Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..нитевидные кристаллы или иглы – C30B 29/62

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар капельная жидкость кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь пластину кремния легируют фосфором до удельного сопротивления 0,008-0,018 Ом·см и анодируют длительностью не более 5 мин с подсветкой галогенной лампы в смеси 48%-ного раствора HF и C₂H₅ OH (96%) в соотношении 1:1, причем плотность тока анодизации поддерживают на уровне не менее 10 мА/см², а наночастицы катализатора наносят электронно-лучевым напылением пленки металла толщиной не более 2 нм. Изобретение обеспечивает возможность получения тонких полупроводниковых нитевидных нанокристаллов диаметром менее 10 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих высокую поверхностную плотность. 7 пр.

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных физических исследований кинетики роста кристаллов. Рост кристаллов осуществляют на воздухе с использованием иттербиевого волоконного лазера непрерывного действия, излучением которого с плотностью мощности порядка 10⁵ Вт/см² обрабатывают в течение 10 с поверхность латуни, на которую нанесен слой многостенных углеродных нанотрубок. Способ позволяет получать микро- и наноструктурированные массивы оксида цинка, состоящие из нитевидных кристаллов, микропластин и друз. Изобретение позволяет получать кристаллы без специальных катализаторов и кристаллизационных камер. 2 ил.

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных исследований кинетики роста кристаллов. Способ характеризуется тем, что латунную мишень, покрытую углеродными нанотрубками, обрабатывают на воздухе непрерывным излучением иттербиевого волоконного лазера в присутствии электростатического поля напряженностью от 250 В/м до 750 В/м, упорядочивающего движение ионов цинка и кислорода и ускоряющего его в направлении области реакции. Изменение параметров электрического поля в указанном диапазоне обеспечивает получение массивов нитевидных кристаллов оксида цинка с диаметром от 50 до 400 нм, в том числе вертикально упорядоченных ориентированных кристаллов. Изобретение позволяет получать кристаллы без катализаторов и кристаллизационных камер. 2 ил.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению синтетических алмазов нитевидной формы, и может найти применение в промышленном производстве алмазов специального назначения, например для буровых коронок, а также в качестве деталей узлов звуко- или видеовоспроизведения, для изготовления щупов, в микромеханических устройствах. Нитевидные алмазы получают путем гетерогенной жидкофазной кристаллизации алмаза при взаимодействии углеродсодержащего вещества с катализатором с последующим получением алмазов в кристаллическом состоянии. В качестве катализатора используют ультрадисперсный порошок палладия с размером частиц 20-50 нм, полученный путем пропускания газообразного монооксида углерода через 2-20% водный или вводно-органический растворы хлористого палладия PdCl₂ при перемешивании в течение 5 часов. Образование алмазов нитевидной формы происходит при атмосферном давлении и температуре от -70°С до +100°С. В дальнейшем обеспечивают отделение алмазов от сопровождающих компонентов и катализатора, который в свою очередь регенерируют путем обработки катализатора царской водкой (HNO₃+3HCl) в соотношении порошок палладия: царская водка, равном 1:3. Полученный раствор фильтруют, а затем осуществляют термообработку твердого осадка при температуре 600°С. Техническим результатом изобретения является упрощение процесса получения нитевидных алмазов. 7 пр.

Изобретение относится к технологии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано в детонаторах и других взрывных устройствах, использующих процесс перехода горения ВВ во взрыв. Способ заключается в получении раствора ТЭНа в ацетоне, осаждении кристаллов ТЭНа путем добавления при перемешивании полученного раствора в осадитель в соотношении 1:(2-3), последующей фильтрацией полученного осадка и сушкой, при этом в качестве осадителя используют раствор изопропилового спирта в воде при соотношении (2-9):1. Раствор ТЭНа перед добавлением в осадитель нагревают до температуры 35-45°С. В осадитель может быть добавлен ультрадисперсный порошок алюминия. Игольчатая форма ТЭНа, полученная заявляемым способом, позволяет оптимизировать условия переходных процессов при формировании детонации в заряде ВВ. Способ является безопасным, т.к. отсутствуют операции интенсивного механического воздействия на ВВ и отсутствуют токсичные растворители, нагретые до температур, близких к температуре их кипения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 3 пр.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением подготовленной пластины в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар капельная жидкость кристалл, при этом наносимый на пластину катализатор создают из двухкомпонентного сплава металл-полупроводник эвтектического состава, и осаждение кристаллизуемого вещества из газовой фазы ведут при температуре, минимально превышающей температуру эвтектики. Изобретение обеспечивает возможность получения эпитаксиальных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, не имеющих сужающихся начальных участков у оснований. 4 пр.

