Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .......структуры памяти – H01L 21/8229

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования постоянных запоминающих устройств, а также в качестве датчиков магнитного поля. Технический результат изобретения - создание магниторезистивного элемента памяти, состоящего из двух ферромагнитных пленок, разделенных туннельно-прозрачным диэлектрическим барьером с возможностью интеграции в БИС планарной технологии КМОП/КНД, исследование возможности изменения электросопротивления элемента «MTJ» с достаточным уровнем изменения магниторезистивного сопротивления для промышленной реализации путем перемагничивания одного из ферромагнитных слоев внешним магнитным полем. В способе формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода, включающем нанесение на подложку магниторезистивной структуры, включающей свободный и связанный магнитные слои, разделенные диэлектрической туннельной прослойкой, с последующим формированием структуры элемента памяти, перед нанесением магниторезистивной структуры на поверхность подложки для формирования нижнего немагнитного проводящего электрода методом магнетронного распыления наносят многослойную структуру Au/Та,а элемент памяти получают путем формирования структуры Au/Та/Со/ТаО_х/Со/Au методом планарной технологии. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 33 ил.

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом изобретения является упрощение способа, сокращение времени формирования магнитного туннельного перехода и получение высоких значений спин-поляризации за счет использования ферромагнитных полуметаллов в качестве электродов при простоте интеграции в существующую кремниевую технологию. Сущность изобретения: в способе формирования магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл, включающем формирование магнитного туннельного перехода на подложке, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, туннельный изолирующий слой формируют осаждением диэлектрического слоя на свободно перемагничивающемся слое, при этом на подложку в вакууме осаждают слой железа, затем на поверхность слоя железа осаждают слой кремния, далее осуществляют окисление поверхности осажденного кремния, после этого на слой полученного оксида кремния осаждают слой кремния, поверх него осаждают слой железа, после чего формируют одновременно два слоя ферромагнитного силицида под слоем оксида кремния и над слоем оксида кремния путем твердофазной реакции при температуре 400-650°С. 4 н. и 7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом изобретения является формирование ферромагнитного электрода, выполненного в виде свободного перемагничивающегося слоя, в контакте с туннельным барьером с высокой характеристикой гладкости, отсутствием парамагнитной фазы при упрощении метода получения магнитных туннельных переходов, простоте интеграции в существующую кремниевую технологию изготовления элементов памяти, и также удешевлении процесса при сохранении конкурентоспособных характеристик. Сущность изобретения: в способе формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, включающем формирование магнитного туннельного перехода на подложке, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, для формирования магнитного туннельного перехода на подложку в вакууме при комнатной температуре осаждают слой железа, затем на слой железа осаждают слой кремния, далее осуществляют окисление поверхности осажденного кремния в плазме тлеющего разряда, после чего формируют слой ферромагнитного силицида под слоем оксида кремния путем твердофазной реакции при температуре 400-800°С, затем слой с фиксированной намагниченностью формируют на туннельном изолирующем слое. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 2 ил.