Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....воздействие излучением – H01L 21/42
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для скрайбирования полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов. Способ обработки неметаллических материалов согласно изобретению заключается в облучении поверхности материала импульсным лазерным излучением, при этом лазерный импульс формируют с плотностью энергии, определяемому по соотношению, связывающему удельную энергию сублимации материала; показатель поглощения материала на длине волны воздействующего лазерного излучения и коэффициент отражения материала. Способ применяется для снижения энергетических затрат при обработке неметаллических материалов лазерным излучением. |
2486628 патент выдан: опубликован: 27.06.2013 |
|
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ БИНАРНЫХ И МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Изобретение относится к области электронной промышленности и может быть использовано в технологии микро- и наноэлектроники для получения атомарно-гладких поверхностей и совершенных эпитаксиальных структур на разориентированных поверхностях образцов. Сущность изобретения: в способе подготовки поверхности бинарных и многокомпонентных материалов на подготовленную поверхность образца наносят рабочий слой толщиной 1÷150 мкм, включающий не менее одного компонента, где, по крайней мере, один из компонентов в состоянии жидкой фазы растворяет материал образца, при этом компоненты рабочего слоя подбирают с такими температурными коэффициентами расширения, при которых не происходит разрушение образца в течение технологического процесса, а также легко удаляются с поверхности образца и не оставляют трудноудаляемый шлам, образец подогревают в вакууме при давлении не более 5·10-3 Па до температуры (0,8·Тп±50)°С (Тп - температура пластичности материала образца), выдерживают 2-5 мин и обрабатывают ленточным параксиальным энергетическим лучом при удельной мощности (1,0-20,0)·10 4 Вт/см2, скорости 5-100 см/с, охлаждают до комнатной температуры и удаляют рабочий слой с поверхности образца. Изобретение обеспечивает получение атомарно-гладкой и структурированной поверхностей, сокращение длительности технологического процесса обработки. 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл. |
2389109 патент выдан: опубликован: 10.05.2010 |
|
СПОСОБ ОБРАБОТКИ МАГНИТООПТИЧЕСКИХ УПРАВЛЯЕМЫХ ТРАНСПАРАНТОВ НА ОСНОВЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК (BI, GA)- СОДЕРЖАЩИХ ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ
Изобретение относится к магнитной микроэлектронике, в частности к методам обработки эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (ЭМПФГ), а также приборов на их основе, и может быть использовано для улучшения эксплуатационных параметров последних. Технический результат - снижение разброса пороговых полей переключения ячеек и повышение быстродействия магнитооптических управляемых транспарантов (МОУТ). Транспаранты облучают быстрыми электронами энергии Еe = (4 - 7) МэВ при плотности потока  e = (2 - 6) 1012 см2с-1 до флюенса Фe = (1 - 5)  1016 см-2 (причем облучение проводят по всей поверхности транспаранта и с его нерабочей стороны), а после этого отжигают в атмосфере кислорода при температуре 150 - 300°С в течение 1 - 2 ч. 2 ил.
|
2150768 патент выдан: опубликован: 10.06.2000 |
|
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ФЕРРИТГРАНАТОВЫХ ПЛЕНОК
Использование: в области магнитной микроэлектроники. Сущность: структуры облучают  -квантами Co60 до дозы D = 8 107 Гр непрерывно, а по достижении этой дозы - с последующим измерением интервалов полей коллапса через каждые (1,5 - 2,5)107 Гр при мощности дозы облучения PD = 5 - 25 Гр/с до полного подавления жестких цилиндрических магнитных доменов. 2 ил., 1 табл.
|
2073934 патент выдан: опубликован: 20.02.1997 |
|