Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией: .....для стирания блоков, например массивов, слов, групп – G11C 16/16

МПКРаздел GG11G11CG11C 16/00G11C 16/16
Раздел G ФИЗИКА
G11 Накопление информации
G11C Запоминающие устройства статического типа
G11C 16/00 Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией
G11C 16/16 .....для стирания блоков, например массивов, слов, групп

Патенты в данной категории

МАТРИЦА ФЛЭШ-ПАМЯТИ С ВНУТРЕННИМ ОБНОВЛЕНИЕМ

Изобретение относится к матрице флэш-памяти, в частности к режиму внутреннего обновления матрицы флэш-памяти. Техническим результатом является возможность обновления одной строки ячеек памяти после каждой N-операции стирания и программирования, выполняемой для матрицы флэш-памяти. Способ функционирования матрицы флэш-памяти содержит операции выбора в матрице флэш-памяти строки, которая должна быть обновлена, стирания этой строки, программирования этой строки, создания приращения адреса упомянутой строки, которая должна быть обновлена, в матрице флэш-памяти. Другой вариант способа содержит операции считывания выбранной строки в матрице флэш-памяти и сохранения состояния выбранного бита из упомянутой выбранной строки, стирания этой строки в матрице флэш-памяти, программировании этой строки в матрице флэш-памяти и установки упомянутого выбранного бита в первое состояние, если его состояние, сохраненное на перовой операции, является первым состоянием. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 18 ил.
2224303
патент выдан:
опубликован: 20.02.2004
Наверх