Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......последующая обработка – H01L 21/3105

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А₃В₅. Сущность изобретения: структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A₃B₅ содержит полупроводниковую подложку А₃В₅, расположенный на ее рабочей поверхности диэлектрический слой, являющийся анодным окислом, полученный анодированием подложки в плазме тлеющего разряда, и напыленный слой металла на диэлектрический слой. Диэлектрический слой выполнен туннельно-тонким, в составе слоев - слоя окисла материала подложки и слоя окисла материала катода, используемого при анодировании в плазме, диэлектрическому слою свойственна граница раздела с подложкой с плотностью поверхностных состояний на границе раздела полупроводниковая подложка-диэлектрик менее 5·10¹⁰ см^-2 эВ^-1. Изобретение обеспечивает расширение области применения и функциональных возможностей, повышение качества, воспроизводимости электрофизических параметров МДП-структуры, снижение толщины диэлектрического слоя до туннельно-тонких толщин и улучшение его пассивирующих свойств. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. Сущность изобретения: в способе защиты поверхности кристаллов р-n-переходов на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с р-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которой входят 63% окиси кремния - SiO₂; 20% окиси бора - В₂О₃ ; 7,5 окиси лития - Li₂О₃ и 5% окиси алюминия - Аl₂О₃. После термообработки в вакууме при температуре 280±10°С в течение 15±5 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 1,0 мкм. После чего на поверхности кристаллов наращивается пленка SiO₂ разложением этилокремниевой кислоты. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 800°С.