Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......механическая обработка, например шлифование, полирование, резка – H01L 21/304

Изобретение относится к области обработки поверхности твердых тел, преимущественно для подготовки поверхности пластин, и может быть использовано в микроэлектронике, например, при обработке подложек сверхтвердых материалов для проведения процесса эпитаксии. Движения инструмента и твердого тела являются закономерными циклическими и периодическими. В этом случае произвольные точки на поверхностях инструмента и твердого тела описывают трансцендентные кривые. Отношение частот циклического движения инструмента и твердого тела больше единицы и не равно целому числу. В результате повышается качество полировки обрабатываемой поверхности. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано при производстве изделий микро- и оптоэлектроники для односторонней обработки, преимущественно шлифованием и полированием, пластин стекла, керамики, сапфира, кварца, кремния, арсенида и других материалов. Устройство содержит шлифовально-полировальный стол с приводом вращения и самоустанавливающийся шпиндель 3 с шарнирно закрепленным устройством перемещения шпинделя. Шпиндель выполнен в виде планшайбы с зонами фиксации пластин рабочей стороной к поверхности планшайбы через упруго-эластичную прокладку. Шлифовально-полировальный стол выполнен в виде планшайбы с кольцевой зоной алмазно-абразивных элементов, закрепленных на ее поверхности. Зоны фиксации пластин выполнены из материала с микроотверстиями или порами для подачи вакуума через устройство перемещения шпинделя. Последнее имеет с одного конца вакуумно-плотные втулки, а с другого - вращающийся вакуумно-плотный цанговый соединитель с вакуумным шлангом. В результате повышается производительность процесса при увеличении выхода годных изделий и улучшаются геометрические параметры пластин за счет уменьшения удельных нагрузок и исключения деформации пластин. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к двум вариантам способа отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла. В первом варианте сфокусированный лазерный луч направляют на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, и перемещают лазерный луч с осуществлением сканирования фокусом в плоскости отделения слоя в направлении от открытой боковой поверхности кристалла вглубь с формированием непрерывной прорези. Во втором варианте генерируют импульсное лазерное излучение, направляют сфокусированный лазерный луч на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, перемещают лазерный луч так, что фокус перемещается в плоскости отделения слоя с формированием неперекрывающихся локальных областей с нарушенной топологией структуры кристалла и с ослабленными межатомными связями. Упомянутые локальные области распределяют по всей упомянутой плоскости. К отделяемому слою прикладывают внешнее воздействие, разрушающее упомянутые ослабленные межатомные связи. Изобретение позволяет отделять плоские латеральные поверхностные слои от полупроводниковых кристаллов, в частности слои с полупроводниковыми приборными структурами от полупроводниковых кристаллов, и тонкие полупроводниковые шайбы от цилиндрических полупроводниковых буль. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 14 ил., 12 пр.

Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений. Способ включает помещение полируемой пластины в травящий химический раствор, причем полируемую пластину прикрепляют к вакуумному держателю нерабочей стороной, опускают в химический раствор рабочей стороной и вращают вокруг своей оси с одновременным равномерным движением по окружности. Технический результат: повышение равномерности химико-динамической полировки. 5 ил., 3 пр.

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления круглых пластин из карбида кремния, содержащем операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски по кромке пластины, отжига и полировки пластин, полирование пластин проводится в четыре стадии: грубая полировка алмазной пастой с крупным зерном, тонкая полировка алмазной пастой с мелким зерном, нанополировка суспензией на основе силиказолей, содержащей «детонационные» наноалмазы с размером зерна менее 1 мкм, нанополировка суспензией на основе силиказолей, не содержащей твердых абразивных частиц. Изобретение позволяет получить полированные поверхности пластин из карбида кремния с шероховатостью менее 0,5 нм. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к электронной промышленности. Сущность изобретения: в способе получения фотошаблонных заготовок, включающем механическую обработку стеклянных пластин с использованием полировального порошка на основе двуокиси церия и полировального полотна, выполненного из нетканого материала, состоящего из рабочего слоя и приклеечного, обработку в водных растворах органических кислот, обработку в нейтральной водной среде, нанесение маскирующего слоя и резиста, дополнительно между рабочим и приклеечным слоями полировального полотна формируют внутренний усиливающий слой при следующем соотношении толщин: приклеечный слой - усиливающий слой - рабочий слой 2,0-2,5:1:1,5-2,0. Способ позволяет повысить выход годных фотошаблонных заготовок улучшением структуры полировального полотна при полировании стеклянных пластин за счет формирования дополнительного усиливающего слоя между полирующим и приклеечным слоями. 1 табл.

