Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ....нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание – H01L 21/20

Способ формирования наноразмерных структур предназначен для получения полосок тонких пленок наноразмерной ширины с целью их исследования и формирования элементов наноэлектромеханических систем (НЭМС).

Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования наноразмерных структур, включающем получение заготовок тонких пленок и выделение из них полосок тонких пленок, по меньшей мере, одну заготовку тонкой пленки закрепляют внутри заполненного объема, который устанавливают в держатель микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась непараллельна плоскости реза, после этого ножом осуществляют рез заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки и получение плоского фрагмента с полоской тонкой пленки.

Существуют варианты, в которых заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и перпендикулярна направлению реза; или заполненный объем устанавливают в держателе микротома таким образом, чтобы плоскость заготовки тонкой пленки оказалась перпендикулярна плоскости реза и параллельна направлению реза.

Существуют также варианты, в которых после осуществления реза проводят исследование зондом сканирующего зондового микроскопа поверхности заполненного объема с, по меньшей мере, одной заготовкой тонкой пленки; или производят модификацию заготовки тонкой пленки, расположенной внутри заполненного объема.

Существуют также варианты, в которых модификация заготовки тонкой пленки заключается в механическом воздействии на нее зондом; или в электрическом воздействии на нее зондом; или в электрохимическом воздействии на нее зондом; или в воздействии на нее электронным пучком; или в воздействии на нее ионным пучком; или в воздействии на нее рентгеновским пучком; или в воздействии на нее пучком альфа-частиц; или в воздействии на нее пучком протонов; или в воздействии на нее пучком нейтронов.

Существует также вариант, в котором внутри заполненного объема закрепляют набор заготовок тонких пленок; при этом заготовки тонких пленок расположены параллельно друг другу.

Существует также вариант, в котором в качестве тонких пленок используется графен.

Все перечисленные варианты способа расширяют его функциональные возможности. 16 з.п. ф-лы, 5 ил.

Использование: для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники. Сущность изобретения заключается в том, что в нанотехнологический комплекс на основе ионных и зондовых технологий, включающий распределительную камеру со средствами откачки, в которой расположен центральный робот распределитель с возможностью осевого вращения, содержащий захват носителей подложек, при этом распределительная камера содержит фланцы, которыми она соединена с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, захват носителей подложек имеет возможность взаимодействия с камерой загрузки и модулем ионной имплантации, введен измерительный модуль, включающий сканирующий зондовый микроскоп и модуль ионных пучков с системой газовых инжекторов, при этом они соединены с фланцами распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек. Технический результат: обеспечение возможности варьирования технологическими маршрутами и расширение функциональных возможностей. 4 з.п. ф-лы, 1 ил. распределительной камеры и имеют возможность взаимодействия с захватом носителей подложек.

Подобное выполнение расширяет функциональные возможности нанотехнологического комплекса.

