Программируемые постоянные запоминающие устройства со стираемой информацией – G11C 16/00

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в достижении воспроизводимости окна гистерезиса резистивного элемента памяти. Резистивный флэш элемент памяти содержит полупроводниковую подложку с выполненным на ее рабочей поверхности проводящим электродом, на котором расположен слой диэлектрика, на слое диэлектрика выполнен второй проводящий электрод, причем проводящий электрод со стороны диэлектрика снабжен выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, при этом со стороны диэлектрика выступом, обеспечивающим локализацию формирования проводящей электрический ток нити через диэлектрик и необходимую напряженность электрического поля для формирования нити и протекания электрического тока, снабжен проводящий электрод, выполненный на рабочей поверхности подложки, или второй проводящий электрод, выполненный на слое диэлектрика. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к средствам защиты от несанкционированного доступа к информации. Технический результат заключается в повышении надежности устройства хранения данных и обеспечении более высокой степени безопасности хранения информации. Устройство хранения данных содержит блок управления, первая группа входов-выходов которого соединена с группой входов-выходов блока памяти, причем дополнительно введены блок коммутации ключевых цепей и блок защиты ключевых цепей, группа входов которого является группой входов устройства хранения данных, а группа выходов соединена с группой входов блока коммутации ключевых цепей, первая группа входов-выходов которого является группой входов-выходов устройства хранения данных, а вторая группа входов-выходов соединена со второй группой входов-выходов блока управления. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к передаче и обработке данных и, в частности, к картам сбора данных, системам управления расширением карт сбора данных и способам управления расширением карт сбора данных. Технический результат - адаптация к различным видам последовательных интерфейсов и возможность реализовать параллельное управление множеством карт сбора данных, таким образом обеспечивая хорошую универсальность и расширяемость; при этом карта сбора данных непосредственно получает управление от пользовательской схемы, не имеет проблем, связанных с модернизацией программного обеспечения и несовместимостью протоколов, и имеет высокую стабильность. Способ включает предварительное задание адреса карты для каждой карты сбора данных и предварительное задание адреса канала для каждого канала данных в карте сбора данных; генерирование картой сбора данных соответствующего сигнала адреса канала после получения тактового сигнала карты от пользовательской схемы и определение, стробируется ли карта сбора данных; и если карта сбора данных стробируется, то генерирование соответствующего сигнала адреса канала после получения тактового сигнала канала от пользовательской схемы и стробирование канала данных, соответствующего сигналу адреса канала. Карта сбора данных, система управления расширением карт сбора данных и соответствующий способ обеспечивают хорошую расширяемость и высокую стабильность. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Предложены съемный носитель информации, устройство воспроизведения информации со съемного носителя и способ защиты информации на съемном носителе. Съемный носитель состоит из двух модулей, соединенных между собой и снабженных пазом. Один из модулей содержит контактную группу, а другой - чип флеш-памяти. Носитель выполнен одноразовым, разрушающимся при извлечении, за счет того, что модули соединены между собой посредством общего внешнего контура, который выполнен гибким, при этом внешний контур соединяет модули с одной стороны. Техническим результатом, обеспечиваемым приведенной совокупностью признаков, является обеспечение невозможности воспроизведения информации со съемного носителя вне системы распределенных устройств, снабженных соответствующим разъемом, а также невозможность повторного воспроизведения информации. 3 н.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении быстродействия, надежности и интеграции энергонезависимых электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭСППЗУ). Ячейка памяти, содержащая n(р)-МОП-транзистор, конденсатор, адресную разрядную шину, дополнительно содержит первый и второй диоды и числовую шину, при этом катод (анод) первого диода соединен с числовой шиной истоком n(р)-МОП-транзистора, его анод соединен с анодом второго диода, с подзатворной областью n(р)-МОП-транзистора и первым выводом конденсатора, второй вывод которого подсоединен к затвору n(р)-МОП-транзистора и к адресной шине, а катод второго диода соединен с областью стока n(р)-МОП-транзистора и разрядной шиной. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к носителям информации. Техническим результатом является обеспечение повышенной скорости доступа к памяти и экономии энергии источника питания внешнего устройства за счет организации в носителе прямого доступа к памяти и снижения производительности встроенного процессора. Съемный носитель информации с повышенной скоростью доступа содержит блок внешнего интерфейса, первый контроллер прямого доступа к памяти, первое и второе оперативные запоминающие устройства данных, коммутатор, второй контроллер прямого доступа к памяти, блок флэш-памяти, блок интерфейса флэш-памяти, оперативное запоминающее устройство физических секторов, микропроцессор, оперативное запоминающее устройство программ, постоянное запоминающее устройство. