Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .......с использованием масок – H01L 21/308

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур и может быть использовано в нанотехнологии, микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем и запоминающих устройств. Изобретение направлено на обеспечение формирование монокристаллических нанопроводников заданной геометрии в матрице собственного оксида. Способ формирования монокристаллических нанопроводников в матрице из собственного оксида включает нанесение на поверхность монокристаллической пластины маски с требуемой топологией формируемого монокристаллического нанопровода, травление открытых участков монокристаллической пластины с обеспечением отрицательных углов наклона стенок вытравливаемых углублений к исходной поверхности без нарушения сплошности материала пластины и последующее окисление монокристаллической пластины до смыкания оксида вокруг сохраненного в виде выступа проводящего вещества. Указанный результат достигается также тем, что перед проведением процесса окисления производится полное или частичное удаление маски. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способу формирования рельефа из электронных и фотонных материалов и структурам и устройствам, изготовленным с использованием этого способа. Способ формирования рельефа из электронного или фотонного материала на подложке включает обработку поверхности подложки путем осаждения слоя модификации поверхностной энергии и структурирования упомянутого слоя модификации поверхностной энергии, чтобы обеспечить упомянутую поверхность рисунком, определяющим, где должен присутствовать упомянутый электронный или фотонный материал, формирование пленки из упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке, причем пленка заполняет упомянутый рисунок, перекрывает края упомянутого рисунка и имеет области, простирающиеся за упомянутые края упомянутого рисунка, и наслоение адгезива на нижележащий материал и отрывание указанного адгезива для избирательного удаления областей упомянутого электронного или фотонного материала из упомянутой пленки с оставлением на упомянутой подложке упомянутого структурированного электронного или фотонного материала и упомянутого слоя модификации поверхностной энергии. Изобретение обеспечивает создание новой простой технологии формирования рельефа, которая позволяет структурировать полупроводниковые полимеры с высоким разрешением. 7 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к жидкой композиции, способу получения кремниевой подложки и к способу получения подложки для головки для выброса жидкости. Сущность изобретения: жидкая композиция, используемая для проведения анизотропного травления кристалла кремниевой подложки, снабженной маской для травления, формируемой из пленки оксида кремния, включает гидроксид цезия, щелочное органическое соединение и воду, в которой отношение по массе гидроксида цезия к массе жидкой композиции составляет 1% мас. до 40% мас. включительно. Изобретение обеспечивает повышение скорости анизотропного травления кремния при снижении травления пленки оксида кремния, используемой в качестве маски. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл., 8 пр.

Изобретение относится к технологии изготовления упругих элементов микроэлектромеханических измерительных систем. Сущность изобретения: в способе изготовления чувствительного элемента датчика давления жидких и газообразных сред, заключающемся в нанесении на стеклянную подложку фиксированного электрода, выполнении подвижного электрода и их соединении, наносят метки совмещения на стеклянную подложку и подвижный электрод, выполненный в виде кремниевой пластины ориентации (100), на которой формируют рельефы различной глубины двухэтапным анизотропным травлением кремния через маску из нитрида кремния одновременно с обеих сторон пластины, соединение элементов осуществляют методом анодного сращивания. Анизотропное травление можно проводить водным раствором KОН с концентрацией 33% при температуре 92±2°С. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к обработке подложек для получения вогнуто-выпуклой структуры. Сущность изобретения: способ обработки подложек включает в себя распыление мелких частиц вместе со сжатым газом из трубки под давлением на поверхность подложки, диспергирование частиц, заряженных посредством трения с внутренней стенкой трубки под давлением, на поверхности подложки, при этом заряженные частицы прилипают к подложке без агрегации, формирование вогнуто-выпуклой структуры на поверхности подложки путем травления поверхности подложки с частицами как маской и одновременного удаления маски травлением. Изобретение обеспечивает возможность сократить число операций способа для формирования вогнуто-выпуклой структуры. 4 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем. Сущность изобретения: способ изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем (МЭМС) включает нанесение защитных покрытий на лицевую и обратную сторону пластины, фотолитографию по защитным слоям с лицевой и обратной стороны, глубокое высокопрецизионное травление кремния с лицевой и обратной стороны пластины на заданную глубину и с заданным профилем, удаление остатков маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны пластины. На кремниевую пластину после травления канавок с лицевой стороны и удаления остатков защитного покрытия производится операция нанесения слоя диоксида кремния для защиты лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины и механической фиксации выпадающих фрагментов конструкции. Технический результат изобретения заключается в уменьшении затрат на изготовление элементов МЭМС по сравнению с использованием сращенных пластин и уменьшение количества технологических операций при изготовлении МЭМС и, как следствие, увеличение выхода годных элементов. 3 ил.

