Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции – H01L 21/261

МПК Раздел H H01 H01L H01L 21/00 H01L 21/261

Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

H01 Основные элементы электрического оборудования

H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей

H01L 21/261 .....для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции

Патенты в данной категории

	СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТЕНТНОГО КРЕМНИЯ Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей. Способ может найти применение при производстве полупроводниковых приборов, работающих в полях ионизирующего излучения: в космосе, атомных реакторах и др. Сущность изобретения. способ получения резистентного кремния n-типа проводимости заключается в обработке поликристаллического кремния р-типа проводимости методом многопроходящей бестигельной зонной плавки с введением в расплавленную зону термостабилизирующих примесей с концентрациями от 110¹³ до 110¹⁴ см^-3. Затем проводят последующее охлаждение полученного легированного высокоомного монокристалла кремния р-типа проводимости с концентрацией по бору от 110¹² до 510¹² см^-3 до комнатной температуры со скоростью не выше 1 град./мин. После этого с помощью прецизионного нейтронного трансмутационного легирования получают монокристалл кремния n-типа проводимости с концентрацией по фосфору, превышающей в 1,5-2 раза уровень остаточной концентрации по бору. Технический результат изобретения заключается в повышении времени жизни неосновных носителей заряда, уменьшении разброса удельного электросопротивления по объему монокристалла и сохранении указанных параметров кремния при многокомпонентных внешних воздействиях в процессе изготовления и эксплуатации приборов на его основе в силовой электронике. 2 з.п.ф-лы, 2 табл.	2202655 патент выдан: опубликован: 20.04.2003