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении надежности работы ячейки памяти. Ячейка памяти для быстродействующего ЭСППЗУ с управляемым потенциалом подзатворной области, электрическая схема ячейки памяти содержит n(р)-МОП-транзистор, первый и второй диоды, конденсатор, числовую, адресную и разрядную шины, при этом катод (анод) первого диода соединен с числовой шиной и истоком n(р)-МОП-транзистора, его анод соединен с анодом второго диода, с подзатворной областью n(р)-МОП-транзистора и первым выводом конденсатора, второй вывод которого подсоединен к затвору n(р)-МОП-транзистора и к адресной шине, а катод второго диода соединен с областью стока n(р)-МОП-транзистора и разрядной шиной, причем электрическая схема ячейки памяти дополнительно содержит р(n) полевой - транзистор, общую и управляющую шины, при этом его исток подключен к подзатворной области МОП-транзистора, затвор - к управляющей шине, а сток - к общей шине. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к интегральным микросхемам радиочастотных идентификационных устройств. Техническим результатом является обеспечение уменьшения размеров кристалла интегральной микросхемы радиочастотного идентификатора, а также возможности записи индивидуального кода в блок элементов памяти постоянного запоминающего устройства. Устройство содержит вывод контактной площадки (1), связанный с управляющими затворами МОП-транзисторов с плавающим затвором запоминающих элементов (13), с истоками диодно-включенных n-канальных транзисторов (9 и 10), р-канального МОП транзистора (4), сток которого связан со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (5), исток которого связан со стоком транзистора (13), со входом модулятора (20) и со стоком диодно-включенного n-канального транзистора (6), исток которого и затвор транзистора (4) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Выводы контактных площадок (2 и 3) подключены к резонансному антенному контуру. Вывод (2) связан со стоками транзисторов (7), (9), (11) и затвором транзистора (8), вывод (3) связан со стоками транзисторов (8), (10), (12) и затвором транзистора (7). Стоки транзисторов (11 и 12) подключены к шине положительного питания (+Еп) (19). Истоки транзисторов (13) связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (14), истоки которых связаны со стоками адресных n-канальных МОП-транзисторов (15), истоки которых и стоки транзисторов (7) и (8) подключены к шине земли ( ) (18). Затворы транзисторов (14) и (15) подключены к выходам дешифраторов строк (16) и столбцов (17) соответственно. 1 ил.

Предложены способ и устройство стирания информации с полупроводниковой микросхемы. В способе микросхему размещают на плоском отражателе тепла из немагнитного металла между кольцевыми дросселями полеобразующей системы так, чтобы плоскость подложки микросхемы была параллельна плоскости кольцевых дросселей полеобразующей системы. Облучают микросхему импульсами синусоидального электромагнитного поля частотой более 200 кГц, длительностью не менее 1,5 мс, интенсивность облучения не менее 167 кВт в импульсе, кроме того, амплитуду каждого импульса синусоидального электромагнитного поля уменьшают во времени. Техническими результатами являются увеличение надежности стирания информации, уменьшение энергопотребления и упрощение конструкции устройства стирания информации. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей программаторов ИМС flash-памяти типа NAND путем создания гибкого, настраиваемого пользователем интерфейса связи с ИМС flash-памяти типа NAND, обеспечивающего возможность работы со всеми ИМС flash-памяти типа NAND, а также за счет добавления функций чтения идентификационного номера ИМС, чтения статуса ИМС и функции сброса ИМС. Способ программирования ИМС flash-памяти типа NAND, в котором выполняют инициализацию устройства, при команде чтения данных выполняют цикл команды чтения, производят необходимое количество циклов установки адреса страницы, при команде записи данных выполняют цикл команды записи, производят необходимое количество циклов установки адреса страницы, при команде стирания данных выполняют цикл команды стирания, причем после приема команды выполняют извлечение параметров команды, а после выполнения заданного количества циклов чтения данных производят инкрементирование адреса страницы и выполняют проверку равенства количества прочитанных страниц с заданным количеством, при команде установки параметров ИМС выполняют сохранение параметров ИМС в регистре параметров flash-интерфейса, производят применение этих параметров и переходят в цикл ожидания приема следующей команды. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к средствам записи в запоминающие устройства. Техническим результатом является обеспечение адаптации режимов записи в зависимости от выявленных дефектов записи. Для хранения потоковых HD видеоданных используют системы на основе флэш-памяти. Физический доступ к устройствам флэш-памяти осуществляют в странично-ориентированном режиме. При этом входные данные записывают в режиме мультиплексирования в матрицу множественных флэш-устройств. Осуществляют обработку списка, и дефектные страницы блоков флэш-памяти единичных флэш-устройств адресуют в архитектуре матрицы. При записи в последовательном режиме, содержание данных для текущей страницы флэш-устройства всех флэш-устройств матрицы копируют в соответствующую область памяти в дополнительном буфере памяти. После того как текущая серия страниц записана без ошибок во флэш-устройства, соответствующую область памяти в дополнительном буфере памяти перезаписывают данными следующей страницы. В случае возникновения ошибки в текущей странице в одном или нескольких флэш-устройствах, содержание этих текущих страниц сохраняют в дополнительном буфере памяти. