Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ........комбинация обеднения или обогащения транзисторов – H01L 21/8236

Изобретение относится к инвертору, состоящему из тонкопленочных транзисторов с оксидным полупроводниковым слоем. Сущность изобретения: способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои которых состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из In, Ga и Zn, содержит этапы, на которых формируют первый транзистор и второй транзистор, толщина канальных слоев первого и второго транзисторов является взаимно различной, и применяют термообработку по меньшей мере к одному из канальных слоев первого и второго транзисторов. Изобретение обеспечивает расширение технических средств, позволяющих получить инвертор с оксидными полупроводниковыми тонкопленочными транзисторами, имеющими различные пороговые напряжения, упрощение способа получения инвертора с такими характеристиками, снижение его стоимости. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 18 ил.