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть применено для изготовления деталей устройств нанотехнологического оборудования, использующих метод сканирующего зонда, например, кантилеверов. Кристаллы выращивают на подложке осаждением из электролита. На подложке образуют дефект дисклинационного типа в виде ямки пятиугольного сечения или микротрещины, используют в качестве дефекта плоские пентагональные кристаллы, пленки или покрытия, либо стык кристаллов. Образуя несколько дефектов дисклинационного типа, выращивают одновременно несколько игольчатых кристаллов в форме усов. Выращенные игольчатые кристаллы подвергают электрополированию, формируя острие. В качестве подложки может быть использована деталь устройства, на которой должен быть закреплен игольчатый кристалл. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления игольчатых кристаллов. Способ уменьшает количество операций и позволяет выращивать кристаллы в нужном месте и нужных размеров. Это также повышает надежность работы оборудования, в котором используется игольчатый кристалл. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. Способ включает формирование на рабочей стороне подложки затравочного слоя оксида цинка, осаждаемого на горизонтальную поверхность рабочей стороны подложки сплошной пленкой. После осаждения затравочного слоя оксида цинка на него наносят слой защитного материала, литографически формируют локальные области затравочного слоя и слоя защитного материала с совпадающими торцевыми участками. Подложку погружают и выдерживают в химическом травителе оксида цинка для подтравливания торцевых участков затравочного слоя оксида цинка на величину, не меньшую 5 нм, а выращивание на затравочном слое латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка проводят погружением и выдержкой подложки в химическом растворе для выращивания нитевидных нанокристаллов оксида цинка рабочей стороной подложки вниз. Технический результат, заключающийся в повышении воспроизводимости процесса, достигается за счет использования нависающего края защитного слоя, который не позволяет расти нанокристаллам оксида цинка в вертикальном направлении. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания нитевидных кристаллов неорганических соединений и может быть использовано для получения нитевидных монодисперсных кристаллов азида серебра с воспроизводимыми характеристиками. Способ осуществляют путем медленного испарения аммиака из 5% водно-аммиачного раствора мелкокристаллического порошка азида серебра при нормальных условиях в кристаллизаторе через отверстия полиэтиленовой пленки диаметром 0,5 мм, которой обтягивают кристаллизатор, со скоростью 0,407 г/сутки, при этом кристаллизатор с раствором помещают между двумя электродами в бесконтактное электрическое поле напряженностью 10⁰÷10^-6 В/см. Варьируя напряженность электрического поля при кристаллизации, можно получать кристаллы различного размера, с минимальным содержанием дефектов, улучшенными рабочими характеристиками (устойчивость к внешним воздействиям - свету, перепаду температур, действию электрического поля, пониженной чувствительностью к удару и трению при сохранении взрывчатых свойств), увеличенным сроком хранения. 1 табл., 6 ил.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов и предназначено для управляемого выращивания наноразмерных нитевидных кристаллов кремния. Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку кремниевой пластины путем маскирования ее поверхности фоторезистом, создания в нем отверстий, электрохимического осаждения в отверстия фоторезиста островков металла из раствора электролита и помещение подготовленной пластины в ростовую печь с последующим выращиванием на ней нитевидных кристаллов, при этом цилиндрические отверстия в фоторезисте создают диаметром менее 250 нм импринт-литографией, островки металла осаждают толщиной менее 12,5 нм, после чего удаляют фоторезист в 5% растворе плавиковой кислоты. Способ позволяет существенно облегчить создание нанотехнологических приборов на нанокристаллах.

