзисторов с одноименным типом канала для создания сильнолегированных областей стока и истока, формируют из него электроды с вертикальными стенками. После осаждения первого слоя поликристаллического кремния легируют его вначале примесью первого типа проводимости для создания слаболегированных областей в местах расположения биполярного транзистора и слаболегированных областей стока и истока полевого транзистора с типом канала, одноименным данному типу примеси, затем легируют его примесью второго типа проводимости для создания слаболегированных областей стока и истока второго полевого транзистора с типом канала, одноименным второму типу примеси, после травления второго слоя диэлектрика травят первый слой поликристаллического кремния до тонкого слоя окисла кремния, удаляют тонкий окисел кремния до кремния и одновременно вытравливают его частично под первым слоем поликристаллического кремния, легируют кремний примесью первого типа проводимости только в области биполярного транзистора, формируют пристеночный диэлектрик. Формируют на кремнии подзатворный диэлектрик, в окнах биполярного транзистора удаляют подзатворный диэлектрик, а после осаждения второго слоя поликристаллического кремния легируют его примесью второго типа проводимости в месте расположения эмиттера биполярного транзистора и затвора полевого транзистора с типом канала, одноименным данному типу примеси, а затем примесью первого типа легируют поликристаллический кремний в месте расположения затвора полевого транзистора с типом канала одноименным данному типу примеси. Технический результат – улучшение электрических параметров транзисторов в результате уменьшения размеров эмиттера биполярного и затвора полевого транзистора до значений меньших, чем величина проектных норм на литографии. 5 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2234165 патент выдан: опубликован: 10.08.2004 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В СОСТАВЕ БиКМОП ИС Использование: микроэлектроника, БиКМОП приборы, у которых на одном кристалле формируются биполярные и полевые транзисторы, существенно расширяющие функциональные возможности и эффективность цифровых и аналоговых схем. Техническим результатом изобретения является сокращение числа слоев поликристаллического кремния, что делает более рентабельным промышленное производство структур биполярных транзисторов в интегральной схеме с повышением выхода годных, и исключение возможности создания в структуре интегральной схемы низковольтного р-n-перехода с повышенной удельной емкостью. Сущность изобретения: в кремниевой пластине формируют карманы двух типов проводимости для размещения полевых и биполярного транзисторов, создают полевой окисел на поверхности карманов, формируют высоколегированные области с одним с областью коллектора типом проводимости под полевым окислом, окружающие область базы с любой из трех сторон, кроме стороны, где располагается контакт к области базы, при этом по крайней мере одна из этих трех сторон граничит с областью контакта к коллектору биполярного транзисторов, создают подзатворный диэлектрик, формируют затворы полевых и электрод эмиттера биполярного транзистора из разных, по крайней мере из трех, слоев поликристаллического кремния, создают высоколегированную область в базе одного с базой типа проводимости вокруг области эмиттера и в месте контакта к области базы. Формирование затворов полевых и электрода эмиттера биполярного транзисторов производят из одних и тех же двух слоев поликристаллического кремния, вначале осаждают первый слой поликристаллического кремния непосредственно на подзатворный диэлектрик, производят вскрытие в первом слое поликристаллического кремния и в подзатворном диэлектрике окон под эмиттер, затем осаждают второй слой поликристаллического кремния, легируют его примесью одного с эмиттером типа проводимости, после чего производят формирование травлением одновременно из двух слоев поликристаллического кремния затворов полевых и электрода эмиттера биполярного транзисторов, а третий слой поликристаллического кремния при необходимости используют для формирования пассивных элементов интегральной микросхемы. 2 с. и 6 з.п.ф-лы, 3 ил. | 2208265 патент выдан: опубликован: 10.07.2003 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП СТРУКТУРЫ Использование: микроэлектроника, технология БиКМОП ИС, в которой на одном кристалле формируются n-канальные и р-канальные полевые и npn биполярные транзисторы. Предлагаемый способ изготовления БиКМОП структуры обеспечивает получение высоких параметров npn биполярного и полевых транзисторов и одновременно существенно сокращает маршрут изготовления структуры. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП-структуры формирование эмиттерного электрода из второго слоя поликремния производят с перекрытием окна под эмиттер в первом слое поликремния и подзатворном диэлектрике на величину погрешности при литографии. Легирование областей стока и истока n-канального полевого транзистора выполняют примесью второго типа проводимости с меньшей длиной пробега при имплантации, проводят первый отжиг при высокой температуре, а легирование областей стоков и истоков р- канального полевого транзистора, пассивной базы и эмиттера биполярного транзистора - примесью первого типа проводимости с большей длиной пробега при имплантации и выполняют второй отжиг при температуре ниже первой. Техническим результатом изобретения является повышение качества структуры - сохранение высокой эффективности и усиление транзистора в сокращенном маршруте, предусматривающем экономию операций маскирования при определенной последовательности проведения отжигов имплантированных примесей. Кроме того, создание возможности независимого формирования параметров глубокого коллектора и области локального коллектора под эмиттером биполярного транзистора. 