Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала: ..нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала – C30B 23/06
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 23/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала
C30B 23/06 ..нагревание камеры для осаждения, подложки или испаряемого материала
Патенты в данной категории
| ИСТОЧНИК МОЛЕКУЛЯРНОГО ПОТОКА Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений. Источник молекулярного потока рабочего вещества содержит испаритель вещества с нагревателем, формирователь потока с нагревателем, управляющий элемент и привод управляющего элемента. Управляющий элемент выполнен в виде заслонки и расположен внутри канала, соединяющего испаритель и формирователь потока, поверхность перекрытия канала заслонкой выполнена под острым углом к оси канала, а конфигурация внешней поверхности заслонки согласована с формой внутренней поверхности канала в месте расположения заслонки. Кроме того, кинематические пары, обеспечивающие перемещение заслонки, и связь с приводом, выполнены гибкими связями. Использование изобретения позволяет регулировать интенсивность и перекрывать молекулярный поток вне зависимости от конфигурации и используемого формирователя потока при различных расходах и режимах течения молекул паров рабочего вещества без переналадки источника и искажения диаграммы направленности исходящего из формирователя потока в процессе регулирования. Расширяется диапазон температурных режимов работы источника и используемых для испарения веществ, упрощается конструкция при одновременном исключении конденсации рабочего вещества на регулирующем элементе и других элементах конструкции контактирующих с потоком. 1 с.п. ф-лы, 5 ил. | 2064980 патент выдан: опубликован: 10.08.1996 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЛОЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Использование: в области кристаллографии при выращивании кристаллов сложного полупроводника из паровой фазы методом осаждения в низкотемпературных установках. Сущность изобретения: устройство содержит ампулу для исходного вещества, размещенную в корпусе. Коаксиально ампуле установлен нагреватель. Между нагревателем и ампулой расположено средство регулирования градиента температуры, выполненное в виде цилиндрического экрана. Экран установлен с возможностью перемещения. Нагреватель выполнен переменным по толщине из материала на углеродной основе и прилегающим к ампуле в нижней ее части. Устройство снабжено основным и дополнительным средствами визуального наблюдения за ростом кристаллов. Основное средство визуального наблюдения расположено в области кристаллизации, а дополнительное - в нижней части ампулы, в области размещения исходного материала. Устройство обеспечивает повышение качества кристаллов за счет создания однородного температурного поля. Для увеличения размеров выращиваемых кристаллов за счет сужения зоны роста в нижней части цилиндрического экрана выполнены отверстия. 1 з.п. ф-лы, 3 ил. | 2022068 патент выдан: опубликован: 30.10.1994 |
|