Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ........состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла – H01L 21/473

Изобретение относится к области получения структур, используемых, например, для изготовления полевых транзисторов и элементов памяти, необходимых для применения в микроэлектронике, системотехнике. Предложен способ получения пористых слоев оксида алюминия на изолирующих подложках. Способ заключается в том, что анодное окисление тонких слоев алюминия в водном растворе кислоты выполняют в два этапа. Первоначально на поверхности слоя алюминия формируют пленку плотного оксида алюминия путем анодного окисления поверхности этого слоя в электролите, нейтральном к оксиду алюминия. На втором этапе осуществляют локальный электрический пробой этой пленки путем подачи на катод импульса напряжения в электролите, растворяющем оксид алюминия, после чего продолжают анодное окисление алюминия в том же электролите при постоянном напряжении катода. На этом этапе фронт окисления алюминиевой пленки распространяется от зоны локального пробоя плотного оксида к периферии, что обеспечивает ориентацию пар в направлении нормали к поверхности слоя и отсутствие остаточных изолированных областей неокисленного алюминия на границе раздела оксид алюминия - изолирующая подложка. Предложенный способ позволяет получить пористые слои анодного оксида алюминия на изолирующих подложках, на границе раздела которых с изолирующей подложкой отсутствуют остаточные области неокисленного алюминия, а поры ориентированы в направлении нормали к поверхности слоя, что позволило бы использовать полученные структуры для изготовления транзисторных структур с матричным затвором или нанокомпозитным затворным изолятором. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.