Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ..изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее – H01L 21/77

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля. Сущность изобретения: способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции включает формирование на поверхности кремниевой пластины первого диэлектрического слоя из нитрида кремния с подслоем оксида кремния, формирование металлизированной разводки и контактных площадок, нанесение второго диэлектрического слоя из диоксида кремния, формирование окон во втором диэлектрическом слое до слоя металла, формирование окна в первом диэлектрическом слое в центральной области пластины до кремния, сухое анизотропное травление кремния в указанном окне на глубину не менее половины толщины кремниевой пластины, размещение на кремниевой пластине путем приклеивания двух кристаллов магниторезистивных преобразователей с осями чувствительности по Х- и Y-направлениям, обратной стороной и торцами вплотную друг к другу, размещение кристалла магниторезистивного преобразователя с чувствительностью по Z-направлению торцом в окно с вытравленным кремнием в центральной области, с примыканием его обратной стороны вплотную к торцам кристаллов, размещение кристалла микросхемы усиления сигнала, разварку контактных площадок, заливку компаундом. Изобретение обеспечивает повышение точности контроля направления вектора магнитной индукции, повышение разрешающей способности и чувствительности, надежности, снижение массогабаритных параметров. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является повышение устойчивости работы устройств, повышение плотности компоновки, снижение габаритно-весовых характеристик, а также упрощение технологического процесса и обеспечение гарантированной сварки готовых плат при монтаже навесных компонентов за счет расположения всех контактных площадок в первом проводящем слое. Сущность изобретения: в способе изготовления тонкопленочных многоуровневых плат для многокристальных модулей, микросборок и гибридных интегральных схем, включающем подготовку базовой платы, на которой формируются уровни коммутации последовательным нанесением слоев металлизации и формированием топологии первого и последующих уровней коммутации, согласно изобретению все контактные площадки схемы как для последующего соединения их с выводами активных компонентов, так и контактные площадки для электрического соединения к внешним выводам располагают в первом проводящем уровне, выполненном в виде многослойного покрытия V-Cu-Ni + химический Ni, где химический Ni используют в качестве стоп-слоя при формировании последующих уровней коммутации, разведение проводниковых слоев «сигнальный» и потенциальных - «питание» и «земля» осуществляют в индивидуальных уровнях. 1 з.п.ф-лы, 1 табл., 10 ил.