Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей: ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей – H01L 21/04
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 21/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей
H01L 21/04 ..приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
Патенты в данной категории
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ СЛОИСТОГО ПОЛУПРОВОДНИКА
Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: способ изготовления гетероперехода на основе слоистого полупроводника включает облучение слоистого полупроводника в месте предполагаемого расположения электрического контакта одиночным импульсом технологичного лазера с плотностью энергии Е = 1,2  Eпор, где Е - плотность энергии импульса лазера, Епор - плотность энергии лазера, необходимая для расплавления поверхности слоистого полупроводника. На предполагаемое место контакта наносят металл с соответствующей работой выхода путем осаждения меди из водного раствора CuSO4 с помощью вытеснения меди иглой, изготовленной из индия. Производят отслаивание по плоскостям спайности монокристаллических пластин или пленок слоистого полупроводника для нанесения их на подложку изготавливаемого гетероперехода. Изготавливают гетеропереход с помощью механического прижима монокристаллической пластины или пленки слоистого полупроводника к подложке. Изготовленный гетеропереход выдерживают в течение 15 - 20 суток при комнатной температуре для обеспечения полной диффузии контактного металла в слоистый полупрводник. Для прозрачных лазерному излучению полупроводниковых материалов, например, типа GaSe облучение технологическим лазером производят перпендикулярно к слоям до образования визуально наблюдаемой впадины или отверстия. Для непрозрачных лазерному излучению полупроводниковых материалов, например, типа InSe облучение технологическим лазером производят параллельно к слоям до образования визуально наблюдаемого оплавленного участка. 3 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
2119210 патент выдан: опубликован: 20.09.1998 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к производству мощных полупроводниковых приборов-транзисторов, тиристоров и других полупроводниковых приборов с высоковольтными p-n-переходами. Сущность изобретения: формируют активные элементы на пластине, разделяют пластины на кристаллы, отбраковывают дефектные структуры, закрепляют крислаллы на временной подложке. Затем утоняют кристаллы до толщины не менее ширины области пространственного заряда высоковольтного p-n-перехода и формируют общий омический контакт для всех кристаллов, а также межсоединение. 3 ил. | 2022399 патент выдан: опубликован: 30.10.1994 |
|