Способ получения слоистого наноматериала, включающий формирование слоев различного состава, отличается тем, что, по крайней мере, одну из граничащих друг с другом областей соседних слоев, в пределах ее толщины, по меньшей мере, равной трем монослоям, формируют из неоднородных по структуре элементов, которые хотя бы в одном направлении имеют размеры, кратные периоду решетки соседнего слоя и/или четверти длины волны своих валентных электронов. Использование заявленного изобретения обеспечивает возможность получения композитных слоистых наноматериалов с новыми или улучшенными потребительскими свойствами. 20 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам создания эпитаксиальных медных структур на поверхности полупроводниковых подложек и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек включает формирование моноатомного слоя силицида меди Cu₂Si на предварительно подготовленной атомарно-чистой поверхности Si(111)7×7 при температуре 550-600°C в условиях сверхвысокого вакуума, последующее осаждение на него меди при температуре 500-550°C при эффективной толщине меди от 0,4 до 2,5 нм. При эффективной толщине меди от 0,4 до 0,8 нм формируют островки эпитаксиальных наноструктур меди треугольной и многоугольной формы, а при толщине меди в диапазоне от 0,8 до 2,5 нм наряду с островками меди треугольной и многоугольной форм формируют идеально ровные проволоки меди. Сформированные эпитаксиальные наноструктуры меди обладают огранкой, ориентированы вдоль кристаллографических направлений <110>Cu <112>Si. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковых подложек эпитаксиальных наноструктур меди с заданной формой и размерами. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок включает фиксацию исходных слоистых монокристаллов на подложке с помощью адгезионного слоя, последовательное отщепление от них слоистых фрагментов до получения тонкого полупрозрачного слоя, плазменное травление этого слоя, используя ионный поток с энергией, изменяемой в процессе травления, при контроле толщины слоя в процессе травления, и удаление адгезионного слоя путем растворения в органическом растворителе до или после процесса травления. Техническим результатом изобретения является повышение размеров атомно-тонких монокристаллических пленок, улучшение их электрофизических свойств и возможность получения пленок на любых подложках. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO₂)_20%(SnO₂ )_80% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl₂ ·2H₂O) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO₂ )_100%-x(SnO₂)_x. Массовую долю компонента х определяют (задают) в интервале 50% х 90% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом. Золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl₂·2H ₂O). Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к способу изготовления высококачественных пластин нитрида галлия эпитаксиальным выращиванием с низкой плотностью дислокации на подложке и отделением от исходной подложки, а также к полупроводниковым пластинам, имеющим кристалл GaN. Способ изготовления монокристалла нитрида эпитаксиальным выращиванием на основе (100), включающей плоскость роста (105), включает этапы: образование жертвенного слоя (101) на основе (100), образование столбиков (102) на указанном жертвенном слое, выращивание слоя нитридного кристалла (103) на столбиках при таких условиях выращивания, что этот слой нитридного кристалла не проходит вниз к основе в углубления (107), образованные между столбиками, удаление слоя нитридного кристалла с основы. Причем указанные столбики (102) изготовлены из материала, совместимого с эпитаксиальным выращиванием GaN, а соотношение D/d высоты D одного столбика к расстоянию d между двумя соседними столбиками больше или равно 1,5. Изобретение позволяет осуществить способ изготовления свободностоящих подложек GaN с низкой плотностью дислокаций и их равномерным распределением. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 34 ил., 4 пр.

Изобретение относится к базовой плате и способу ее производства. Сущность изобретения: базовая плата содержит множество подложек панели, причем базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную не ее основной поверхности, каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края, область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния, имеющей первый профиль кристаллов, область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, причем подложки панели содержат первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов, при этом тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края. Изобретение позволяет создать базовую плату, имеющую эффективно скомпонованные на ней подложки панели и уменьшенную область бесполезно расходуемой подложки. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Настоящее изобретение относится к технологиям роста и структурам устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых выращивают III-нитридную структуру на подложке, при этом III-нитридная структура содержит шаблон, в свою очередь содержащий первый слой, выращенный непосредственно на подложке, при этом в первом слое, по существу, не содержится индий; второй слой, выращенный над первым слоем, при этом второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и третий слой, выращенный над вторым слоем и в непосредственном контакте со вторым слоем, при этом третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; и слои устройства, выращенные поверх шаблона, слои устройства, содержащие III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа. Также предложен еще один вариант способа изготовления светоизлучающего устройства. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения в светоизлучающем устройстве, что может улучшить рабочие характеристики устройства. 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур со множественными квантовыми ямами методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и может быть использовано при изготовлении устройств на основе фотоприемных матриц с чувствительностью в глубоком инфракрасном диапазоне (8-12 мкм). Сущность изобретения: в способе выращивания гетероструктуры для инфракрасного фотодетектора, включающей подложку и вышележащие полупроводниковые слои - контактные и слои, образующие активную область, содержащую множество квантовых ям и барьеров, методом молекулярно-пучковой эпитаксии путем нагрева подложки в вакууме и попеременной подачи потоков реагентов в квантовые ямы и барьеры, а также легирующей примеси - Si в квантовые ямы, в квантовые ямы подают реагенты: Ga и As, а в квантовые барьеры - Al, Ga и As, в квантовые ямы дополнительно подают Аl в количестве, обеспечивающем его мольную долю в квантовой яме 0,02-0,10, при этом в процессе выращивания слоев, образующих активную область, температуру подложки поддерживают в пределах 700-750°С, а уровень легирования квантовых ям поддерживают в пределах (2-5)×10¹⁷ см^-3. Изобретение обеспечивает снижение количества кристаллических дефектов и повышение тем самым чувствительности (отношение сигнал/шум) и обнаружительной способности (минимальное значение детектируемого сигнала фотодетектора). 1 ил.

Изобретение относится к способам и структурам для формирования микроэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования буферной архитектуры включает формирование зародышевого слоя GaSb на подложке, формирование буферного слоя Ga(Al)AsSb на зародышевом слое GaSb, формирование нижнего барьерного слоя In_0.52Al_0.48As на буферном слое Ga(Al)AsSb и формирование переходного слоя In_xAl_1-x As на нижнем барьерном слое In_0.52Al_0.48 As. Изобретение обеспечивает изготовление структур с квантовыми ямами на основе InGaAs с малым числом дефектов и необходимым качеством. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 3 ил.

