Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления – H01L 21/363
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА
Изобретение относится к оптоэлектронике, электронике, солнечной энергетике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем. Сущность изобретения: способ выращивания слоев оксида цинка из сублимирующегося источника паров осуществляют зонной сублимационной перекристаллизацией в две стадии - на плоской подложке с оптически гладкой поверхностью формируют слой цинка толщиной от 1-10 мкм при давлении остаточных газов в рабочей камере 10-3 Па, скорости сублимации цинка V0=100-120 мкм/ч и температуре 620-650 К, а перепад температуры между источником цинка и подложкой составляет 140-160 К, при этом вакуумная микроячейка имеет максимальную толщину 500-600 мкм, затем заменой сублимирующегося источника паров цинка на источник паров кислорода выращенные слои подвергают окислению при температуре 570-600 К. Способ обеспечивает получение отделяемых от подложки слоев оксида цинка увеличенной толщины и площади. |
2384914 патент выдан: опубликован: 20.03.2010 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает снижение технологического брака и повышение эффективности производства приборов с заданными параметрами. Сущность изобретения: в способе изготовления приборов на основе арсенида галлия, включающем формирование контактов, фотолитографию, скрайбирование пластин на отдельные кристаллы и термокомпрессионную сборку в корпус, после сборки в корпус проводят облучение протонами с энергией в интервале от 10 до 60 МэВ, при этом дозу облучения выбирают в интервале от 1·105 Рад (GaAs) до 1·10 6 Рад (GaAs), а после облучения проводят токовую тренировку в непрерывном режиме питания при температуре 85±5°С в течение 10-24 часов. 2 ил. |
2318270 патент выдан: опубликован: 27.02.2008 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Изобретение обеспечивает снижение технологического брака и повышение эффективности производства приборов с заданными параметрами. Сущность изобретения: в способе изготовления приборов на основе арсенида галлия, включающем формирование контактов, фотолитографию, скрайбирование пластин на отдельные кристаллы и термокомпрессионную сборку в корпус, после сборки в корпус проводят облучение протонами с энергией в интервале от 10 МэВ до 60 МэВ, при этом дозу облучения выбирают в интервале от 1·105 Рад (GaAs) до 1·10 6 Рад (GaAs), а после облучения проводят термическую обработку при температуре 200±20°С в течение 30-60 мин. 2 ил. |
2318269 патент выдан: опубликован: 27.02.2008 |
|
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОТРУБОК
Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах. В способе создания нанотрубок, заключающемся в том, что на подложку наносят жертвенный слой, на жертвенном слое формируют слой, образующий нанотрубку, формируют окна, жертвенный слой удаляют, сворачивая при этом нанотрубку, жертвенный слой изготавливают из металла, на котором в качестве слоя, образующего нанотрубку, формируют слои из металлов, имеющих различные коэффициенты термического расширения и модули Юнга. В качестве подложки используют пластину из полупроводника, или из полупроводника IV группы, или из кремния. Для слоя, образующего нанотрубку, используют металлы, коэффициенты термического расширения и модули Юнга которых различаются на величину 5,9
|
2238239 патент выдан: опубликован: 20.10.2004 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАЗИБИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР ОКСИДА ЦИНКА
Использование: в электронном материаловедении. Сущность: методом магнетронного распыления с использованием маски наносят тонкий текстурированный слой базисной ориентации на часть монокристаллической подложки  Al2O3, температура которой не превышает 500 К. Выращивают на всей поверхности подложки методом химических транспортных реакций эпитаксиальные слои, обеспечивающие формирование выраженного структурного перехода (0001) ZnO и  ZnO. Технический результат изобретения заключается в получении квазибикристаллических структур оксида цинка. 2 ил.
|
2202138 патент выдан: опубликован: 10.04.2003 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СЛОЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО II-VI ГРУПП
Изобретение относится к области технической физики. Сущность: способ изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на полупроводнике (пп) II-VI групп в камере молекулярно-лучевой эпитаксии, в качестве источника элемента VI группы выбирают: источник элемента Хm, где m<6; источник элемента Sem, где m<6; термически расщепленный Se. Легирующую примесь p-типа вводят в виде свободных радикалов, например группы V, свободные радикалы из группы, состоящей из N, As, P. При этом указанный слой из пп нагревают до температуры, достаточно высокой для поддержания роста кристаллов, но ниже 250°С, и в качестве варианта ниже 130-200°С. И полупроводниковое устройство II-VI групп, которое может быть использовано в лазерном диоде, включающее слой p-типа из пп II-VI групп, на первой стороне которого расположен омический контактный слой из кристаллического пп p-типа II-VI групп, легированный акцепторами поверхностного уровня энергии, например акцепторами азота, для обеспечения чистой концентрации акцепторов 1 1017см-3, или 11018см-3, или 11019см-3, и электропроводный электродный слой, характеризующийся энергией Ферми. Омический контактный слой имеет достаточно глубокие акцепторные уровни, достаточные для работы устройства при напряжениях на контактном слое менее 2 В. Причем слой p-типа из пп II-VI групп может быть выполнен из ZnSe, а электродный слой может включать слой материала, например металла, имеющего работу выхода по меньшей мере 5 В. Техническим результатом изобретения является создание нового способа изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на пп II-VI групп и создание пп устройства II-VI групп с использованием этого способа, например зелено-синего лазерного диода с длиной волны от 590 до 430 нм. 2 с. и 16 з.п.ф-лы, 14 ил.
|
2151457 патент выдан: опубликован: 20.06.2000 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА НА НЕОРИЕНТИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ
Использование: в электронной технике. Сущность: предложен способ получения монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках из стекла, керамики, плавленого кварца, тугоплавкого металла или полупроводника с отличными от оксида цинка постоянными решеток - методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обеспечения автоэпитаксии на поверхность неориентирующей подложки предварительно методом магнетронного распыления наносят оптимизированный промежуточный слой оксида цинка толщиной 200-1000  представляющий собой текстуру базисной ориентации вне зависимости от ориентирующих свойств подложек. Техническим результатом изобретения является получение эпитаксиальных слоев ZnO на неориентирующих подложках методом ХТР с высоким структурным совершенством, однородностью и очень гладкой поверхностью. 1 ил.
|
2139596 патент выдан: опубликован: 10.10.1999 |
|
10-6К-1 и 30 ГПа соответственно, а именно используют биметаллический слой из титана и золота при суммарной толщине слоем титана и золота от 12 до 100 нм. Сворачивают слой в нанотрубку диаметром от 400 нм до 20 мкм. Результатом является микроминиатюризация микроэлектромеханических устройств на кремнии, что приводит к повышению их надежности, быстродействия, чувствительности и степени интеграции. 11 з.п. ф-лы, 2 ил.