Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии, последующая обработка этих слоев, выбор материалов для этих слоев – H01L 21/31

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения - в способе изготовления полупроводникового диода для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько слоев, наносимые методом химического парофазного осаждения, а именно: диоксид кремния, фосфорно-силикатное стекло, снова диоксид кремния и полуизолирующий аморфный кремний =Si:O толщиной 0,5 мкм, при этом слой полуизолирующего аморфного кремния наносят при атмосферном давлении и температуре 650°C, в качестве носителя используют азот, а соотношение газовой смеси H₂O и SiH₄ составляет N ₂O/SiH₄=0,2. Технический результат изобретения - повышение напряжения пробоя приборов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии полупроводниковых структур. Сущность изобретения: в способе изготовления диэлектрической пленки для полупроводниковых структур электронной техники, включающем формирование, по меньшей мере, одного слоя заданного диэлектрического материала пленки посредством плазмохимического осаждения с заданным режимом автосмещения, перед плазмохимическим осаждением упомянутого основного слоя заданного диэлектрического материала пленки формируют дополнительный слой из диэлектрического материала - диоксида кремния толщиной, равной 0,01-0,15 мкм, посредством химического осаждения из газовой смеси моносилана и кислорода, при этом химическое и плазмохимическое осаждение диэлектрического материала каждого из слоев пленки - дополнительного и основного осуществляют при температуре 80-180°С. Техническим результатом изобретения является сохранение характеристик полупроводниковых структур путем максимально возможного исключения нарушения полупроводниковой структуры в процессе изготовления диэлектрической пленки, расширение функциональных возможностей и упрощение способа при сохранении характеристик самой диэлектрической пленки. 5 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно к получению нанострукгурированных тонкопленочных материалов с заданными свойствами для микро- и наноустройств: микро- и наносенсоров, чипов, фотонных кристаллов и т.д. Сущность изобретения: в способе получения упорядоченных наноструктурированных пленок на основе наночастиц путем структурирования подложки и последующего нанесения на него слоя сферических наночастиц материала пленки методом центрифугирования наночастиц из дисперсии, структурирование подложки осуществляют путем нанесения на подложку слоя сферических наночастиц большего диаметра, чем наночастицы материала пленки, методом центрифугирования. Изобретение обеспечивает более тонкое структурирование подложки. 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 табл.