Применение: микро- и наноэлектроника, где упорядоченные наноструктуры могут использоваться в качестве эмиссионных катодов, штампов наноимпринтлитографии, калибраторов атомных силовых микроскопов, катализаторов для выращивания углеродных наноструктур и т.д. Сущность изобретения: в способе изготовления упорядоченных наноструктур, включающем формирование упорядоченно расположенных областей на поверхности основы или в ее приповерхностном слое, нанесение сплошного слоя, материал которого смачивает упорядоченно расположенные области и не смачивает основу, проведение термообработки, зависящей от толщины и температуры плавления материала сплошного слоя, до образования массива упорядоченно расположенных нанокластеров, после чего проводится травление основы, причем массив упорядоченных нанокластеров при этом является маской, или формируется углеродная наноструктура на массиве упорядоченно расположенных нанокластеров, причем они при этом являются катализатором. Техническим результатом изобретения является создание технологии получения упорядоченной структуры с высоким аспектным соотношением (высоты к ширине) элементов, что увеличивает эмиссионные свойства структуры, позволяет использовать ее в качестве штампа для наноимпринтлитографии, улучшает адгезию упорядоченно выращенных углеродных нанотрубок, из которых осуществляется эмиссия электронов, к нижележащему слою и, как следствие этого, увеличивает временную стабильность всего прибора. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для синтеза массивов пространственно-упорядоченных наночастиц полупроводников. Сущность изобретения: способ получения полупроводниковой наноструктуры включает осаждение на пористой матрице первого полупроводникового материала, удаление пористой матрицы, осаждение второго полупроводникового материала на полученную структуру первого полупроводникового материала. Формирование пористой матрицы осуществляют путем анодного окисления до образования упорядоченно расположенной структуры нанопор. Первый и второй полупроводниковые материалы осаждают термическим испарением в вакууме. Осаждают соединения, входящие в изоэлектронный ряд германия: германий, или арсенид галлия, или селенид цинка, или бромид меди. Термическое испарение полупроводникового материала осуществляют в сверхвысоком вакууме. В качестве проводящей основы используют металл. Проводящую основу наносят путем магнетронного распыления. На сформированную полупроводниковую наноструктуру, с двух сторон, наносят проводящую основу в виде пленки. В качестве пористой матрицы используют пористую матрицу из оксида металла или неметалла. Техническим результатом изобретения является создание способа формирования нанокомпозитов и наноструктур на основе полупроводниковых материалов для перспективных источников света, элементов солнечных батарей и фотодетекторов со сверхвысоким (порядка 100 нм) пространственным разрешением. 11 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к получению полупроводниковых наноматериалов. Сущность изобретения: в способе получения полупроводниковых халькогенидных наночастиц из соли металла подгруппы цинка, элементного халькогена и органического восстановительного активатора, в качестве органического активатора используют s-алкилизотиурониевые соли. Изобретение обеспечивает расширение ассортимента исходных реагентов, устраняет использование дурнопахнущих реагентов, обеспечивает стабилизацию дисперсной системы. 2 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к устройству плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента, к способу получения тонкопленочных модулей и к кремниевым тонкопленочным фотогальваническим панелям. Сущность изобретения: устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента включает средства крепления подложки, упомянутую подложку, имеющую наружную поверхность и внутреннюю поверхность, устройство плазменной горелки, устанавливаемое проксимально к упомянутой внутренней поверхности для осаждения, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки на упомянутую внутреннюю поверхность упомянутого субстрата, и средства подачи химических реагентов к упомянутому устройству плазменной горелки, где упомянутый, по меньшей мере, один тонкопленочный слой формирует упомянутые кремниевые тонкопленочные модули солнечного элемента. Техническим результатом изобретения является обеспечение более высокой скорости осаждения слоев модулей солнечных элементов, а также обеспечение низкой стоимости их получения. 4 н. и 25 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к нанопроволокам и устройствам с полупроводниковыми нанопроволоками. Сущность изобретения: Способ изготовления нанопроволок, включающий стадию формирования на подложке маски для селективного выращивания, содержащей группу отверстий, расположенных в определенном порядке и открывающих группу участков подложки, стадию селективного неимпульсного выращивания, в которой на каждом из указанных участков сквозь указанные отверстия выращивают ядра нанопроволок с использованием режима выращивания, включающего одновременную подачу исходных газообразных веществ, образующих ядра нанопроволок, в реактор для выращивания кристаллов (неимпульсный режим), стадию переключения, в которой после формирования ядер нанопроволок с заданными характристиками переключают режим выращивания из неимпульсного режима в режим, при котором происходит поочередная подача исходных газообразных веществ, образующих нитевидную часть нанопроволок, в реактор для выращивания кристаллов (импульсный режим), и стадию импульсного выращивания, в которой продолжают выращивание нитевидных частей нанопроволок в импульсном режиме с формированием множества полупроводниковых нанопроволок. Изобретение обеспечивает получение высококачественных нанопроволок и приборов на их основе. 5 н. и 20 з.п. ф-лы, 21 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе получения сверхтонких пленок кремния на сапфире в объектах, содержащих сапфировую подложку и исходный слой кремния, толщина которого значительно больше толщины получаемых тонких пленок кремния, производят аморфизацию большей части слоя кремния, после чего производят твердофазную рекристаллизацию этого слоя, при которой используют оставшуюся часть слоя кремния, не затронутую аморфизацией, в качестве затравочного слоя, причем рекристаллизацию производят с использованием затравочного слоя, примыкающего к границе раздела кремний-сапфир, а толщину этого затравочного слоя делают в процессе аморфизации минимально возможной без ухудшения качества рекристаллизованного слоя. Технический результат: уменьшение энергии имплантации при аморфизации, недопущение радиационных дефектов в сапфировой подложке и вследствие этого недопущение автолегирования кремниевого слоя атомами алюминия в процессе рекристаллизации.

