Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....на подложке из полупроводникового материала – H01L 21/784
Патенты в данной категории
| ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ СЛОЕМ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ДИЭЛЕКТРИКОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия, надежности и создание структуры с управляемыми характеристиками захвата и хранения зарядовой информации, увеличение ее объема и плотности. Сущность изобретения: в запоминающем устройстве с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков, содержащем полупроводниковую подложку, диэлектрический слой, проводящий слой и токоподводящие электроды, диэлектрический слой состоит из первой пленки широкозонного диэлектрика, наносимой на поверхность полупроводниковой подложки, пленки узкозонного диэлектрика и второй пленки широкозонного диэлектрика. Предложен также способ получения запоминающего устройства. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2343587 патент выдан: опубликован: 10.01.2009 |
|
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ" Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на сапфире", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов, например к радиации. Сущность изобретения: в способе обработки структур "кремний на сапфире", включающем нанесение пленки кремния на сапфировую подложку и циклическую низкотемпературную обработку структур в жидком азоте, чередующуюся через 30-60 с c выдержкой при комнатной температуре в жидкой среде, а также измерения показателя преломления пленки во время обработки, в качестве жидкой среды для нагрева структур до комнатной температуры используют водный раствор фтористо-водородной кислоты, после выдержки в котором кроме показателя преломления пленки измеряют показатель преломления подложки и обработку прекращают тогда, когда наиболее медленно изменяющийся из показателей преломления достигает постоянного значения. Технический результат: повышение качества приборных слоев кремния структур "кремний на сапфире" за счет снижения их дефектности. 1 табл. | 2185685 патент выдан: опубликован: 20.07.2002 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ НА ИЗОЛЯТОРЕ ИЛИ ДРУГОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение рабочей пластины с пластиной-носителем, при этом соотношение площадей рабочей пластины и пластины-носителя не более 0,85, затем формируют на поверхности рабочей пластины, свободной от соединения, стопорный слой с твердостью, в 1,5 раза превышающей твердость рабочей пластины, и толщиной, на 1-15 мкм больше толщины формируемого рабочего слоя, затем проводят утонение рабочей пластины механическим путем при индивидуальной обработке каждой соединенной поры до совпадения плоскости обработки с поверхностью стопорного слоя. 1 табл., 2 ил. | 2071145 патент выдан: опубликован: 27.12.1996 |
|