Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ...кварц – C30B 29/18

Изобретение относится к области изготовления деталей для оптических, акустоэлектронных и лазерных устройств, где в качестве активных и пассивных материалов используются тугоплавкие оксиды, преимущественно, двух-, трех- и четырехвалентных металлов, как в форме простых оксидов, так и сложных соединений. Способ соединения деталей из тугоплавких оксидов включает полировку соединяемых поверхностей, их совмещение и нагрев. По крайней мере, на одну из полированных соединяемых поверхностей наносят слой материала, образующего твердый раствор, по крайней мере, с одним из материалов соединяемых деталей. Температура плавления твердого раствора ниже температуры плавления каждого из материалов соединяемых деталей. После этого совмещенные детали отжигают при температуре выше температуры образования твердого раствора. Изобретение позволяет соединить детали из тугоплавких оксидов, снизить потери на рассеивание оптического излучения, тепла, и звука за счет размытия оптической границы. 9 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии изготовления детали из искусственного кварца для применения в качестве оптического элемента для ArF-литографии, подлежащего облучению лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче. Деталь из искусственного кварца выращена гидротермальным синтезом и содержит алюминий в количестве 200 частей на миллиард (ppb) или менее и натрий в количестве 100 ppb или менее. Технический результат изобретения заключается в создании детали из искусственного кварца с подавленной способностью претерпевать снижение пропускания в области длин волн лазерного света, которое вызывается длительным облучением лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче, таким как ArF-эксимерный лазерный свет. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к технологии выращивания оптических кристаллов, в частности монокристаллов кварца, используемого в радиоэлектронике, оптоэлектронике и оптике. Способ выращивания монокристаллов кварца в гидротермальных условиях в автоклаве путем перекристаллизации кварца из шихты на экранированные затравочные пластины, расположенные под углом к горизонтальной плоскости, при наличии температурного перепада между камерами роста и растворения, заключается в том, что перекристаллизацию ведут на затравочные пластины ZY ориентации, установленные радиально относительно вертикальной оси автоклава и под углом от 15 до менее 45° к горизонтальной плоскости, сторона затравочных пластин, направленная к камере роста, расположена выше, чем сторона пластин, направленная к оси автоклава, при этом экранируют верхние Z - поверхности и торцевые поверхности затравочных пластин. Изобретение позволяет выращивать монокристаллы высококачественного оптического кварца с повышенной скоростью. 3 ил.

Изобретение относится к аппаратам для гидротермального синтеза кристаллов, в частности кварца, и может использовался в химической промышленности. Технологическая установка для гидротермального выращивания кристаллов кварца содержит корпус, днище которого установлено на подставке через опорное теплоизоляционное кольцо, имеющий зону растворения шихты и зону кристаллизации с затравочными пластинами, разделенные между собой по вертикали диафрагмой, и снабженный наружным обогревателем в зоне кристаллизации и двухсекционной системой теплоизоляции, крышку корпуса, в которую вмонтированы элементы контроля температуры и давления в зоне кристаллизации, секция теплоизоляции которой отделена от корпуса зазором для обеспечения в ней вентиляции. Корпус установки дополнительно снабжен внутренним обогревателем в зоне растворения шихты и наружным обогревателем в области днища, обе секции системы теплоизоляции выполнены из наборной полужесткой минераловатной плиты в экранирующих внутренней и наружной обечайках из оцинкованной стали, при этом секция теплоизоляции зоны растворения шихты плотно прилегает снаружи к корпусу и снабжена системой теплоконтроля в виде термопары. Выполнение системы теплоизоляции двухсекционной из наборной полужесткой минераловатной плиты, оборудованной системой вентиляции в области зоны кристаллизации, эффективно ограничивает теплоотдачу нагретого сосуда в окружающую среду и улучшает условия термостатирования зоны кристаллизации, а также обеспечивает поддержание требуемого температурного перепада между зонами роста кристаллов и растворения шихты, что позволяет улучшить качество выращиваемых кристаллов. Комбинированная система обогрева (основная - внутренним нагревателем и дополнительная - наружными нагревателями) также эффективно обеспечивает поддержание рабочих параметров технологического процесса, а дополнительный нагреватель в днище сосуда при наличии опорного теплоизолирующего кольца снижает закварцевание шихты в нижней части сосуда и образование труднорастворимых минеральных соединений, также обеспечивая повышение качества выращиваемых кристаллов. 1 ил.

