Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание – H01L 21/36

Изобретение относится к технике, используемой для нагревания полупроводниковой подложки при выращивании тонких эпитаксильных пленок методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сущность изобретения: в электрическом контакте нагревателя полупроводниковой подложки ростового манипулятора вакуумной камеры для выращивания полупроводниковых гетероструктур, содержащем контактный винт с гайкой, при этом нагреватель содержит основание с отверстиями под винты, выполненное из пиролитического нитрида бора, и размещенную на нем нагревательную спираль, выполненную из пиролитического графита, контактный винт и гайка выполнены из металла, при этом гайка подпружинена относительно основания нагревателя пружинным элементом из пиролитического нитрида бора. Пружинный элемент может быть выполнен в виде диска с центральным отверстием, в котором с зазором размещен винт, при этом диск контактирует с гайкой, а между диском и основанием нагревателя размещено упорное кольцо, контактирующее с периферией диска. Обеспечивается упрощение изготовления электрического контакта и возможность значительного уменьшения его размеров, в результате уменьшаются габариты ростового манипулятора и уменьшается минимально возможное расстояние между полупроводниковой подложкой и нагревателем, что позволяет уменьшить выделение тепла в вакуумной камере. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, а именно фоточувствительных пленок селенида свинца, используемых для изготовления фотодетекторов ИК-излучения в диапазоне длин волн 1-5 мкм. Сущность изобретения: способ сенсибилизации химически осажденных пленок селенида свинца к ИК-излучению заключается в нагреве пленок в атмосфере воздуха в негерметично закрытой емкости. Термообработку проводят при соотношении объема емкости и площади поверхности обрабатываемых пленок, равном 20-40, причем нагрев ведут в присутствии порошка селена. Техническим результатом изобретения является разработка способа сенсибилизации химически осажденных пленок PbSe к ИК-излучению, обеспечивающего достижение высоких значений вольтовой чувствительности и обнаружительной способности для использования их без охлаждения или при неглубоком охлаждении. 3 табл.

Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных оксидных пленок, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения эпитаксиальных пленок оксидных соединений, заключающемся в создании на поверхности монокристаллических подложек слоев пленки с измененным по отношению к подложке химическим составом путем нагрева подложки в воздушной атмосфере и последующим охлаждением до комнатной температуры, подложка содержит химические компоненты целевой пленки, а нагрев проводят в интервале температур T₁-Т ₂, где T₁ - нижняя температура образования термодинамически стабильного соединения, из которого состоят слои целевой пленки, а Т₂ - температура начала его распада, при этом в результате нагрева происходит диффузия компонентов подложки к поверхности, сопровождаемая их химическим взаимодействием и ориентацией формирующихся в результате этого взаимодействия оксидных соединений на подложке с созданием слоя целевой пленки заданной толщины. Способ позволяет упростить получение эпитаксиальных пленок сложного состава в широком диапазоне толщин и повысить их качество за счет высокой адгезии и стехиометрии состава. 3 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к способам получения эпитаксиальных пленок, и может быть применено в области микроэлектроники, акусто- и оптоэлектроники, а также в производстве полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения эпитаксиальных пленок, заключающемся в создании на поверхности монокристаллических подложек слоев пленки с измененным по отношению к подложке химическим составом путем нагрева подложки в вакууме и последующим охлаждением до комнатной температуры, подложка содержит химические компоненты целевой пленки, а нагрев проводят в интервале температур T₁-Т ₂, где T₁ - нижняя температура образования термодинамически стабильного соединения, из которого состоят слои целевой пленки, а Т₂ - температура начала его распада, при этом в результате нагрева происходит диффузия компонентов подложки к поверхности, сопровождаемая их химическим взаимодействием и ориентацией образующихся в результате этого взаимодействия соединений на подложке с созданием слоя целевой пленки заданной толщины. Изобретение позволяет упростить получение стабильных эпитаксиальных пленок сложного состава в широком диапазоне толщин и повысить их качество за счет высокой адгезии и стехиометрии состава. 2 з.п. ф-лы.