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Сущность изобретения: в способе получения атомно-тонких монокристаллических пленок, включающем выделение тонких монокристаллических фрагментов из исходных слоистых монокристаллов, соединение их с рабочей подложкой и формирование атомно-тонких монокристаллических пленок, после соединения тонких монокристаллических фрагментов с рабочей подложкой помещают рабочую подложку в плазменный реактор и осуществляют последовательное стравливание слоев с тонких монокристаллических фрагментов используя низкоэнергетический монохроматический ионный пучок с энергией, изменяемой в процессе травления, причем пучок ориентирован преимущественно перпендикулярно плоскости рабочей подложки. Техническим результатом изобретения является повышение размеров атомно-тонких монокристаллических пленок. 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области обработки поверхностей сапфировых подложек шлифованием. Способ включает шлифование поверхности каждой сапфировой подложки с использованием абразива, так что первая поверхность имеет ориентацию в с-плоскости. Партия сапфировых подложек содержит по меньшей мере 20 подложек, причем каждая сапфировая подложка имеет первую поверхность, которая имеет (i) ориентацию в с-плоскости, (ii) угол ( _m) дезориентации кристаллографической m-плоскости и (iii) угол ( _а) дезориентации кристаллографической а-плоскости, причем по меньшей мере (а) стандартное отклонение _m угла _m дезориентации ориентировочно не превышает 0.0130 градусов или (b) стандартное отклонение _а угла _а дезориентации ориентировочно не превышает 0.0325 градусов. Технический результат - повышение качества сапфировых подложек, имеющих большие площади поверхности. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил., 6 табл.