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении полупроводниковых микромеханических устройств, например чувствительных элементов интегральных датчиков. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, формируют в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуру заданного профиля до появления кремния в области ее максимальной глубины, а затем по очереди травят кремний и оставшийся защитный слой до получения заданного профиля. Согласно изобретению после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии по поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой. Изобретение обеспечивает повышение точности изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур. 10 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур на кремниевой подложке последовательно создают слой SiO₂ , слой кремния и затем опорный слой, на котором методами фотолитографии и ионно-плазменным травлением формируют рельеф с вертикальными стенками в местах будущего расположения наноразмерных элементов, на полученном рельефе конформно создают слой материала для формирования спейсера, который анизотропным травлением удаляют с горизонтальных поверхностей, а его часть, прилегающую к вертикальным стенкам рельефа, используют в качестве маски при анизотропном травлении наноразмерных кремниевых структур, причем в качестве опорного слоя используют рельеф с вертикальными стенками в кремнии, конформный слой создают термическим окислением поверхности кремния, а в качестве маски при травлении наноразмерных кремниевых структур используют окисленную вертикальную поверхность рельефа конформного слоя на кремнии. 7 ил.

Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур. Сущность изобретения: в способе получения нанослоев на сформированном на подложке первом жертвенном слое формируют второй жертвенный слой, наносят фоторезист, формируют в фоторезисте окно, травят второй и первый жертвенные слои до подложки в окнах фоторезиста, после чего формируют нанослой, удаляют нанослой и второй жертвенный слои с горизонтальных участков первого жертвенного слоя, удаляют нанослой на дне вытравленного окна, удаляют первый жертвенный слой. Способ позволяет получать полупроводниковые, диэлектрические, металлические, полицидные, нитридметаллические и карбидполупроводниковые нанослой на стандартном технологическом оборудовании, используемом для производства интегральных микросхем. 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также однослойных и многослойных печатных плат для радиоэлектронной аппаратуры. Способ фотолитографии осуществляют следующим образом. Используют защитный слой, в котором путем травления формируют требуемый профиль с размерами элементов не более 1 мкм. Вначале на поверхность этого защитного слоя наносят единственный слой фоторезиста, в котором формируют первый экспонированный участок таким образом, что одна часть границ этого экспонированного участка совпадает с соответствующей частью границ требуемого профиля, подлежащего вытравливанию в защитном слое. При этом размеры первого экспонированного участка не менее чем в 2 раза превосходят размеры требуемого профиля. После этого в слое фоторезиста создается второй экспонированный участок таким образом, что часть границ этого второго экспонированного участка совпадает с оставшейся частью границ требуемого профиля. При этом размеры второго экспонированного участка не менее чем в 2 раза превосходят размеры требуемого профиля, а длительность экспонирования каждого экспонируемого участка определяется по приведенному соотношению. После этого производят один процесс проявления фоторезистивного рельефа, один процесс его задубливания и путем травления получают требуемый профиль. Изобретение позволяет уменьшить материальные и трудовые затраты, необходимые для получения элементов рельефа с размерами не более 1 мкм. 4 ил.

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных кремниевых химических и биосенсоров для автоматизированного контроля окружающей среды, в экологии, в химическом производстве, в биологии и медицине. Изобретение направлено на снижение размеров наносенсора, снижение дефектности, повышение чувствительности, воспроизводимости и эффективности, достижение совместимости со стандартной промышленной технологией СБИС. В способе изготовления наносенсора, заключающемся в том, что на кремниевой подложке создают диэлектрический слой, на поверхности которого формируют слой кремния, из которого через маску травлением формируют нанопроволоку с омическими контактами, травление для формирования нанопроволоки с омическими контактами заданных размеров проводят в парах дифторида ксенона со скоростью 36÷100 нм/мин, при температуре 5÷20°С, в течение 0,3÷1,3 мин, слой кремния, из которого травлением формируют нанопроволоку с омическими контактами, создают толщиной 11÷45 нм, а в качестве маски для травления используют маску полимера полиметилметакрилата толщиной 50÷150 нм. 3 ил.

