Выращивание монокристаллов зонной плавкой, очистка зонной плавкой: .тигли или сосуды – C30B 13/14

МПКРаздел CC30C30BC30B 13/00C30B 13/14
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой
C30B 13/14 .тигли или сосуды

Патенты в данной категории

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КОНТЕЙНЕРОВ

Изобретение может быть использовано для изготовления кварцевых контейнеров с защитным покрытием для высокотемпературных процессов. В качестве исходного углеродсодержащего соединения используют органосиланы с атомным соотношением кремния и углерода, равным 1,0:(1,0÷4,0). Формирование покрытий осуществляют последовательным, многократным чередованием процессов смачивания поверхности контейнера органосиланами, высушивания ее при нормальных условиях с получением пленки полимера и отжига. Первый отжиг осажденной полимерной пленки проводят в окислительной атмосфере при 450-650°С в течение 20-30 минут, а второй и последующие отжиги осажденных полимерных пленок на сформированное оксидное покрытие проводят в инертной атмосфере при 700÷800°С в течение 30-60 минут. Изобретение позволяет улучшить качество защитных покрытий на кварцевых поверхностях контейнеров за счет повышения их плотности и прочности, обеспечивающих предотвращение взаимодействия расплавленного материала с рабочими стенками контейнера любой формы и уменьшение загрязнения получаемого материала диффундирующими примесями химических элементов из кварца. 2 табл.

2370568
патент выдан:
опубликован: 20.10.2009
УСТРОЙСТВО (ПЕЧЬ ЦИВИНСКОГО-ЭДЕМСКОГО) ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛИТКОВ КРЕМНИЯ

Устройство для получения слитков кремния для изготовления фотопреобразователей солнечной энергии в электрическую имеет упрощенную конструкцию и содержит расположенный в камере, заполненной инертным газом, источник для локального нагрева и плавления кремния с возможностью его перемещения по вертикали снизу вверх и сверху вниз. Камера выполнена в виде графитовой трубы или металлической трубы со съемной верхней частью из графита, цилиндрические поверхности которой снаружи и изнутри покрыты слоем огнеупорной тепло- и электроизоляции, а внутри трубы на металлической подставке, укрепленной на соосно расположенном металлическом стержне с возможностью перемещения по вертикали вниз и вверх, установлен графитовый тигель с крышкой, внутри которого загружена шихта для расплавления и получения слитка кремния, при этом в зазоре между графитовым тиглем и графитовой трубой пропускают поток инертного газа, в среде которого между верхним концом трубы и графитовым тиглем горит электрическая дуга для нагрева и расплавления шихты, питаемая постоянным или переменным током. 2 с. и 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
2147631
патент выдан:
опубликован: 20.04.2000
АМПУЛА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В УСЛОВИЯХ МИКРОГРАВИТАЦИИ

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для получения в условиях микрогравитации кристаллов различного состава, применяющихся во многих областях техники. Техническим результатом изобретения является исключение контакта растущего кристалла со стенками ампулы и повышение за счет этого качества выращиваемых кристаллов. Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации содержит корпус и размешенный в нем подпружиненный поршень с ограничителем хода, контактирующий с исходным веществом для выращивания кристаллов, при этом корпус выполнен из не смачиваемого расплавом исходного вещества материала, а поршень - из смачиваемого им материала. 3 ил.
2143016
патент выдан:
опубликован: 20.12.1999
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

Использование: в производстве ветвей термоэлементов на основе теллурида висмута Bi2Te3. Устройство для получения ТЭМ содержит герметичный контейнер из кварцевого стекла, в котором формообразователь слитка изготовлен заодно с реакторной частью контейнера. Совмещенный контейнер размещен на установке горизонтально и снабжен приводной муфтой, вращающей его в трубчатой печи для синтеза. Кроме того, устройство содержит установку зонной перекристаллизации с механизмом передвижения печи вдоль формообразователя слитка. Данное изобретение позволяет увеличить выпуск материалов за счет увеличения диаметра получаемого кристалла и его длины на существующем оборудовании и производственных площадях, а также снизить стоимость готового материала. 2 ил.
2107116
патент выдан:
опубликован: 20.03.1998
КОНТЕЙНЕР ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Использование: изобретение относится к оборудованию, используемому для получения искусственных кристаллов из расплава, преимущественно в условиях невесомости. Изобретение направлено на повышение равномерности распределения основных компонентов сложных соединений и примесей по объему кристаллов, выращиваемых различными методами из расплава. Сущность изобретения. Контейнер содержит сосуд и размещенный в нем с возможностью перемещения поршень, который соединен с виброисточником соединительным элементом, проходящим через продольную прорезь, выполненную в стенке сосуда, а поршень выполнен площадью, меньшей площади поперечного сечения сосуда. 2 ил.
2091515
патент выдан:
опубликован: 27.09.1997
Наверх