Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: .....диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя – H01L 21/225

Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и уменьшение длительности процесса. Способ диффузии фосфора включает образование фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины. В качестве источника диффузанта используют нитрид фосфора. Процесс проводят при расходе газов: O₂=70 л/ч, азот N₂=700 л/ч, при температуре 1020°C и времени проведения процесса 30 минут. Контроль процесса проводят путем измерения поверхностного сопротивления (R_S). Поверхностное сопротивление равно R_S =155±5 Ом/см.

Изобретение относится к технологии изготовления оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов (СФЭ). Сущность: на дисковую чашечную головку вращающейся со скоростью порядка 60 тыс. оборотов в мин дозированно подается раствор золь-геля борной или фосфорной композиции. Головка с использованием центробежных сил разбивает раствор золь-геля борной или фосфорной композиции на мелкодисперсионные капли, которые заряжаются при разбрызгивании в головке высоким электрическим потенциалом. Противоположный по знаку потенциал подается на полупроводниковую пластину. С помощью созданного таким образом электростатического поля осуществляется направленное осаждение мелкодисперсионных капель на поверхность пластины. Технический результат - возможность конформного и равномерного нанесения пленочного покрытия на основе борной или фосфорной композиции, даже на текстурированной поверхности, как из водных, так и из спиртовых растворов золь-геля. 1 пр., 1 ил.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам диффузии фосфора. Сущность изобретения: в способе диффузии фосфора из фосфорно-силикатных пленок, включающем процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины из газовой фазы, в качестве источника диффузанта используют жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl₃) при следующем соотношении компонентов: кислород - O₂=38 л/ч азот - N₂=700 л/ч, азот через питатель - N₂=36,7 л/ч при температуре процесса 1000°С, время проведения загонки фосфора -40 минут, при этом поверхностное сопротивление равно R_S=160±10 Ом/см. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение длительности и температуры процесса.

Изобретение относится к технологии получения силовых кремниевых транзисторов, в частности для формирования активной базовой области. Сущность изобретения: в способе диффузии бора, включающем процесс образования боросиликатного стекла из газовой фазы, в качестве источника диффузанта используют твердый планарный источник при следующем соотношении компонентов газовой фазы: азот N₂=240 л/ч, кислород O₂=120 л/ч, водород Н₂=7,5 л/ч, при температуре процесса 800°С и времени проведения процесса, равном 10-15 минут. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины, уменьшение длительности и температуры процесса.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора (ТПДФ). Процесс проводят при температуре 1000°С на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: О ₂=37,8±0,5 л/ч; N₂=740 л/ч; Н₂ =7,5 л/ч, и времени, равном 60 минут; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1150°С при следующем расходе газов: О₂=37,8±0,5 л/ч; N₂=740 л/ч. и времени разгонки, равном 160 часов. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени проведения процесса, обеспечение точного регулирования глубины диффузионного слоя, получение глубины 160±20 мкм и повышение процента выхода годных изделий.

Изобретение относится к области проводящих полимеров, в частности полианилина, и может быть использовано для получения высокопроводящих полианилиновых слоев, волокон, проводящих элементов и устройств на их основе. Технической задачей изобретения является увеличение электрической проводимости полианилинового слоя, а также упрощение и удешевление процедуры допирования. Поставленная задача решается тем, что электропроводящий полианилиновый слой в составе изделия с высокой проводимостью получают путем межфазного допирования слоя полуокисленного полианилина слоем металла или полупроводника n-типа, при котором пленка полианилина переходит в высокопроводящее состояние за счет исчезновения неокисленных участков полианилина в области контакта с металлом при инжекции дырок в полианилин из слоя металла с работой выхода, превышающей этот показатель для слоя полианилина. 2 ил.