Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......из органических веществ, например слоев фоторезиста – H01L 21/312

Изобретение относится к оборудованию для электронной промышленности, а именно к оборудованию для нанесения фоторезиста на подложки методом центрифугирования. Технический результат - уменьшение времени изготовления и увеличение выхода годных изделий - достигается тем, что устройство для нанесения фоторезиста содержит защитный корпус с крышкой, держатель подложек, гайки, вал центрифуги. Защитный корпус закреплен на валу центрифуги. Держатель подложек установлен на вал центрифуги и закреплен гайками. Держатель подложек содержит основание, крышку, ограничительные штифты и заливочные отверстия. На внутренних поверхностях основания и крышки держателя выполнены сквозные пазы со ступенчатой боковой поверхностью для установки подложек. На периферийных частях держателя подложек установлены ограничительные штифты. В крышке держателя подложек выполнены дозировочные отверстия. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано при нанесении фоторезиста на полупроводниковые пластины, а также другие подложки в процессе выполнения операций фотолитографии. Сущность изобретения: устройство для нанесения фоторезиста на подложки, содержащее камеру для нанесения, подложкодержатель с приводом его вращения, установленный в ванне для нанесения фоторезиста, блок подачи фоторезиста с дозатором и соплом, соединенным с рабочей емкостью для фоторезиста, дополнительно снабжено блоком загрузки-выгрузки рабочей емкости с фоторезистом, блоком загрузки-выгрузки подложек, транспортером с носителем подложек, установленным на штанге держателя в камере для нанесения с возможностью вертикального и горизонтального перемещения, при этом блок загрузки-выгрузки рабочей емкости для фоторезиста содержит корпус с крышкой, на которой установлен кожух и подвижная платформа для размещения емкости, выполненные с внутренними полостями для заполнения буферной жидкостью, а в стенке кожуха выполнен патрубок для размещения датчика контроля количества фоторезиста в рабочей емкости, а на крышке корпуса закреплен заборник фоторезиста. Конструкция предложенного устройства обеспечивает повышение качества наносимого слоя фоторезиста, расширение технологических возможностей устройства, повышение надежности устройства и удобство обслуживания. 4 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам нанесения фоторезиста на кремниевую подложку для проведения технологических процессов фотолитографии. Техническим результатом изобретения является получение равномерного распределения фоторезиста по поверхности подложки и нанесение фоторезиста без включений различных загрязнений. Сущность изобретения: в способе нанесения фоторезистивного слоя на подложку проводят предварительную обработку подложек в ИК - сушке в печи при температурах 75±5°С, 85±5°С, 105±5°С и времени, равном 4±1 минуты, нанесение фоторезистивного слоя осуществляют методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя 10±5 мкм; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика V_I=950±50 об/мин, V_II=2800±200 об/мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста толщиной - _Ф/С=1,3±0,1 мкм, при этом разброс по толщине пленки слоя фоторезиста на подложках составляет 2,5±0,5%.

Использование: в полупроводниковой технологии наноприборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si для обеспечения проводимости нанослоев. Сущность изобретения: в способе электрической пассивации поверхности полупроводника проводят подготовку поверхности полупроводника к пассивированию, промежуточную пассивацию, обеспечивающую условия для осаждения пассивирующего монослоя, и нанесение монослоя 1-алкена, в частности, 1-октадецена. Нанесение проводят при фотостимулировании или термостимулировании, в режиме, обеспечивающем заряд в монослое менее 10¹¹ см^-2, или сопровождают завершающей термообработкой, уменьшающей величину заряда, приводящего к поверхностному изгибу зон. Без завершающей термообработки фотостимулирование проводят 1,5÷2,5 часа на длине волны 265 нм, при мощности 18 Вт/см² и расстоянии от источника ультрафиолета до подложки 2÷4 см, а термостимулирование - 12÷18 часов при 150÷170°С. С завершающей термообработкой, соответственно, 1÷5 часов на длине волны 265 нм, мощности 18 Вт/см² и расстоянии источника ультрафиолета до подложки 1÷10 см и - 6÷18 часов при 110÷180°С, а завершающую термобработку осуществляют при 180÷260°С, 10÷30 мин. Промежуточную пассивацию осуществляют посредством водорода или сначала водорода, а затем иода, или брома, или фтора. Достигается стабильность эффекта электрической пассивации и улучшения свойств границы раздела между монослоем и полупроводником. 9 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии тонкопленочных приборов. Сущность изобретения: способ получения фторполимерного слоя на тонкопленочном приборе включает: а) подачу фтормономера в газовой фазе и инициатора в газовой фазе свободной радикальной полимеризации к указанному тонкопленочному прибору, b) смешивание указанного фтормономера в газовой фазе и указанного инициатора в газовой фазе свободной радикальной полимеризации для образования газофазной смеси указанного фтормономера и указанного инициатора свободной радикальной полимеризации, c) контактирование указанного тонкопленочного прибора с указанной газофазной смесью указанного фтормономера и указанного инициатора свободной радикальной полимеризации, и d) инициирование полимеризации указанного фтормономера с указанным инициатором свободной радикальной полимеризации, посредством чего указанный фтормономер полимеризуется с образованием указанного фторполимерного слоя на указанном тонкопленочном приборе. Заявленный способ позволяет получить равномерные пленки с необходимыми свойствами способом химического парового осаждения. 7 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, обеспечивающим модель диэлектрической проницаемости, используемой в качестве изоляционных материалов или конденсатора для схемных плат. Описывается чувствительная к излучению композиция с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, содержащая расщепляющееся соединение (А), нерасщепляющееся соединение (В), представляющее собой соединение, устойчивое к кислоте, вызываемой источником кислоты веществом (С), и обладающее диэлектрической проницаемостью, или соединение, устойчивое к основанию, вызываемому источником основания веществом (С), и обладающее диэлектрической проницаемостью, в количестве 5-90 мас.ч. по отношению к 100 мас.ч. компонента (А) и компонента (В) вместе. Предложенная композиция обеспечивает достаточно большое различие между исходной и измененной диэлектрической проницаемостью, при этом полученные на основе этой композиции модель диэлектрической проницаемости и оптический материал обладают значительной стабильностью независимо от условий применения. 6 н. и 9 з.п. ф-лы, 2 табл.

Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к процессам фотолитографии при нанесении фоторезиста на пластины, а также может использоваться при получении других полимерных покрытий центрифугированием. Техническим результатом изобретения является устранение разрывов пленки при формировании покрытия в случае отклонения коэффициента поверхностного натяжения жидкости от исходного значения. Сущность изобретения: устройство для нанесения покрытия на пластины центрифугированием содержит центрифугу для размещения на ее рабочей поверхности пластины, блок датчиков регистрации радиуса разрыва пленки, запоминающее устройство, сумматор, формирующий сигнал рассогласования текущего значения разрыва пленки с заданным в запоминающем устройстве значением диаметра пластины, блок определения коэффициента поверхностного натяжения, блок расчета подаваемой дозы, устройство управления центрифугой, дозатор. Блок датчиков регистрации радиуса разрыва пленки связан через сумматор и через блок определения коэффициента поверхностного натяжения с блоком расчета подаваемой дозы, выходной сигнал с которого подается на дозатор, при этом блок расчета подаваемой дозы связан с устройством управления центрифугой, которое в свою очередь связано с центрифугой. 1 ил.