Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .......комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы – H01L 21/8228
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/8228 .......комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ИС Использование: способы изготовления КМОП ИС, применяемых в микроэлектронике. Сущность изобретения: на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости с карманами второго типа проводимости формируют изолирующий диэлектрик из термической двуокиси кремния, вскрывают одновременно все области истоков, стоков и разделительные области МОП транзисторов обоих типов, выращивают на поверхности открытых областей технологический слой двуокиси кремния толщиной менее 0,3 толщины слоя изолирующего диэлектрика и проводят фотогравировку области истока, стока и разделительных областей n-типа с использованием фотошаблона с окнами больших размеров, чем окна в слое изолирующего диэлектрика, затем проводят легирование примесью n-типа и ускоренное низкотемпературное окисление легированных областей n-типа во влажной среде, затем проводят легирование истоков, стоков и разделительных областей р-типа через технологический слой, после чего проводят фотогравировку изолирующего и технологического слоев, вскрывая области под затвор и контакты, и формируют затворный диэлектрик и электрод затвора. 3 з. п. ф-лы, 4 ил. | 2051443 патент выдан: опубликован: 27.12.1995 |
|