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствам с последовательным доступом, в частности к способу управления записью данных в указанное запоминающее устройство. Техническим результатом является защита полупроводникового запоминающего устройства от записи в него входных данных, которые не удовлетворяют конкретным требованиям для данных. В том случае когда значение входных данных для записи больше значения существующих данных в матрице памяти, полупроводниковое запоминающее устройство разрешает записывать входные данные для записи в матрицу памяти. Котроллер считывания считывает существующие данные из матрицы памяти и сравнивает их с данными для записи, зафиксированными в 8-разрядном регистре-защелке. В том случае когда значение данных для записи больше значения существующих данных, контроллер приращения выдает сигнал WEN1 разрешения записи в контроллер записи/считывания и выполняет запись данных для записи, зафиксированных в 8-разрядном регистре-защелке, в матрицу памяти. 18 н. и 12 з.п. ф-лы, 15 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано в запоминающих устройствах, выполненных на блоках памяти с многоразрядной организацией. Техническим результатом является повышение надежности устройства и расширение функциональных возможностей. Постоянное запоминающее устройство содержит блоки памяти, магистраль инициализации, магистраль режима работы, магистраль адреса, магистраль записи, корректор одиночных ошибок и магистраль данных, блок управления упаковкой разрядов слова, блоки элементов И, блок элементов ИЛИ и блок выдачи слова, индивидуальные магистрали адреса блоков памяти и блока управления упаковкой разрядов слова подключены к друг другу, образуя общую магистраль адреса устройства, индивидуальные магистрали режима работы блоков памяти подключены к друг другу, образуя общую магистраль режима работы, индивидуальные магистрали инициализации блоков памяти, блока управления упаковкой разрядов слова, корректора одиночных ошибок и блока выдачи слова подключены к друг другу, образуя общую магистраль инициализации. 2 ил., 1 табл.

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к средствам для определения концентрации анализируемого вещества. Прибор определяет концентрацию анализируемого вещества. Программирующая карта памяти выполнена с возможностью передачи обновленной информации прибору, определяющему концентрацию анализируемого вещества. Программирующая карта памяти передает обновленную информацию процессору прибора. Программирующая карта памяти включает в себя энергонезависимую память и коммуникационную шину. В энергонезависимой памяти хранится обновленная информация, и она может соединяться с процессором прибора для передачи данных. Коммуникационная шина имеет, по меньшей мере, две линии, позволяющие устанавливать связь между памятью и процессором прибора для передачи данных. Использование изобретения обеспечивает передачу обновленных данных в прибор при малых усилиях со стороны пользователя или практически без его участия. 6 н. и 38 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, в различных портативных электронных устройствах, а также в различных электронных платежных средствах и документах. Техническим результатом является повышение надежности флэш-элемента памяти ЭППЗУ в режиме хранения информации. Флэш-элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней истоком и стоком, на которой между истоком и стоком выполнены туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, при этом между запоминающим слоем и блокирующим слоем выполнен дополнительный блокирующий слой из оксида кремния, обладающего значением диэлектрической проницаемости, значительно меньшим, чем диэлектрическая проницаемость материала блокирующего слоя. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к управлению содержимым в кэше. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей. Сервер обеспечивает ответы Web, которые могут содержать содержимое из таблиц данных в базе данных. Сервер поддерживает кэш (например, в системной памяти), в котором может храниться содержимое (включая содержимое из таблиц данных) для повышения эффективности последующего обеспечения этого содержимого для удовлетворения запросов клиентов Web. Сервер осуществляет мониторинг таблиц данных в отношении изменений, и при изменении в конкретной таблице данных элементы в кэше, зависимые от конкретной таблицы данных, признаются недействительными. Дополнительно, в ответ на запрос Web клиента на ответ Web сервер назначает зависимость кэша от базы данных по меньшей мере части созданного ответа Web (например, для содержимого, извлеченного из таблицы данных) на основе команд, исполняемых при создании ответа Web. По меньшей мере часть созданного ответа Web впоследствии кэшируется в области кэша в сервере. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 5 ил.

