Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление – H01L 21/465
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/465 ......обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ И РТУТИ Использование: в области полупроводникового материаловедения, преимущественно в технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является сохранение объемных и поверхностных электрофизических свойств теллурида кадмия и ртути в процессе очистки и повышение надежности способа. Сущность изобретения: для удаления с поверхности теллурида кадмия и ртути кластеров ртути образец полупроводника перед обработкой в вакууме помещают в сосуд, заполненный водородом и экспонируют в нем при комнатной температуре. 1 ил. | 2152109 патент выдан: опубликован: 27.06.2000 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА ПОДЛОЖКАХ CdXHg1XTe Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и может найти применение для создания матриц, например, п-р переходов или других полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления матриц полупроводниковых приборов на подложках CdxHg1-xTe включает в себя химическую полировку в бромном травителе, промывку поверхности в органических растворителях, нанесение диэлектриков и напыление металла, причем после травления и промывки поверхности в органических растворителях поверхность подложек обрабатывают во фторсодержащем водном растворе с концентрацией фтора 3 - 20% с последующей промывкой в воде. Предлагаемый способ позволяет достаточно простым дешевым способом, не требующим дополнительных трудоемких и дорогостоящих операций и оборудования, изготовлять матрицы стабильных однородных приборов с достаточно высокими параметрами. 4 ил. | 2097871 патент выдан: опубликован: 27.11.1997 |
|
| СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ - РТУТИ Использование: технология химической обработки и пассивации поверхности полупроводников. Сущность изобретения: образец подвергают химическому травлению, формируют пассивирующую пленку в окислительном растворе и промывают в деионизованной воде. Окислительный раствор готовят при следующем соотношении компонентов, об. % : пероксид водорода (30%-ный водный раствор) 10 - 90, азотная кислота (70%-ный водный раствор) 10 - 90. Обработку в окислительном растворе проводят в течение 8 - 20 мин. | 2022401 патент выдан: опубликован: 30.10.1994 |
|
| ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ ДИФТОРИДА БАРИЯ Использование: микроэлектроника, предэпитаксиальная обработка подложек из дифторида бария при изготовлении фотоприемных устройств. Сущность изобретения: полирующий травитель для обработки кристаллов дифторида бария содержит бромистоводородную кислоту 10 - 50 об. % и глицерин 50 - 90 об. % . | 2006981 патент выдан: опубликован: 30.01.1994 |
|