Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов – H01L 21/441

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного обращаемого фоторезиста, который после экспонирования через фотошаблон с рисунком микроконтактов подвергается специальной термической обработке (обращение изображения) с последующим сплошным экспонированием и проявлением; на полученную фоторезистивную маску с отрицательным профилем напыляют слой индия; затем растворяют слой фоторезиста с одновременным отслаиванием слоя индия в зазорах между микроконтактами (процесс «взрыва»), оставляя последний на металлических площадках. Технический результат: упрощение технологии и сокращение времени изготовления индиевых микроконтактов методом обратной фотолитографии. 6 ил.

Изобретение относится к наноструктурам с высокими термоэлектрическими свойствами. Предложена одномерная (1D) или двумерная (2D) наноструктура, являющаяся нанопроволокой из кремния, полученной методом безэлектролизного травления или выращенной методом VLS (пар-жидкость-кристалл). Наноструктура имеет шероховатую поверхность и содержит легированный или нелегированный полупроводник. Предложены варианты способа вырабатывания электрического тока с использованием заявленных наноструктур, а также варианты устройств для термоэлектрического преобразования с их использованием. Технический результат - предложенная наноструктура может быть размещена между двумя электродами и эффективно использована для термоэлектрического генерирования мощности или для термоэлектрического охлаждения. 18 н. и 30 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 пр.

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из индий-сурьма (InSb). Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на поверхность пластины с металлическими контактами наносят первый и второй толстые слои позитивного фоторезиста толщиной 5-7 мкм, наносят первый тонкий слой позитивного фоторезиста толщиной 1-2 мкм, проводят фотолитографию для формирования меток совмещения, наносят металлический слой, наносят второй тонкий слой фоторезиста, проводят фотолитографию под In столбики по металлическому слою, осуществляют травление металлического слоя в кислотном травителе и проводят плазмохимическое травление тонкого слоя фоторезиста и толстых слоев фоторезиста до поверхности металлических контактов, напыляют пленку индия для формирования на металлических контактах индиевых столбиков и удаляют ранее нанесенные слои. Способ позволяет упростить технологию и повысить однородность размеров индиевых столбиков. 10 ил.

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией для микросборок интегральных схем и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на пластину с металлическими контактами последовательно наносят первый слой фоторезиста, первый металлический слой, второй слой фоторезиста и второй металлический слой, затем проводят фотолитографическую обработку под In столбики с травлением второго металлического слоя, проводят экспонирование ультрафиолетовым излучением второго слоя фоторезиста и проявление для получения отрицательного угла до первого металлического слоя, осуществляют травление первого металлического слоя и первого слоя фоторезиста до верхней поверхности металлических контактов, на пластину напыляют пленку In, удаляют второй слой фоторезиста с металлической индиевой пленкой на нем, травят первый металлический слой и растворяют первый слой фоторезиста. Техническим результатом изобретения является создание экологически безопасной простой технологии. 12 ил.

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят фотолитографическую обработку по слою индия с последующей сушкой в термостате или на горячей подложке. Режут временную подложку на кристаллы-доноры и осуществляют травление слоя индия до фоторезиста, в результате чего на кристалле-доноре сформировались индиевые столбики. Экспонируют кристаллы УФ-излучением и растворяют облученные слои фоторезистивной маски с индиевых столбиков и фоторезист между индиевыми столбиками. При этом фоторезист под столбиками не растворяется. Производят стыковку контактов рабочего кристалла и индиевых столбиков кристалла-донора, после чего состыкованные кристаллы обрабатываются в растворителе фоторезиста так, что кристалл-донор отделяется и индиевые столбики остаются на рабочем кристалле. Необходимую высоту индиевых столбиков на рабочем кристалле можно обеспечить неоднократным повторением переноса индиевых столбиков с кристалла-донора. Изобретение позволяет сохранить исходные электрофизические свойства ИК-материала. 2 з.п. ф-лы, 8 ил.