Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....воздушных зазоров – H01L 21/764

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с воздушными зазорами включает формирование на подложке первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование отверстий в первом диэлектрическом слое, формирование вертикальных проводников, путем газофазного осаждения второго проводящего слоя, покрывающего поверхность и заполняющего отверстия, и удаления этого слоя с поверхности первого диэлектрического слоя химико-механической полировкой, стравливание части первого диэлектрического слоя селективно к материалу второго проводящего слоя, формирование маски с рисунком горизонтальных проводников, локальное травление первого диэлектрического и первого проводящего слоев, удаление маски, в результате чего формируются горизонтальные проводники, покрытые нестравленной частью первого диэлектрического слоя и разделенные зазорами, неконформное осаждение второго диэлектрического слоя с формированием сомкнутых воздушных зазоров. Затем проводят химико-механическую полировку второго диэлектрического слоя до вскрытия поверхности вертикальных проводников, после чего повторяют цикл формирования следующего уровня проводников и формируют пассивирующий слой. Изобретение обеспечивает снижение времени задержки распространения сигналов, повышение надежности и выхода годных изделий, а также расширение технологических возможностей изготовления. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 1 табл.