Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие: ....с применением высоких частот и дополнительного постоянного напряжения – C23C 14/44
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C23 Покрытие металлических материалов; покрытие других материалов металлическим материалом; химическая обработка поверхности; диффузионная обработка металлического материала; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще; способы предотвращения коррозии металлического материала, образования накипи или корок вообще
C23C Покрытие металлического материала; покрытие других материалов металлическим материалом; поверхностная обработка металлического материала диффузией в поверхность путем химического превращения или замещения; способы покрытия вакуумным испарением, распылением, ионным внедрением или химическим осаждением паров вообще
C23C 14/00 Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие
C23C 14/44 ....с применением высоких частот и дополнительного постоянного напряжения
Патенты в данной категории
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХИМИКО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ В НЕСАМОСТОЯТЕЛЬНОМ РАЗРЯДЕ Изобретение относится к электротехнике, а именно к использованию электрического разряда для нагрева и химико-термической обработки изделий в электромагнитном поле индуктора. В устройстве имеется индуктор, внутри которого располагают обрабатываемое изделие. Источник питания переменного тока с системой управления подключен через емкостной фильтр к индуктору. Источник питания постоянного тока с системой управления подключен положительным выводом через индуктивный фильтр к индуктору, отрицательным выводом - к обрабатываемому изделию. Система водяного охлаждения соединена через первый электромагнитный вентиль с индуктором. Газовая система соединена со вторым электромагнитным вентилем. Устройство содержит датчик температуры обрабатываемого изделия. Индуктор выполнен с разбрызгивателем, выполненным в виде отверстий, равномерно расположенных по всей поверхности его внутренней стенки. Система управления подачи воды и газа в полость индуктора содержит преобразователь сигнала, элемент сравнения, два реле времени, элемент НЕ, элемент И-НЕ, два исполнительных механизма. Такое выполнение устройства позволяет повысить производительность, качество диффузионного слоя и глубины диффузионной обработки, а также снизить энергозатраты. 2 ил. | 2232207 патент выдан: опубликован: 10.07.2004 |
|
| СВЧ-ПЛАЗМЕННОЕ ОСАЖДЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОВЕРХНОСТИ СВЧ-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении волоконно-оптических заготовок с различными показателями преломления по их сечению и протяженных изделий с малым радиусом кривизны. Способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок SiN4 или SiO2 на металлические поверхности включают синтез их в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи (или на) нагретой ИК-излучением до 80 - 200oC обрабатываемой поверхности, причем поток ИК-излучения направлен навстречу плазменному потоку. Для получения равномерных покрытий на протяженных изделиях с малым радиусом кривизны изделия располагают перпендикулярно плазменному потоку и вращают вокруг своей продольной оси. 1 з.п. ф-лы. | 2117070 патент выдан: опубликован: 10.08.1998 |
|