Изобретение может быть использовано для прецизионного шлифования. Сущность изобретения: устройство для прецизионной обработки содержит первое вращательное устройство для вращения предмета, подлежащего шлифованию, и первую опору, несущую первое вращательное устройство; второе вращательное устройство для вращения шлифовального круга и вторую опору, несущую второе вращательное устройство для вращения шлифовального круга; средство для регулирования перемещения, предусмотренное у первой или у второй опоры, которое включает в себя первую часть для регулирования перемещения, которая перемещает первую или вторую опору, и вторую часть для регулирования перемещения, которая обеспечивает приложение давления к опоре, чтобы заставить опору перемещаться в направлении перемещения, и при этом величину перемещения первой или второй опоры и первого или второго вращательного устройства можно регулировать посредством избирательного использования первой части для регулирования перемещения и второй части для регулирования перемещения; и устройство управления пространственным положением, расположенное между первым вращательным устройством и первой опорой или между вторым вращательным устройством и второй опорой, при этом устройство управления пространственным положением обеспечивает управление пространственным положением первого или второго вращательного устройства. Изобретение позволяет обеспечить шлифование с высокой точностью. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к обработке выращенных методом Чохральского монокристаллов кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин - элементов солнечных батарей и интегральных схем. Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин предусматривает псевдоквадратирование монокристалла кремния с последующим шлифованием ребер псевдоквадратированного слитка, резку монокристаллов на пластины. Шлифование ребер осуществляют поочередно, при этом шлифование каждого из ребер осуществляют послойно в направлении движения обрабатывающего инструмента параллельно продольной оси слитка. Изобретение позволит повысить качество монокристаллических кремниевых пластин за счет обеспечения сохранности приконтурного массива обрабатываемой зоны слитка и выход годных пластин при снижении потерь материала (кремния) при обработке слитка. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов. Технический результат изобретения - повышение выхода годных путем повышения качества обработки, а именно повышения точности геометрических размеров и уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них, особенно при обработке гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ и их элементов, а также повышение срока годности алмазного диска. Сущность изобретения: в диске из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них, выполненном с зернистостью, заданной обрабатываемым материалом, в качестве основы алмазосодержащего материала берут жесткий материал. Диск выполнен, по меньшей мере, из двух чередующихся слоев алмазосодержащего материала, между которыми расположена и соединена с ними демпфирующая прослойка, при этом демпфирующая прослойка выполнена толщиной, равной 1/10-2/3 зернистости алмазосодержащего материала. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области полупроводниковых технологий и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых пластин, включающем механическую обработку и химическое травление. Полупроводниковую пластину размещают на поверхности полирующего круга. На его поверхность подают жидкий полировальный состав с воздействием ультразвуковыми колебаниями. Упомянутое воздействие осуществляют на рабочей поверхности рабочих окончаний пьезоэлектрических колебательных систем. Обеспечивают амплитуду колебаний рабочих окончаний, достаточную для мелкодисперсного распыления жидкого полировального состава. Производят формирование множества капель аэрозоля жидкого полировального состава. Средний размер и количество капель определяют из условия получения необходимого количества полировального состава на поверхности полирующего круга и обеспечивают выбором резонансного размера колебательной системы. Форму и размер рабочего окончания колебательной системы и количество выходных отверстий на его рабочей поверхности устанавливают из условия формирования факела распыления с продольным размером на поверхности полирующего круга не менее половины диаметра полирующего круга. В результате обеспечивают получение однородной и ровноплоскостной поверхности полупроводниковой пластины за счет нанесения гарантированного количества полировального состава в каждую точку поверхности полировального круга. 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов для обработки обратной стороны структур с готовыми чипами, а также при изготовлении исходных пластин-подложек кремния, германия и др. Обрабатываемые пластины закрепляют на головке. Сообщают вращение ей и инструменту, а в зону обработки подают полирующую смесь. Обработку ведут инструментом, имеющим прерывистый рабочий слой пенополиуретана, с числом его оборотов 1400-2000 об/мин и скоростью вращения головки с пластинами 300-550 об/мин при удельном давлении инструмента на обрабатываемую поверхность 250-350 Г/см². Используют полирующую смесь, включающую алмазный порошок с размером зерна 5-1 мкм, бытовое моющее средство, аэросил и глицерин при объемном соотношении глицерина к моющему средству 3:1-4:1, объемном соотношении аэросила к смеси глицерина и моющего средства 1:1-1,2:1 и соотношении алмазного порошка к общему составу 8-9 г на 1 литр. На обрабатываемую поверхность пластин осуществляют капельную подачу разбавителя, в качестве которого используют воду. В результате повышаются качество и производительность процесса полирования, улучшаются экологические показатели обработки и расширяются технологические возможности способа. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