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO₂. В результате обеспечивается снижение напряжения (до 4В) и времени (до 10^-7с) записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации (до 12 лет). 6 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для стирания записей с неоднородных полупроводниковых носителей информации, в частности флэш-памяти. Устройство стирания записанной информации содержит источник постоянного тока, устройство включения питания, делитель тока, устройство демпфирования, накопитель энергии на конденсаторах, устройство коммутации, полеобразующую систему, выполненную на соленоидах, устройство управления, четырехпроводной кабель и четырехконтактный коннектор. Полеобразующая система имеет каркас, на котором установлены четыре соленоида один внутри другого. Обмотки катушек пары соленоидов выполнены косоугольными, с наклоном витков проводов обмоток в плоскостях узких стенок каркаса к его продольным ребрам соленоидов под острым углом. Намотка проводов катушек второй пары соленоидов выполнена зигзагообразной, наклонной в плоскостях широких и узких стенок каркаса под острыми углами. Под действием создаваемого устройством быстроменяющегося электромагнитного поля изменяется структура размещения зарядов на полупроводниковом носителе информации, что улучшает качество стирания информации без возможности ее восстановления при сокращении времени стирания. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Электронный прибор в соответствии с изобретением с микропроцессором, с энергонезависимым перезаписываемым запоминающим устройством предназначен для обеспечения заданного максимального количества доступов в режиме записи MSZ. Прибор содержит счетчик, который регистрирует доступы в режиме записи, и микропроцессор в зависимости от изменения количества доступов в режиме записи и, при необходимости, от максимального количества допусков в режиме записи, формирует сигнал тревоги. Техническим результатом является повышение срока службы прибора. 13 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ стирания записанной на микросхеме с неоднородным полупроводниковым носителем информации с энергонезависимой памятью состоит в том, что на микросхему и управляющий затвор кратковременно подают номинальные напряжения питания. В это время в проводниках микросхемы, размещенных на ее подложке, возбуждают токи Фуко интенсивностью не менее 60 мА с помощью облучения проводников микросхемы двумя ортогональными переменными синусоидальными магнитными полями. Облучение производят с помощью трех дросселей магнитными полями под острыми углами с двух сторон перпендикуляра к подложке. В плоскости, лежащей перпендикулярно направлению распространения магнитного поля, изменяют направление его вектора от 90° до 270° с частотой первого магнитного поля , со значением не менее 6,28 рад·кГц и интенсивностью, достаточной для возбуждения в проводниках микросхемы токов Фуко со значением не менее 20 мА. В плоскости, лежащей перпендикулярно направлению распространения второго магнитного поля, изменяют направление его вектора от 180° до 360° с частотой второго магнитного поля, значения которой лежат в пределах от 2 до 4 . Значение амплитуды второго магнитного поля более чем в два раза превышает значение амплитуды первого магнитного поля. Вторым магнитным полем начинают производить облучение через четверть периода частоты после начала облучения первым магнитным полем. Длительность облучения должна быть не менее длительности включения номинального напряжения питания микросхемы. В четвертый цилиндрический дроссель помещается носитель. Поперечные размеры полости дросселя больше поперечных размеров подложки с записанной информацией. Дроссель расположен внутри третьего цилиндрического дросселя соосно. Первый и второй кольцевые дроссели распложены соосно с противоположных боковых сторон третьего дросселя и так, что продольная ось первого и второго дросселей ортогональна продольной оси третьего и четвертого дросселей и эти оси пересекаются в середине третьего дросселя. Технический результат заключается в улучшении надежности стирания информации без возможности ее восстановления, сокращении времени стирания, снижении энергопотребления. 