Изобретение относится к области гальваностегии и может быть применено для выращивания нитевидных кристаллов путем электроосаждения металлов из электролита. Нитевидные металлические кристаллы осаждают из электролита на электропроводную подложку, выполненную из материала с низкой теплопроводностью. Сначала на подложке электроосаждением выращивают кристаллы с пентагональной симметрией, после достижения выращенными кристаллами заданной длины подложку вынимают из электролита и выбирают из числа кристаллов, образовавшихся на подложке, пентагональный кристалл в форме трубки или стержня для использования его в качестве затравочного кристалла, к одному из его торцов приваривают металлическую проволоку, затем отрывают этот кристалл от подложки и, используя приваренную к нему проволоку в качестве держателя, опускают свободный торец кристалла в электролит, после чего ведут процесс выращивания нитевидного кристалла на этот торец, вынимая затравочный кристалл из электролита со скоростью роста нитевидного кристалла, при этом затравочный кристалл используют в качестве катода. Изобретение позволяет получать нитевидные пентагональные кристаллы высокой прочности и адсорбционной способности. 2 ил.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к получению синтетических алмазов игольчатой формы, и может найти применение в промышленном производстве алмазов специального назначения, например, для буровых коронок и правящих карандашей, а также в качестве деталей узлов звуко- или видеовоспроизведения, для изготовления щупов, в микромеханических устройствах и т.д. Способ включает смешивание шихты из сплава Mn-Ni-Fe в весовом соотношении 60±5:30±5:10±5 и порошка углесодержащего вещества и обработку смеси при давлении >40 кбар и Т>950°С при скорости нагрева менее 100°С/мин. В качестве углеродсодержащего вещества используют игольчатый кокс или графит на базе кокса с однокомпонентной анизотропной структурой со степенью графитизации не менее 0,55 относительных единиц. Изобретение позволяет упростить технологию синтеза игольчатых и удлиненных алмазов и увеличить процент их выхода за один цикл процесса. 2 ил.

Изобретение может быть использовано для получения нитевидных кристаллов нитрида алюминия, пригодных для изготовления сенсорных зондов на кантилеверах атомно-силовых микроскопов. Способ получения нитевидного нитрида алюминия включает пропускание через нагретый алюминий газообразных реагентов в виде галогенидов алюминия (III) и азота и последующую конденсацию конечного продукта. Подачу галогенида алюминия (III) осуществляют со скоростью на уровне 0,1-6 см³/мин на каждый 1 см ² поверхности конденсации. Конденсацию ведут на подложке из чистого графита. Изобретение позволяет получить нитрид алюминия в виде кристалловолокон с отношением длины к диаметру более 200-300. 3 ил.

Использование: в микроскопах. Сущность: предлагается создавать зонды для зондовой микроскопии из кремниевых вискеров, выращенных по механизму пар-жидкость-кристалл на кантилеверах с кристаллографической ориентацией (111). Такие кантилеверы изготовляют из структур кремния-на-изоляторе, которые создают сплавлением кремниевых пластин, причем одна из пластин имеет ориентацию (111). Выращенные таким путем вискеры могут иметь ступенчатую форму, идеальную для зондов, обеспечивая высокую разрешающую способность при высокой антивибрационной стабильности. 4 н. и 32 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретение относится к области химической технологии и материаловедения. Способ получения муллита включает измельчение исходного кварц-топазового сырья, отделение примесей выщелачиванием путем обработки сырья соляной кислотой концентрацией 10-38% в течение 0,5-2 ч, промывание водой, отделение избыточного оксида кремния в виде гексафторосиликата аммония с помощью бифторида аммония и прокаливание полученного продукта при температуре 1200°-1300°С. Техническим результатом изобретения является производство микроволокнистого муллита (микроволокна кристаллов муллита достигают в длину 200 мкм, толщина волокна около 1 мкм) высокого качества в промышленных масштабах.