Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ......из газа или пара, например способом конденсации – H01L 21/285

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и наноэлектроники, а именно к технологии формирования упорядоченных наноструктур на поверхности твердого тела, и может быть использовано для создания проводников, длина которых на несколько порядков превышает его диаметр (нанопроволоки). Технический результат - упрощение технологии формирования твердотельных одномерных наноструктур из различных металлов, полупроводников и их сплавов, обладающих стойкостью к внешней среде и более высоким напряжением пробоя. Сущность изобретения: в способе получения проводящего элемента нанометрового размера в среде инертных газов осуществляют начальный этап конденсации, путем магнетронного распыления материала, из которого формируют нанопроволоку, на скол монокристалла в течение заранее определенного промежутка времени t, достаточного для регистрации отдельных зародышей конденсируемого материала на ступенях. Подложку располагают таким образом, чтобы нормаль к ее поверхности составляла угол с направлением потока конденсируемых атомов, априори исключающий образование зародышей между ступенями, но достаточный для образования зародышей конденсируемого материала на ступенях. Затем изготовляют микрофотографию поверхности скола монокристалла, по которой определяют плотность зародышей конденсируемого материала на ступенях и расстояние между ступенями, которые используют для расчета времени формирования нанопроволоки. Конечный этап конденсации материала осуществляют в течение времени, при котором отсутствует электрическая проводимость между ступенями. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов из кремния, в частности к изготовлению фотопреобразователей. Способ создания контактного рисунка из никеля на пластинах кремния включает создание диэлектрической пленки с окнами, химическое осаждение никеля в окна кремниевых пластин и образование прослойки силицида никеля, которое производят из газовой фазы при термическом разложении паров тетракарбонила никеля в интервале температур 200-300°С, при давлении в системе (1-10)·10^-1 мм рт.ст. и скорости подачи паров тетракарбонила никеля 0,5÷2 мл/мин на 1 дм² покрываемой поверхности, затем химическим травлением удаляют слой никеля до слоя силицида никеля и химическим осаждением наносят никель на прослойку силицида никеля в окна диэлектрической пленки. Изобретение обеспечивает возможность создания прочного контакта электропроводящего слоя на основе никеля с низким омическим сопротивлением независимо от типа проводимости и степени легирования поверхности кремния. 1 табл.

Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем, при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации. Сущность изобретения: способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии включает создание на подложке из кремния нанометрового подслоя адгезионного промотера и последующее нанесение тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом при пониженном давлении. В качестве адгезионного промотера используют силицид вольфрама W₅Si₃ . Изобретение позволяет улучшить качество получаемой металлической структуры вольфрама на кремнии с одновременным упрощением технологического процесса. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления световых устройств, имеющих структуры с квантовыми ямами, и к процессам перемешивания квантовых ям, используемым для регулируемого изменения запрещенной зоны в квантовой яме в предварительно определенных областях структуры. Сущность изобретения: способ перемешивания квантовых ям в структуре полупроводникового устройства предусматривает: а) формирование слоистой структуры с квантовыми ямами, включающей в себя легированный верхний слой; б) формирование останавливающего травление слоя поверх упомянутого верхнего слоя; в) формирование временного слоя поверх упомянутого останавливающего травление слоя, причем упомянутый останавливающий травление слой имеет существенно меньшую скорость травления, чем упомянутый временной слой, когда оказывается в предварительно определенных условиях травления; г) осуществление процесса перемешивания квантовых ям на структуре устройства, который вносит значительные нарушения, по меньшей мере, в часть расходуемого слоя; д) удаление, по меньшей мере, временного слоя, по меньшей мере, в области контакта устройства с помощью процедуры травления, селективного к останавливающему травление слою, чтобы раскрыть упомянутый останавливающий травление слой в области контакта; и е) формирование контакта поверх слоистой структуры с квантовыми ямами, причем непосредственно на поверхности, раскрытой при выполнении этапа д), по меньшей мере, в упомянутой области контакта. Изобретение позволяет улучшить контактное сопротивление устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 10 ил., 2 табл.