Изобретение относится к области технологических процессов изготовления микросистемной техники. Изобретение обеспечивает повышение точности и воспроизводимости конфигурации и размеров объемных фигур травления. Сущность изобретения: способ компенсации растрава внешних углов объемных фигур травления, формируемых в кремниевых пластинах с ориентацией поверхности (100) методом анизотропного химического травления, предусматривает формирование защитного слоя на обеих поверхностях кремниевой пластины, формирование симметрично совмещенных топологических масок фигуры травления с элементами компенсации на обеих поверхностях кремниевой пластины, при этом элементы компенсации выполняются в виде перемычек, преобразующих топологический рисунок фигуры травления с внешними углами в топологический рисунок только с внутренними углами, сквозное анизотропное травление пластины одновременно с обеих ее сторон, при этом элементы компенсации удаляются в процессе травления кремниевой пластины. 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также однослойных и многослойных печатных плат. Сущность изобретения: в способе фотолитографии вначале на поверхность единственного защитного слоя наносят первый слой фоторезиста, в котором формируют первый задубленный рельеф из фоторезиста таким образом, что одна часть границ этого рельефа совпадает с соответствующей частью границ требуемого профиля, подлежащего вытравливанию в защитном слое. При этом размеры первого рельефа не менее чем в два раза превосходят размеры требуемого профиля. После этого поверх первого рельефа наносят второй слой фоторезиста, в котором создается второй задубленный рельеф из фоторезиста таким образом, что часть границ этого второго рельефа совпадают с оставшейся частью границ требуемого профиля. При этом размеры второго рельефа не менее чем в два раза превосходят размеры требуемого профиля. Таким образом получают результирующий задубленный рельеф, границы которого в точности совпадают с границами требуемого профиля. После этого производят травление защитного слоя в единственном травителе соответствующего состава через окно в сформированной фоторезистивной маске и получают требуемый профиль. Способ обеспечивает уменьшение материальных и трудовых затрат, необходимых для получения элементов рельефа с размерами не более 1 мкм. 3 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках, содержащих в своем составе двуокись кремния, при изготовлении микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д. Сущность изобретения: в способе получения рельефа в диэлектрической подложке, включающем нанесение на подложку защитной маски в виде многослойной тонкопленочной системы двух материалов и формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски, в качестве маски используется многослойная тонкопленочная система иттрий-оксид иттрия, полученная напылением в вакууме, причем толщина слоя иттрия не менее 1 мкм, а толщина слоя оксида иттрия не менее 0,05 мкм. Между слоем иттрия и слоем оксида иттрия может быть сформирован переходной слой из смеси этих материалов. Изобретение позволяет увеличить процент выхода годных за счет исключения пор и разрывов в защитном слое, а также позволяет удешевить конечную продукцию. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области производства полупроводниковых кремниевых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых приборов на кремниевых пластинах с кристаллографической ориентацией {100} характеризуется созданием на одной из сторон кремниевой пластины областей с элементами топологии полупроводниковых приборов и разделением пластины на кристаллы. Дополнительно перед разделением пластины на кристаллы проводят ее утонение путем химического травления в селективном для кристаллографической ориентации {100} травителе, а в процессе изготовления перед травлением на обратной стороне пластины формируют защитную маску, обеспечивающую защиту периферийных областей пластины таким образом, что внутренняя конфигурация периферии площади маски совпадает с наружной конфигурацией периферии площади структур на лицевой стороне пластины. Техническим результатом изобретения является повышение процента выхода годных полупроводниковых приборов. 1 табл.

Изобретение может быть использовано в технологии изготовления упругих элементов подвеса чувствительных масс микромеханических измерительных устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления упругого элемента микромеханического устройства окисляют плоскую пластину из монокристаллического кремния с ориентацией поверхности в плоскости (100), наносят на нее с двух сторон слой фоторезиста, предварительно вскрывают окна в слое фоторезиста при помощи двухсторонней фотолитографии, травят окисел по вскрытым окнам шириной L ₁ в области формирования упругого элемента и анизотропно травят пластину до промежуточной глубины h. После травления окисла в месте формирования упругого элемента методом анизотропного травления формируют канавку шириной L₁ и длиной М до самоторможения, вторично вскрывают окна в окисле для конечного формирования упругого элемента и производят анизотропное травление до получения требуемой толщины упругого элемента H, толщина которого задается по формуле H=(T₁ -T_cam)V, где Т₁ - время травления выступающих углов канавки, T_cam - время формирования канавки, V - скорость анизотропного травления, , . Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости изготовления, повышение точности и качества. 5 ил.