Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой – H01L 21/24

Изобретение относится к полупроводниковой технологии. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины удельного поверхностного сопротивления и относительного разброса значений поверхностного сопротивления силицидов металлов за счет получения глубокого однородного силицидного слоя и упрощение способа. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования силицидов металлов, включающем осаждение металла на кремний и его плавление, плавление осуществляют воздействием компрессионного плазменного потока продолжительностью 50-200 мкс, плотностью энергии 8-20 Дж/см² в переменном магнитном поле, перпендикулярном плоскости осажденного металла, с частотой 1300-2000 Гц или 2100 Гц и индукцией 0,22-12 мТл или 12,5 мТл. 4 ил, 2 табл.