Изобретение относится к нанотехнологии и производству наноструктур. Техническим результатом данного изобретения является получение протяженных массивов наноструктур с возможностью обеспечения эффективного управления формой и ориентацией синтезируемых частиц, селекцией легких и тяжелых частиц для получения большей однородности наноструктур. Сущность изобретения: в способе формирования наноструктур на подложке путем управляемого лазерного воздействия на образец через подложку с зазором между образцом и подложкой, варьируя параметрами лазерного излучения и расстоянием между подложкой и образцом, проводят селекцию наночастиц, которые в процессе осаждения формируют наноструктуру на подложке при зазоре от нескольких микрон до 2 мм в атмосфере воздуха. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам на кристаллической нитридной подложке. Сущность изобретения: кристаллическая подложка из Al_xGa_yIn _1-x-yN (0 х, 0 у, х+у 1) (12) имеет главную плоскость (12m) с площадью по меньшей мере 10 см², в которой упомянутая главная плоскость (12m) имеет внешнюю область (12w), расположенную в пределах 5 мм от внешней периферии упомянутой главной плоскости, и внутреннюю область (12n), соответствующую области, отличной от упомянутой внешней области. Упомянутая внутренняя область (12n) имеет суммарную плотность дислокации, по меньшей мере, 1×10² см^-2 и не более 1×10⁶ см^-2 . Изобретение позволяет получить кристаллическую подложку из Al_xGa_yIn_1-x-yN в качестве подложки полупроводникового прибора, которая является большой по размеру и имеет подходящую плотность дислокации, полупроводниковый прибор, содержащий такую кристаллическую подложку, и способ его изготовления. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области получения тонких пленок оксида олова в высокодисперсном состоянии на поверхности различных подложек и может быть использовано в процессах синтеза рецепторных слоев для полупроводниковых и других газовых сенсоров, синтеза пленок оксида олова для электроники. Сущность изобретения: в способе получения пленочных покрытий оксида олова на подложках, заключающемся в том, что прекурсоры оксида олова переводят в газовую фазу нагреванием при температуре 65÷150°С, затем газообразные прекурсоры переносят газом-носителем, таким как воздух, кислород или их смеси с аргоном или азотом, который пропускают со скоростью 20÷250 мл/мин, в зону разложения, нагретую до температуры 250÷550°С, куда помещают подложку для осаждения на ней пленок оксида олова, при этом в качестве прекурсоров оксида олова выбирают краунсодержащие -дикетонаты или карбоксилаты олова. Целесообразно, что краунсодержащие -дикетонаты или карбоксилаты олова выбирают из ряда: [Sn(18-кpayн-6)(C ₅H₇O₂)₂], [Sn(18-краун-6)(C ₅H₄O₂F₃)₂], [Sn(18-краун-6(C₅HO₂F₆) ₂], [Sn(18-краун-6)(СН₃СОО)₂], [Sn(18-краун-6)(CF ₃COO)₂]. Способ обеспечивает получение пленочных покрытий оксида олова с использованием нетоксичных, не подвергающихся гидролизу при хранении прекурсоров оксида олова, не выделяющих при термолизе токсичных побочных продуктов, способ не требует введения дополнительного газа-окислителя в зону разложения прекурсора и осаждения пленочных покрытий. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.

Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию и предназначено для замкнутого цикла производства новых изделий наноэлектроники. Сущность изобретения: в нанотехнологический комплекс на основе эпитаксиальных и ионных технологий, включающий камеру загрузки, модуль молекулярно-лучевой эпитаксии, модуль ионной имплантации, транспортную систему с захватом, носители подложек и средства откачки, введен блок переворота подложек, а транспортная система выполнена в виде автономной распределительной камеры с блоком откачки и соединительными фланцами, в которой расположен центральный робот-распределитель с возможностью осевого вращения, а также с возможностью взаимодействия, по меньшей мере, одним захватом носителей подложек с камерой загрузки, модулем молекулярно-лучевой эпитаксии и модулем ионной имплантации, состыкованными через соединительные фланцы с распределительной камерой. Изобретение позволяет расширить функциональные возможности нанотехнологического комплекса. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области получения структур, например, элементов памяти, необходимых для использования в микроэлектронике, системотехнике. Сущность изобретения: способ получения ферромагнитного кремния для изделий спинтроники заключается в поочередном осаждении в вакууме слоев кремния и переходного 3d металла на подложку, при этом осаждение проводят из лазерной плазмы, подученной импульсным лазерным испарением мишеней из соответствующего материала. Подложку устанавливают в периферийной части потоков испаряемых материалов, а осаждение слоев проводят при взаимном перемещении мишеней и подложки относительно друг друга. Толщину напыляемых слоев и относительное содержание металла регулируют изменением потоков лазерного излучения на каждую мишень. Облучение каждой мишени ведут своим источником импульсного лазерного излучения, а при использовании одной лазерной установки с помощью оптических призм и фокусирующих линз формируют два независимых потока лазерного излучения. Изобретение обеспечивает получение ферромагнитного кремния с аномальным эффектом Холла, с сигналом намагниченности при комнатной температуре при удешевлении способа. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области низкоразмерной нанотехнологии и высокодисперсным материалам и может быть использовано для получения упорядоченного массива наночастиц полупроводников на основе мезапористых твердофазных матриц. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур полупроводника, включающем формирование пористой матрицы из оксидов металлов или неметаллов с последующим осаждением в матрицу полупроводниковых материалов, формирование матрицы осуществляют путем двухстадийного анодного окисления исходного материала матрицы до образования упорядоченно расположенной структуры нанопор, а полупроводник осаждают в матрицу термическим испарением его в вакууме, затем на заполненную матрицу наносят проводящую основу в виде пленки с последующим удалением матрицы. Изобретение обеспечивает повышение технологичности получения упорядоченных массивов полупроводников, как элементарных, так и являющихся химическим соединением, на основе мезапористых твердофазных матриц. Кроме того, появляется возможность одновременного получения двух типов наноструктур - квантовых точек и нановолосков материала. 6 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 табл.

