Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение – H01L 21/428

Использование: для расширения области спектральной чувствительности фоторезисторов инфракрасного диапазона, что позволит корректировать область чувствительности инфракрасных фоторезисторов без демонтажа оптикоэлектронных систем, их содержащих, и без их замены. Сущность: коррекция производится прямым фронтальным воздействием импульса лазера с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны материала не менее чем на 0,1 E_g, на чувствительный элемент полупроводникового фоторезистора на основе твердого раствора. Технический результат: повышение равномерности спектральной характеристики за счет повышения чувствительности фотоприемника в коротковолновой области спектра. 3 ил.

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. Технический результат - повышение производительности и снижение энергоемкости производства за счет снижения максимальной температуры обжига (с 1600-1700°С до 1000-1100°С) и соответственно его времени и замены высокотемпературной стадии обжига лазерным уплотнением поверхности. Достигается тем, что подложка после низкотемпературного обжига и лазерного фрезерования канавок для пасты подвергается сканированию лазерным лучем с площадью