Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ..........электрически программируемые (СПЗУ) – H01L 21/8247
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/8247 ..........электрически программируемые (СПЗУ)
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ СТРУКТУР ОЧЕНЬ МАЛОГО РАЗМЕРА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке предусматривает изготовление многослойной защитной структуры, формирование на ней первого слоя, например поликристаллического кремния, изготовление на нем структуры, осаждение второго слоя, который может селективно травиться относительно первого слоя, анизотропно травят второй слой, оставляя микроструктуру на краю структуры, формируют оксид вокруг микроструктуры, удаляют микроструктуру, анизотропно травят слои многослойной защитной структуры вплоть до поверхности подложки, оксидируют поверхность подложки и боковые стенки канавки, формируют в канавке электрод затвора из поликремния. Предложен также способ изготовления туннельного окна для запоминающей ячейки электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства. Техническим результатом изобретения является разработка способа изготовления элементов структур очень малого размера, при котором размеры структур не ограничены фотолитографией. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2168797 патент выдан: опубликован: 10.06.2001 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБЛАСТЕЙ ИСТОКА МАТРИЦЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ ЯЧЕЕК БЫСТРОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОГО ПРОГРАММИРУЕМОГО ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Использование: при изготовлении запоминающих ячеек. Сущность изобретения: для защитной изоляции на полупроводниковую подложку наносят многослойную структуру (сэндвич) оксид кремния-поликристаллический кремний-оксид кремния. Для легирования областей истока и соединительных дорожек истока наносят маску фоторезиста, которая оставляет свободными области между шинами слов соответствующей пары шин слов. Маска фоторезиста должна при этом покрывать только часть шин слов и поэтому не нуждается в точной юстировке. За счет высокоэнергетичной имплантации затем самосовмещенно относительно шин слов имплантируют легирующее вещество. В случае, если изолирующая многослойная структура является слишком толстой, оксид кремния выше слоя поликристаллического кремния можно перед имплантацией анизотропно стравливать также самосовмещенно. Техническим результатом изобретения является создание способа изготовления быстрых запоминающих ячеек, который позволяет иметь возможно малую площадь на ячейку и при этом хорошую характеристику считывания. 5 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2168241 патент выдан: опубликован: 27.05.2001 |
|