Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ...приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала – H01L 21/06

Изобретение относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано для неразрушающего исследования топологии интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ контроля интегральной микросхемы (ИМС) предусматривает формирование ее физической модели в полупроводниковой структуре «кремний-на-изоляторе», тыльная поверхность которой выполнена прозрачной для инфракрасного излучения с последующим исследованием топологии ИМС с тыльной поверхности структуры «кремний-на-изоляторе» в инфракрасном диапазоне длин волн от 940 до 1050 нм под микроскопом, оснащенным фотоприемником на основе ПЗС матрицы. Возможно проведение исследования модели, подключенной к источнику электрического питания. Технический результат - повышение информативности контроля при неразрушающем контроле ИМС. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.