Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....крепление полупроводникового прибора на опоре – H01L 21/58

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: устройство для монтажа кристалла содержит инструмент для захвата кристалла с выемкой под его размеры и отверстием для вакуума, нагреваемый столик, на котором размещают подложку, инструмент с вакуумной присоской для захвата заготовки припоя, механизм подачи газа и обдува кристалла в зоне пайки. В нагреваемом столике выполнены отверстия - одно для крепления подложки и два для подачи подогретого защитного газа в зону пайки. На столике установлен и закреплен металлический корпус так, что отверстия для подачи подогретого защитного газа расположены внутри вблизи его задней стенки, основанием корпуса служит нагреваемый столик. В крышке корпуса над отверстием для крепления подложки и в передней стенке выполнена выемка для выхода газа, установки подложки и опускания инструмента с захваченной заготовкой припоя или инструмента с захваченным кристаллом. Внутри корпуса между задней стенкой и выемкой расположен рассекатель потока газа, закрепленный винтом через прямоугольный сквозной паз, выполненный в крышке. В передней стенке выполнен сквозной паз шириной, большей, чем ширина выемки, высотой, по крайней мере, в два раза меньшей высоты стенки и глубиной до выемки, в пазе размещен подвижный вкладыш. При этом подложка занимает не более одной трети внутреннего объема корпуса. Изобретение обеспечивает упрощение конструкции и повышение качества монтажа за счет обеспечения постоянной защитной среды в зоне нагрева и за счет повышения точности совмещения кристалла и подложки. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике, в частности к технологии сборки многокристальных полупроводниковых приборов с прижимным контактом. Изобретение обеспечивает повышение надежности в работе и простоты применения за счет обеспечения заданного усилия прижима деталей. Сущность изобретения: в способе сборки многокристального полупроводникового прибора с прижимным контактом перед корпусированием сборочные детали последовательно размещают на основании модуля и прижимают прижимными узлами, включающими траверсу, в отверстия которой вставлены резьбовые шпильки с накрученными на них гайками, при этом к траверсе прикладывают внешнее усилие, равное заданному, затем закручивают гайки до упора и снимают внешнее приложенное усилие. 2 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой, оптоэлектронной технологии, квантовой электронике. Способ сборки лазерных диодных структур (активных элементов) на теплоотводящем основании из керамики нитрида бора включает нанесение на поверхность теплоотводящего основания последовательности металлических слоев, по крайне мере, металлизирующего слоя и слоя припоя, установку активного элемента на металлический слой, ориентирование его относительно основания, припаивание его при нагреве в восстановительной среде при механической нагрузке на элемент или без нее с последующим охлаждением. Согласно изобретению нанесение на поверхность теплоотводящего основания первого металлизирующего слоя осуществляют химическим способом толщиной 0,1-0,2 мкм путем осаждения металлического никеля из выдержанного электролита при следующем соотношении компонентов, мас.%: NiCl₂·6H₂O - 45÷55; NaH ₂PO₂·H₂O - 9÷13; (NH ₄)·HC₆H₅O₇ - 60÷70; NH₄Cl - 45÷55, нанесение слоя припоя SnPb (или In) осуществляют путем вакуумного напыления, а толщину слоя припоя выбирают в зависимости от размера лазерных структур. Изобретение обеспечивает упрощение процесса сборки и повышение воспроизводимости сборки, повышение надежности и качества контактного соединения, улучшение термокомпенсирующих параметров, а также возможность замены драгоценных материалов, используемых при сборке лазерных структур на теплоотводах.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ сборки полупроводниковых приборов предусматривает пайку кристаллов к корпусам, для осуществления которой используют инструмент, состоящий из двух электродов, разделенных изолятором, в изоляторе имеется трубка для соединения с вакуумной системой, а в боковой верхней части инструмента расположена втулка для подключения к компрессору для подачи защитного газа в зону пайки, в инструменте на высоте Н от рабочей площадки электродов расположены радиальные отверстия для выхода газа из зоны пайки, причем общая площадь сечений радиальных отверстий несколько меньше площади сечения внутреннего отверстия втулки, что обеспечивает избыточное давление защитного газа в зоне пайки кристалла, присоединяемый кристалл захватывают инструментом - вакуумной присоской, и размещают над припоем, расположенным на контактной площадке корпуса, отключают вакуумную систему, в результате кристалл под действием силы тяжести опускается на припой контактной площадки корпуса, давление на кристалл осуществляют потоком защитного газа, подаваемого через втулку, пайку кристаллов проводят импульсом тока, подаваемого между электродами. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости производства ППИ; упрощение конструкции инструмента для пайки; обеспечение локального нагрева корпуса при пайке кристалла; осуществление защиты расплавленного припоя от образования оксидных пленок при пайке. 4 ил.

