Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ...приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения A_IIIB_V с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками – H01L 21/18

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д. Изобретение обеспечивает повышение качества р-n перехода за счет получения совершенного р-n перехода на основе совместимых друг с другом компонентов, в котором отсутствует его закорачивание. Сущность изобретения: способ получения гетерогенного р-n перехода на основе наностержней оксида цинка включает выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней. Осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней. 4 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников полупроводниковую подложку арсенида индия погружают в электролит, содержащий электропроводящий компонент, органический растворитель и фторсодержащую добавку - фторид аммония, осуществляют анодирование, создавая тонкий слой, формирующий границу раздела полупроводник-диэлектрик, затем подложку извлекают и на тонком слое, формирующем границу раздела, выращивают слой диэлектрика, после чего осуществляют формирование затвора. В электролите фторсодержащую добавку берут в количестве, равном от 0,1 до 15 г/л. Изобретение обеспечивает повышение качества МДП-структур за счет снижения плотности поверхностных состояний до значении порядка 10¹⁰ см^-2 эВ^-1 и величины встроенного заряда до значений менее 10¹¹ см^-2, обусловленного образованием на межфазной границе фторидов мышьяка и индия, а также фосфата индия. 10 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине. Сущность изобретения: в способе изготовления датчика скорости потока газа и жидкости на планарной поверхности полупроводниковой подложки изготавливают многослойную пленочную структуру, содержащую механически напряженные слои в последовательности: сжатый, растянутый, а также проводящий. Литографически задают рисунок термоанемометра, включающий отделяемый от подложки участок для формирования трубчатого чувствительного элемента под действием механических напряжений и участок тоководов к концам трубчатого чувствительного элемента. Затем на остальной части многослойной пленочной структуры формируют сквозные окна до подложки для последующего травления подложки. На участках тоководов создают низкоомные тоководы, являющиеся и механическими упорами, или дополнительно формируют механический упор для трубчатого чувствительного элемента. Травят материал подложки под участком, предназначенным для формирования трубчатого чувствительного элемента, чем трансформируют его в трубчатый чувствительный элемент. В заключение удалением материала подложки формируют одновременно чип и держатели трубчатого чувствительного элемента, на которых расположены тоководы. Способ обеспечивает повышение механической прочности готовых изделий и повышение точности измерений. 14 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием. В устройствах спинтроники электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура, включающая цинк, кремний, мышьяк и марганец, которая представляет собой тройное соединение арсенида цинка и кремния, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, указанное соединение синтезировано на подложке монокристаллического кремния и отвечает формуле ZnSiAs ₂:Mn/Si, при этом гетероструктура получена путем напыления пленки марганца и диарсенида цинка на подложку кремния с последующей термической обработкой. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств гетероструктуры с температурой Кюри значительно выше комнатной и совместимость с кремниевой технологией делает ее перспективным продуктом для широкого практического использования. 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Journal of Korean Physical Society. 46 (4), 2005, 977-980, (реферат [он-лайн] [найдено 26.10.2006]. STN International. Database. CA. AN 143: 237409.

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации. Изобретение направлено на увеличение выхода годных магнитодиодов, повышение точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, расширение диапазона магниточувствительности с одной партии, улучшение технологичности способа, уменьшение затрат при его реализации с сохранением параметров магнитодиодов, изготовленных известными способами. Сущность изобретения: в способе изготовления магнитодиода, включающем формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности, инжекционные области второго типа проводимости формируют в виде меза-структур, путем диффузии фосфора по всей поверхности подложки и дальнейшего локального стравливания легированного слоя вне инжекционных областей, а подгонку параметров магнитодиодов по чувствительности производят путем формирования кристаллов, содержащих более одного магнитодиода с различной длиной базы и выбора магнитодиода с необходимым значением магниточувствительности из представленного диапазона. 4 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Изобретение позволяет изготовить приборы на основе арсенида галлия с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия приборы изготавливают из приборных структур с концентрацией электронов в активной области больше требуемой для обеспечения выходных параметров приборов, после изготовления приборы облучают флюенсом быстрых нейтронов, величину которого определяют по формуле ,

где F_n - значение флюенса нейтронов; - уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора при облучении флюенсом быстрых нейтронов F_n; n₀ - концентрация электронов в активной области прибора до облучения, см ^-3; n₁ - концентрация электронов в активной области приборов после облучения, требуемая для обеспечения выходных параметров, см^-3; а после облучения проводят токовую тренировку в непрерывном режиме питания при температуре 85±5°С в течение 10-24 часов. 1 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия. Способ позволяет изготовить приборы с повышенной стойкостью к облучению электронами и гамма-квантами. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия приборы изготавливают из приборных структур с концентрацией электронов в активной области больше требуемой для обеспечения выходных параметров приборов, после изготовления приборы облучают флюенсом быстрых нейтронов, величину которого определяют по формуле

где F_n - значение флюенса нейтронов; - уровень изменения исходной концентрации электронов в активной области прибора при облучении флюенсом быстрых нейтронов F_n; n₀ - концентрация электронов в активной области прибора до облучения, см ^-3; n₁ - концентрация электронов в активной области приборов после облучения, требуемая для обеспечения выходных параметров, см^-3, а после облучения проводят термическую обработку при температуре 200±20°С в течение 30-60 мин. 1 ил.