Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....монтаж полупроводниковой подложки в корпусе – H01L 21/52

Изобретение относится к области производства изделий электроники и электротехники. Решается задача корпусирования электронных компонентов без применения опрессовки и дорогостоящей оснастки, что особенно важно при индивидуальном производстве единичных изделий электронной техники. Способ корпусирования электронных компонентов сочетает вакуумную заливку с приложением давления на компаунд, гарантирует высококачественное формообразование и повышение механических и теплотехнических характеристик изделий. Облегчен также контроль качества изделий путем применения прозрачного основания формы. Способ применим при производстве широкой гаммы изделий электроники и электротехники, а также изделий бытового назначения. 4 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий, имеющих большую площадь кристаллов. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса содержит кремниевый кристалл и медный корпус между которыми установлен буферный элемент с образованием паяного шва, при этом буферный элемент выполнен в виде сетки, нижняя сторона которой представляет набор проволок из меди и размещается в канавках основания корпуса. В канавках основания корпуса размещают медные проволоки, на которые нанесен алмазный порошок, общая площадь алмазных зерен на каждой проволоке составляет около 50% ее поверхности, а в качестве связки алмазных зерен с проволокой используют металл или сплав, который является покрытием основания корпуса, при этом алмазные зерна выступают на 20-25 мкм над основанием корпуса, а пайку осуществляют с приложением к кристаллу ультразвуковых или низкочастотных колебаний, которые направлены вдоль канавок в корпусе. Техническим результатом изобретения является: снижение непропаев в паяном шве и улучшение теплоотвода от кристалла к корпусу. 2 ил.

Изобретение относится к технологии приборов силовой электроники на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ пайки кристаллов на основе карбида кремния, включающий формирование на паяемой стороне кристалла двухслойного покрытия никель/серебро и пайку к основанию корпуса из металлизированного нитрида алюминия. На паяемые поверхности кристалла и корпуса наносят адгезионный слой, а затем металлическую связку из сплава Ni-B толщиной 3-5 мкм для формирования алмазоносного слоя из порошка алмаза с размером зерен 25-30 мкм, которые выступают над металлической связкой на 20-25 мкм, между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя, содержащего адгезионно-активные металлы по отношению к алмазу, толщина фольги припоя выбирается из условия полного заполнения зазоров между алмазными зернами, при этом алмазные зерна на кристалле и корпусе не должны соприкасаться друг с другом в расплаве припоя, а при пайке кристалл подвергают воздействию ультразвуковых колебаний. Техническим результатом изобретения является повышение теплоотвода от кристалла к корпусу. 2 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса, и размещение между кристаллом и корпусом фольги из цинка, и пайку к основанию корпуса. Новым в способе является то, что на основание корпуса наносят алюминиевую металлизацию, а пайку проводят в защитной среде при температуре 419-440°С. Техническим результатом изобретения является: исключение использования свинца при пайке, снижение себестоимости производства, упрощение технологии сборки, снижение трудоемкости изготовления, повышение температуры нагрева полупроводниковых изделий при эксплуатации. 2 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием эвтектики Al-Zn включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса и размещение между кристаллом и корпусом фольги из цинка и пайку к основанию корпуса. При этом на основание корпуса наносят алюминиевую металлизацию, между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя состава 20Zn/80Sn (вес.%), а пайку проводят в защитной среде при температуре 420-430°С. Техническим результатом изобретения является: снижение трудоемкости изготовления и повышение предельно допустимой температуры нагрева полупроводниковых приборов при их эксплуатации.

Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей. Технический результат - упрощение, повышение воспроизводимости и ускорение процесса монтажа активного элемента, повышение качества и надежности контактного соединения, увеличение точности его установки и юстировки, улучшение термокомпенсирующих параметров монтажной пластины, а также основных характеристик лазера - тепловых режимов, стабилизация длины волны и выходной мощности излучения, снижение пороговых токов. Сущность изобретения: в способе получения контактных соединений диодных лазеров и линеек, включающем нанесение на монтажную поверхность контактной пластины, по крайней мере, двух металлических слоев, последний из которых слой припоя, установку активного элемента на металлический слой, припаивание его при нагревании в восстановительной среде в условиях механической нагрузки на элемент с последующим охлаждением, в вакууме на никелированную монтажную поверхность контактной пластины, выполненной из меди, последовательно наносят слой припоя на основе SnPb и дополнительно слой индия (In) толщиной соответственно 4-6 мкм и 0,5-1,0 мкм, осуществляют припаивание в ускоренном (динамическом) режиме с временем нагрева/охлаждения t=3-5 мин при температуре T_max>T_ликв+(50-70)°С, где Т_ликв - температура ликвидуса припоя.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для присоединения полупроводникового кристалла к корпусу методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава Au-Si при производстве транзисторов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: в способе монтажа кремниевых кристаллов полупроводниковых приборов на покрытую золотом поверхность корпуса с нанесенным на обратную сторону кристалла слоем, в качестве слоя на обратную сторону кристалла наносят тонкий слой аморфного кремния толщиной 15-60 нм. Изобретение направлено на повышение теплофизических свойств СВЧ-транзисторов большой мощности. 1 табл.

Изобретение относится к области изготовления БИС и СБИС, имеющих большую площадь кристаллов, путем бесфлюсовой пайки в вакууме, водороде, аргоне, формир-газе и др. Оно может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусы силовых полупроводниковых приборов путем пайки различными припоями. Сущность изобретения - система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса содержит кремниевый кристалл и медный корпус, между которыми установлен буферный элемент с образованием паяного шва. Буферный элемент выполнен в виде сетки, нижняя сторона сетки представляет собой набор проволок из меди, а верхняя сторона - проволоки из Мо, W или их сплавов, при этом нижняя сторона сетки размещена в канавках основания корпуса, которые имеют форму равнобочных трапеций с размером в нижней части 1,0d, в верхней 1,2d и глубиной 1,0d, где d - диаметр проволоки нижней стороны сетки, а диаметр проволок верхней стороны сетки выбран из условия получения заданной толщины паяного шва. Изобретение позволяет обеспечить снижение непропаев в паяном шве, повышение прочности паяного соединения, улучшение теплоотвода от кристалла к корпусу, снижение термических напряжений в системе кристалл - паяный шов - корпус. 2 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса и пайку к основанию корпуса. Между кристаллом и корпусом размещают фольгу из цинка, а пайку проводят при температуре 382-419°С. Техническим результатом изобретения является: исключение использования свинца при пайке, снижение себестоимости производства ППИ, повышение надежности паяных соединений, снижение трудоемкости изготовления ППИ. 2 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий электронной техники и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем пайки припоями, не содержащими свинец. Сущность изобретения: способ бессвинцовистой пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение цинка на паяемую поверхность кристалла и пайку к основанию корпуса, покрытому оловом. На пленку цинка дополнительно наносят оловянно-висмутовое покрытие с содержанием висмута 0,4-0,9%. Техническим результатом изобретения является исключение использования свинца при пайке, повышение коррозионной стойкости покрытия паяемой поверхности кристалла, улучшение смачиваемости оловом поверхности кристалла при температуре пайки, повышение надежности полупроводниковых приборов за счет уменьшения площади непропаев в паяном шве.