Изобретение относится к способу и устройству неразъемного соединения интегральных цепей с субстратом. Сущность изобретения: в способе неразъемного присоединения интегральных цепей (1) к, по крайней мере, одному расположенному под ними субстрату (2) с использованием адгезива (3), размещаемого между ними и вокруг кромок интегральных цепей (1), к сборке, включающей субстрат (2) и одну из интегральных цепей (1), направляют источник света (19) с длиной волны из ряда 280-900 нм, причем источник света направляют к верхней стороне и/или нижней стороне сборки, притом что энергия такого светового воздействия (6b) полимеризации составляет, по крайней мере, 5 Люмен в секунду, преимущественно 100 Люмен в секунду. Изобретение исключает любые возможные повреждения элементов цепей при неразъемном соединении интегральных цепей с субстратом посредством адгезива. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора, включающем последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов и пайку кристалла к основанию корпуса, напыляют на посадочную поверхность кристалла два металла титан - германий, процесс проводят в едином технологическом цикле, а пайку кристалла к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса последовательно напыляют в едином технологическом цикле на посадочную поверхность кремниевого кристалла три металла: хром-никель-серебро (Cr-Ni-Ag), а пайку кристаллов к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С в течение 3-5 с. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу сборки полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающему пайку кремниевого кристалла к основанию корпуса с образованием эвтектики золото - кремний. Сущность изобретения: способ присоединения кристаллов кремниевых дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем к корпусу с образованием эвтектики кремний - золото включает размещение золотой фольги между кристаллом и основанием корпуса и соединение их пайкой. Фольгу перед пайкой отжигают в вакууме при температуре 160-250°С или в водороде при температуре 25°С и атмосферном давлении 101 кПа. Техническим результатом изобретения является повышение качества соединения кристалла с корпусом, снижение трудоемкости сборочных операций, повышение качества очистки золотой фольги и улучшение экологической ситуации.

Изобретение относится к модулю для бесконтактных чип-карт или систем идентификации. Техническим результатом является обеспечение прочности и устойчивости при их изготовлении. Модуль содержит первую и вторую антенные контактные полоски, которые соответственно имеют первую и вторую противолежащие поверхности, полупроводниковую микросхему с, по меньшей мере, двумя контактными средствами, причем, по меньшей мере, одно контактное средство контактирует с первой поверхностью первой антенной контактной полоски, а, по меньшей мере, одно другое контактное средство контактирует с первой поверхностью второй антенной контактной полоски, одну полоску клеящей пленки, которая, по меньшей мере, частично покрывает первую поверхность как первой, так и второй антенной контактной полоски, причем, по меньшей мере, одна полоска клеящей пленки нанесена вне зоны, накрытой полупроводниковой микросхемой. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Применение: для соединения керамических, полупроводниковых и металлических материалов друг с другом. Сущность изобретения: для закрепления различных элементов предложено использовать прореагировавшую боросиликатную смесь. Техническим результатом изобретения является прочное скрепление элементов на подложке при повышенных температурах и герметизация для защиты от вредных окружающих сред. 4 с. и 6 з.п. ф-лы, 9 ил.