Изобретение относится к нитридным полупроводникам р-типа проводимости и светоизлучающим приборам с их использованием. Сущность изобретения: способ изготовления нитридного полупроводника р-типа, включающий в себя: выращивание нитридного полупроводника р-типа с многослойной структурой, имеющей множество высококонцентрированных тонких пленок и множество низкоконцентрированных тонких пленок, расположенных попеременно; отжиг нитридного полупроводника р-типа для улучшения его электрических свойств, при этом нитридный полупроводник р-типа с многослойной структурой выращивают путем модулированного легирования, при котором поток источника легирующей примеси р-типа для высококонцентрированных тонких пленок по меньшей мере в два раза больше, чем поток источника легирующей примеси р-типа для низкоконцентрированных тонких пленок. Также предлагается нитридный полупроводниковый светоизлучающий прибор с активным слоем из указанного нитридного полупроводника р-типа. Изобретение обеспечивает получение многослойного нитридного полупроводника р-типа с повышенной проводимостью и высокой кристалличностью. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к оборудованию для получения микроэлектронных устройств методом ионного распыления. Изобретение направлено на усовершенствование конструкции для получения на подложке многослойных структур, используя одну ионную пушку. Сущность изобретения: в установке для получения многослойных структур, включающей вакуумную камеру, каретку с механизмом вращения, нагреватель с подложкой, ионную пушку, системы контроля процесса роста кристалла, получения и поддержания сверхвысокого вакуума и управления, соосно ионной пушке и нагревателю с подложкой установлено устройство, включающее неподвижный экран с одним отверстием, вращающийся на оси сепаратор с радиальными отверстиями, соединенный со своим механизмом вращения, а также конусообразный съемный держатель мишеней с продольным пазом, на внутренней поверхности которого закреплены мишени, а коаксиально держателю мишеней установлен неподвижно конусообразный экран с продольным пазом и одним отверстием, внутренняя поверхность которого снабжена сменной прокладкой, причем отверстия в экране, держателе мишеней и маске находятся на одинаковом расстоянии от оси вращения сепаратора. 3 ил.

Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при создании микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в способе создания пленок германия на подложке формируют пленку германийсодержащего материала (GeO) толщиной 5-100 нм. Затем электрод-иглу приводят в контакт с пленкой GeO и подают положительный относительно поверхности пленки электростатический потенциал 6-40 В в течение 10^-5-10 сек. При этом на электрод-иглу воздействуют силовым давлением, прижимающим к пленке, равным 10⁵ - 10 ⁹ Н/м². Воздействие давлением осуществляют в постоянном или периодическом режиме с приведением электрода-иглы в контакт с поверхностью пленки 1÷10⁶ раз на протяжении подачи электростатического потенциала. После этого электрод-иглу приводят в контакт в других точках, формируя наноструктурированную пленку германия из локально модифицированных участков. Способ обеспечивает уменьшение размеров создаваемых участков структурированных пленок германия. 9 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов и солнечных элементов, может быть использовано в разработке тонкопленочных транзисторов, а также других приборов типа кремний на диэлектрике и кремниевых интегральных микросхем на стекле и подложках из полимерных соединений. Сущность изобретения: в способе изготовления тонких кристаллических пленок кремния с толщинами менее 100 нм на стекле для полупроводниковых приборов, включающем очистку в вакууме подложки стекла слабоионизованной плазмой азота, очистку в вакууме поверхности слабоионизованной плазмой водорода, вакуумно-плазменное осаждение из газовой фазы кремнийсодержащих газов кремния, формирование тонкой кристаллической пленки кремния на подложке стекла, на подложку до осаждения кремния наносят тонкопленочные металлические электроды прибора, выполненные из тугоплавких металлов или их сплавов, и производят их нагревание во время формирования пленки кремния, что приводит к образованию полностью кристаллической пленки кремния. Техническим результатом изобретения является получение тонкой кристаллической пленки кремния с высоким качеством материала и высокой степенью однородности при напылении ее на большие подложки, снижение стоимости технологического процесса изготовления приборов на основе такой пленки. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 8 ил.