3 н. и 3 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к импульсной технике. Достигаемый технический результат - малое время стирания информации, возможность санкционирования доступа к считыванию информации и простота управления. Репрограммируемое постоянное запоминающее устройство содержит информационные вход (1) и выход (2), блок (3) связи (БС), блок (4) микропроцессорного управления (БМУ), блок (5) формирования сигнала сброса (БФСС), блок (6) выбора памяти (БВП), блок (7) репрограммируемой памяти (БРП) и блок (8) формирования напряжения программирования (БФНП). Вход программирования БРП (7) соединен с выходом БФНП (8), первый вход которого является входом (9) для подключения к источнику напряжения программирования, не показанному. Первый выход БФСС (5) соединен с третьим входом БФНП (8), второй выход соединен с первым входом БМУ (4), второй вход и первый выход которого соединены, соответственно, с первыми выходом и входом БС (3), вторые вход и выход которого являются информационными выходом (2) и входом (1), соответственно, устройства. Первая группа выходов БМУ (4) соединена с первой группой входов БРП (7), группа входов - выходов которого соединена с группой входов - выходов БМУ (4), вторая группа выходов которого соединена с группой входов БВП (6), группа выходов которого соединена со второй группой входов БРП (7), выход которого соединен со вторым входом БФНП (8). 7 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания. Техническим результатом является повышение надежности флэш элемента памяти. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в ней на планарной стороне истоком и стоком, туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор, блокирующий слой размещен на планарной стороне подложки, запоминающий слой выполнен на блокирующем, туннельный слой выполнен на запоминающем слое, а затвор на туннельном слое, при этом туннельный слой выполнен толщиной, предотвращающей отекание заряда за счет туннелирования носителей заряда через туннельный слой к затвору. Толщина туннельного слоя составляет 1,5÷2,5 нм. Запоминающий слой может быть выполнен из нитрида кремния, обогащенного избыточным кремнием (SiN_x). 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к карте полупроводниковой памяти для хранения цифрового содержимого и устройству считывания данных для считывания цифрового содержимого с карты полупроводниковой памяти. Техническим результатом является создание карты полупроводниковой памяти, которая способна хранить как цифровое содержимое, так и компьютерные данные общего назначения. Карта содержит перезаписываемую энергонезависимую память и управляющую схему, средство для хранения адреса, отмечающего границу между аутентификационной областью и неаутентификационной областью, схему изменения размера указанных областей. Устройство считывания содержит средство оценки, считывающее информацию, указывающую количество раз, которое может быть считано цифровое содержимое, и средство воспроизведения. Второй вариант устройства дополнительно содержит средство цифрового вывода содержимого. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 23 ил.

Изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству и полупроводниковому элементу памяти. Техническим результатом является защищенность полупроводникового запоминающего устройства от сбоев в работе, связанных с явлениями случайного вероятностного характера. Устройство содержит большое количество элементов памяти, каждый из которых содержит области истока и стока, изолирующую пленку, канальную область, электрод затвора, область для хранения электрических зарядов, устройство также содержит большое количество периферийных схем, содержащих усилитель считывания, регистр для сохранения записанной информации элементов памяти, регистр, который удерживает флажок, показывающий окончание записи при ее проверке, и схему, которая после операции записи сравнивает значение, считанное с ячейки памяти, со значением, зафиксированным флажком в конце записи, и переписывает значение, которое показывает флажок. 5 н. и 30 з.п. ф-лы, 71 ил.

Изобретение относится к способу изменения и/или записи для перепрограммирования данных и/или программ по меньшей мере в одном запоминающем устройстве вычислительной системы и к вычислительной системе для осуществления указанного способа. Техническим результатом является устойчивость блоков управления запоминающих устройств к любым помехам, в частности, к сбоям. Каждый из вариантов вычислительных систем, в частности блок управления рабочими процессами в транспортном средстве, содержит два запоминающих устройства, внутрисистемную шину, центральный процессор, блок ввода-вывода, ПЗУ, блок самозагрузки, флэш-память. Способы описывают работу каждого из вариантов указанных систем. 6 н. и 40 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано для долговременного хранения и многократного оперативного обновления пакетов цифровой информации. Техническим результатом является возможность осуществления взаимозаменяемости различных типов накопителей. Накопитель цифровой информации содержит пять регистров, дешифратор, шину входной информации, блок оперативной памяти, блок управления, микроконтроллер, счетчик, магистральный приемопередатчик, блок коррекции, блок формирователей сигналов, открывающих выходы выбранных элементов оперативной памяти на вторую магистральную шину, две магистральные шины, блок постоянной памяти. 1 ил.