Изобретение относится к средствам для выращивания монокристаллов из раствора с использованием растворителя и применением давления, в частности монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку, и может быть использовано в химической промышленности. Сущность изобретения: Затравка для выращивания монокристалла кварца выполнена из пластины ZY-среза, ориентированной кристаллографической осью Х в горизонтальной плоскости, а одной из осей - в вертикальной плоскости и имеющей экран, который выполнен из материала, индифферентного к условиям гидротермального синтеза, при этом затравка выполнена в виде прямоугольной, незамкнутой с одной стороны рамки, при этом кристаллографическая ось Z рамки также расположена в горизонтальной плоскости, а кристаллографическая ось У - в вертикальной плоскости, причем ее сторона, противоположная незамкнутой части и параллельная оси У, с двух боковых сторон и с ее торца со стороны -X закрыта экраном (1 вариант). Затравка для выращивания монокристалла кварца представляет собой ориентированную кристаллографической осью Х в горизонтальной плоскости, а одной из осей - в вертикальной плоскости пластину ZY-среза, одна из сторон и торец которой со стороны +Х закрыты экраном, который выполнен из материала, индифферентного к условиям гидротермального синтеза. Кристаллографическая ось Z пластины также расположена в горизонтальной плоскости, а кристаллографическая ось У пластины - в вертикальной плоскости, вторая сторона пластины, расположенная вдоль кристаллографической оси Х, также закрыта экраном из индифферентного материала, причем экраны с обеих сторон пластины, ориентированных вдоль кристаллографической оси У, не доходят на одинаковое расстояние до краев пластины (2 вариант). Технический результат изобретения заключается в повышении однородности получаемого монокристалла и сокращении срока его роста по оси Z. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к средствам для выращивания кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, в частности к конструкции диафрагм (перегородок) между зонами растворения шихты и роста кристаллов в автоклавах. Сущность изобретения: диафрагма состоит из двух расположенных один над другим и связанных между собой по вертикали металлических дисков, нижний из которых расположен на верхней границе зоны растворения шихты и имеет в центре отверстие, а верхний расположен на нижней границе зоны роста кристаллов и имеет отверстия, распределенные по всей поверхности, при этом диаметр отверстия в нижнем диске составляет 1-75% диаметра самого диска. Конструкция диафрагмы обеспечивает выход раствора из зоны шихты через центральное отверстие нижнего диска и достаточно длительное и интенсивное перемешивание его в зоне между дисками, образующими в совокупности разделяющую между зоной роста и зоной растворения шихты зону смешения потоков для циркуляции рабочего раствора между камерой растворения шихты и камерой роста, где оседают твердые макрочастицы, присутствующие в растворе и загрязняющие растущие монокристаллы, позволяет осуществлять хороший массообмен при небольшом перепаде температур, получить чистый раствор в зоне роста и выращивать кристаллы более высокого качества при более простой конструкции диафрагм. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к производству искусственных кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада. Сущность изобретения заключается в способе получения искусственных кристаллов кварца, включающем предварительную гидротермальную обработку автоклава и выращивание кристаллов в гидротермальных условиях методом температурного перепада перекристаллизацией кварцевой шихты на вертикально ориентированную затравку ZY-среза из водно-щелочного раствора с добавлением нитрата лития LiNO₃ концентрацией 0,01-0,02 моль/л. При этом в качестве водно-щелочного раствора используют раствор Na₂CO₃ и/или NaOH. Технический результат, который достигается при реализации изобретения, заключается в улучшении качества полученных искусственных кристаллов за счет уменьшения концентрации твердых включений. 1 з.п.ф-лы, 1 ил., 3 табл.