Выращивание монокристаллов зонной плавкой, очистка зонной плавкой: .гомогенизация зонным выравниванием – C30B 13/04

МПК Раздел C C30 C30B C30B 13/00 C30B 13/04

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ

C30 Выращивание кристаллов

C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей

C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой

C30B 13/04 .гомогенизация зонным выравниванием

Патенты в данной категории

	СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом конвейере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве. Сущность изобретения: на наружной стенке замкнутого контейнера создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее условию: T(,t,z) = Tcos(t+nz+k)+Az, где Т(К) - температура, отсчитываемая от средней Т₀(К), Т(К) - амплитуда тепловой волны, t(с) - время процесса, (рад), z(м) - полярные координаты, (радс^-1) - циклическая частота тепловой волны, n(радм^-1), k - волновые числа, А(Км^-1) - осевой градиент температуры, используя многосекционные нагревательные элементы, расположенные наклонно относительно продольной оси контейнера. 2 ил.	2182606 патент выдан: опубликован: 20.05.2002