Изобретение относится к устройству и способу разделения материалов, в частности монокристаллов. Техническим результатом является эффективная очистка и удаление снятого материала во время разрезания. Для этого устройство содержит режущий диск с концентрическим отверстием, край которого образует режущую кромку, при этом режущий диск выполнен с возможностью вращения вокруг его центральной оси с целью разрезания материала, позиционирующее устройство, предназначенное для позиционирования материала, подлежащего разрезанию, относительно режущего диска таким образом, что во время разрезания режущий диск перемещается через материал, совершая вращательное движение, для отрезания отдельной пластины, устройство для подачи смазочно-охлаждающей жидкости на режущий диск, и устройство для подачи газообразной среды на режущий диск. Причем устройство для подачи газообразной среды имеет сопло, которое установлено внутри концентрического отверстия и сконструировано таким образом, что газообразная среда подается на кромку в направлении, перпендикулярном центральной оси режущего диска. Способ включает подачу смазочно-охлаждающей жидкости только на выходной стороне, если смотреть в направлении вращения, за местом прохода режущего диска через материал. При этом режущий диск охлаждают во время операции разрезания и очищают только после операции разрезания, после того как отдельная пластина была отрезана при операции разрезания. Причем во время охлаждения смазочно-охлаждающую жидкость подают в определенном количестве, а во время очистки смазочно-охлаждающую жидкость подают в большем количестве по сравнению с указанным определенным количеством. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 ил.

Использование: в электронной промышленности. Сущность изобретения: способ получения фотошаблонных заготовок включает механическую обработку стеклянных пластин с использованием полировальных порошков на основе двуокиси церия и полировальных полотен на основе нетканых материалов, обработку в водных растворах органических кислот, обработку в нейтральной водной среде с последующим обезвоживанием, сушкой, контролем. Механическую обработку проводят при соотношении эффективного диаметра полировального порошка, диаметра синтетических волокон нетканого полировального полотна и его объемной плотности 1:2-4:0,2-0,3 при содержании в полировальном порошке двуокиси церия не менее 80 вес.%. Соотношение содержания двуокиси церия к содержанию окиси железа и суммы окислов неодима и празеодима может быть выбрано 1:0,05 - 0,08:0,1-0,2. Техническим результатом заявленного изобретения является снижение себестоимости фотошаблонных заготовок за счет сокращения числа технологических стадий механической обработки и подбора оптимальных соотношений параметров материалов, используемых на стадии механической обработки. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Использование: в полупроводниковой технике при изготовлении супертонких полупроводниковых структур, имеющих толщину подложки на уровне 6-50 мкм. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение качества и точности обработки полупроводниковых структур за счет сочетания групповой и индивидуальной технологии и возможности индивидуальной механической обработки полупроводниковых структур при утонении нерабочей стороны до заданной фиксированной толщины. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых структур, включающем формирование, по крайней мере, двух структур на полупроводниковой пластине с реперными знаками для разделения, расположенными на расстоянии S_p друг от друга, изготовление носителей структур в виде колец и вкладышей, размещаемых внутри носителей, фиксацию на носителе, утонение структур путем механической обработки, резку пластины по реперным знакам на заготовки со структурами, носители структур изготавливают с внешним диаметром D_внешS _р, м, и внутренним диаметром D_вн=(1,05...1,5)(a ²+b²)^1/2, где а и b - габариты структуры, м, проводят резку пластин по реперным знакам на заготовки со структурами, заготовки со структурами калибруют до диаметра, равного внешнему диаметру кольцевого носителя, после чего проводят фиксацию заготовки со структурой рабочей стороной на носителе с вкладышем с последующим выравниванием носителя и вкладыша по толщине, а затем выполняют утонение структур путем механической обработки и полирующего травления и извлекают вкладыши. 5 ил.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: способ разделения монокристалла, в частности GaAs, заключается в том, что монокристалл (1) разрезается, по меньшей мере, на две части и режущий инструмент (2, 3; 8, 8а, 8b, 8с) перемещают относительно друг друга в направлении продвижения (V), при этом монокристалл (1) ориентируют таким образом, что заданная кристаллографическая ориентация (К) лежит в плоскости (Т) резки, а угол (р) между заданным кристаллографическим направлением (К) и направлением продвижения (V) выбирают таким образом, чтобы силы, которые действуют на режущий инструмент во время резки в направлении, перпендикулярном плоскости резки, компенсировали бы друг друга или представляли собой заданную силу. Изобретение позволяет увеличить скорость резки и улучшить качество получаемых пластин, что позволяет обходиться без этапов их последующей обработки. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 12 ил.