2 з.п. ф-лы, 7 ил. | 2141149 патент выдан: опубликован: 10.11.1999 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП ПРИБОРА Использование: микроэлектроника, а именно технология БиКМОП приборов, у которых на одном кристалле формируются комплиментарные биполярные и полевые транзисторы. Сущность изобретения: в способе изготовления БиКМОП прибора за счет того, что оставляют первый слой поликремния и подзатворный окисел в карманах полевых транзисторов с перекрытием слоем поликремния полевого окисла на величину, равную погрешности при литографии, в кармане первого биполярного транзистора в месте расположения окна под эмиттер с перекрытием поликремнием окна на величину, равную погрешности при литографии, и в кармане второго биполярного транзистора, за исключением места расположения эмиттера. При легировании второго слоя поликремния, кроме того, легируют место расположения базового электрода первого биполярного транзистора. До формирования электродов из третьего слоя поликремния легируют третий слой поликремния вначале примесью второго типа проводимости над областями стоков и истоков n-канального полевого и коллекторного электрода второго биполярного транзисторов, проводят первый отжиг при высокой температуре, затем легируют третий слой поликремния примесью первого типа проводимости над областями стоков и истоков р - канального полевого транзистора, эмиттерного и коллекторного электродов первого биполярного и базового электрода второго биполярного транзисторов, проводят второй отжиг при температуре ниже температуры первого отжига, а затем формируют электроды из третьего слоя поликремния к областям стоков и истоков полевых транзисторов, к области эмиттера и коллектора первого биполярного и к области пассивной базы и коллектора второго биполярного транзисторов, осаждают второй силицидный и второй изолирующий слои. Техническим результатом изобретения является повышение степени интеграции, быстродействия и процента выхода годных БиКМОП прибора за счет совершенствования способа формирования электродов к стоку и истоку полевых транзисторов и электрода эмиттера из третьего слоя поликремния, уменьшающих емкости переходов и величину сопротивления базы, и исключения воздействия плазмы на поверхность кремния в активных областях транзисторов. 10 ил. | 2141148 патент выдан: опубликован: 10.11.1999 |
|
| БИКМОП-ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ Использование: БиКМОП-приборы, у которых на одном кристале формируются комплементарные биополярные и полевые транзисторы, а также технология изготовления вертикальных NPN и PNP полевых транзисторов и комплементарных полевых транзисторов. Сущность изобретения: конструкция БиКМОП-прибора позволяет существенно снизить размеры транзисторов благодаря использованию самосовмещенной технологии формирования биополярных и полевых транзисторов. В предлагаемой конструкции первый вертикальный биполярный транзистор включает эммитерный электрод из второго слоя поликремния над эммитерной областью, базовые электроды к двум областям пассвной базы и коллекторный электрод из тертьего слоя поликремния, самосовмещенные металлические силицидные слои к базовым, эмиттерному и коллекторному электродам, металлические электроды, выполненные к базовым, к эмиттерному и коллекторному электродам, при этом второй биполярный транзистор имеет такую же структуру, как и первый вертикальный биполярный транзистор, с типом проводимости, противоположным типу проводимости первого вертикального биполярного транзистора, первый МОП-транзистор содержит истоковую и стоковую области, разделенные канальной областью, затвор из первого и второго слоя поликремния и металлического силицилового слоя, нанесенные на подзатворный диэлектрик, электроды из третьего слоя поликремния к области стока и истока, введенные на полевой окисел и покрытые металлическим силицидным слоем, металлические электроды, контактирующие к областям истока и стока через электроды из третьего слоя поликремния, выведенные на полевой окисел, второй МОП-транзистор имеет такую же структуру, как и первый МОП-транзистор, с типом проводимости, противоположным типу проводимости первого МОП-транзистора. 2 с.п. ф-лы, 12 ил. | 2106719 патент выдан: опубликован: 10.03.1998 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП СТРУКТУР Использование: микроэлектронника, технология изготовления комплементарных вертикальных NPN и PNP транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке с использованием самосовмещенной структуры биполярного транзистора типа Aspekt, согласованной с технологией КМОП. Сущность изобретения: способ включает изготовление на общей подложке скрытых слоев двух типов проводимости и эпитаксиальной пленки, формирование в ней изолированных карманов двух типов проводимости, размещение в них комплементарных биполярных и полевых транзисторов, легирование одного из эмиттеров биполярных транзисторов примесью, имеющей меньший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь второго эмиттера, отжиг структуры при первой высокой температуре, затем легирование второго эмиттера и окружающую его область внешней базы примесью другого типа проводимости, с уровнем концентрации в кремнии меньшим, чем уровень легирования во внешней базовой области биполярного транзистора, после чего отжигают структуру при второй меньшей температуре. 13 ил. | 2106039 патент выдан: опубликован: 27.02.1998 |
|