Покрытие вакуумным испарением, распылением металлов или ионным внедрением материала, образующего покрытие: ...с использованием магнитного поля, например распыление магнетроном – C23C 14/35

Изобретение относится к плазменной технике, в частности к конструкции магнитного блока распылительной системы, и может быть использовано в планарных магнетронах для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел. Магнитный блок включает в себя центральный цилиндрический и внешний кольцевой магниты, коаксиально установленные с зазором на магнитопроводе из магнитомягкого материала. Магнитопровод выполнен с кольцевым выступом, равным по высоте магнитам, при этом выступ выполнен с возможностью фиксации центрального магнита. Поверхность выступа, обращенная к центральному магниту, может быть выполнена конической. Технический результат использования изобретения заключается в повышении равномерности напряженности магнитного поля и уменьшении габаритов блока. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области машиностроения. Способ получения защитного металлического покрытия на поверхности изделия из алюминия и сплавов на его основе включает размещение изделия в зоне обработки, создание вакуума в зоне обработки, очистку поверхности пучком ионов и осаждение металлического покрытия с одновременной подачей на изделие отрицательного напряжения смещения. Очистку поверхности осуществляют пучком ионов инертного газа с энергией в диапазоне 1-5 кэВ. Осаждение покрытия осуществляют в два этапа. Вначале на поверхность осаждают промежуточный слой покрытия из меди толщиной от 0,5 мкм до 3 мкм в магнетронном разряде постоянного тока, горящем в среде инертного газа, с твердым катодом из меди при мощности разряда 1-2,5 кВт. Затем расплавляют катод из меди при мощности разряда 3-6 кВт с повышением температуры катода до величины, обеспечивающей достаточное давление паров меди для поддержания магнетронного разряда, прекращают подачу инертного газа и осаждают основной слой покрытия из меди толщиной 2-10 мкм в магнетронном разряде, горящем в парах меди. Слои покрытия осаждают при отрицательном напряжении смещения на изделии до 300 В и температуре поверхности 100-300°C. Обеспечивается защита изделий из алюминия и сплавов на его основе от коррозии в водных растворах щелочей. 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано для нанесения пленок в крупногабаритных изделиях остекления самолетов. Устройство для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленок в вакууме содержит рабочую камеру, в которой размещены анод, катод с мишенью, расположенной на основании, магнитная система, установленная с нерабочей стороны мишени, средство охлаждения мишени и подложкодержатель с изделием. Устройство дополнительно снабжено двумя экранирующими элементами, расположенными над боковыми рабочими сторонами мишени, установленными с возможностью регулирования их положения относительно мишени, при этом подложкодержатель с изделием установлен на корпусе камеры с возможностью вращения вокруг мишени, а аноды, основание и подложкодержатель электрически изолированы от корпуса камеры и друг от друга. Обеспечивается равномерность покрытий по оптической толщине. 1 ил.

Изобретение относится к космической технике и касается создания терморегулирующего материала для нанесения на поверхность космического объекта (КО). Терморегулирующий материал содержит подложку в виде оптически прозрачного стекла, высокоотражающий слой из серебра, защитный слой. Высокоотражающий слой из серебра имеет толщину 0,10÷0,15 мкм. В качестве защитного слоя использована нержавеющая сталь толщиной 0,10÷0,20 мкм. На защитный слой нанесен эпоксидный лак толщиной 20÷30 мкм. Перед нанесением на подложку высокоотражающего слоя из серебра осуществляют химическую очистку подложки с одновременным ультразвуковым воздействием в течение 3-х минут. Затем подложку вынимают из раствора, промывают последовательно теплой, холодной, дистиллированной водой по 1-1,5 мин и сушат на воздухе. Поверхность обрабатывают тлеющим разрядом для дополнительной очистки и активации поверхности подложки. Затем последовательно осуществляют нанесение высокоотражающего слоя и защитного слоя в вакуумной камере методом магнетронного распыления без разгерметизации вакуумной камеры за один технологический цикл, располагая подложку последовательно под магнетронными источниками с мишенью из серебра и мишенью из нержавеющей стали. На подложку с высокоотражающим слоем и защитным слоем наносят слой эпоксидного лака толщиной 20÷30 мкм для дополнительной защиты от атмосферной коррозии и для увеличения адгезии подложек с покрытием к клеевой композиции. Во время крепления терморегулирующего материала приклеивание материала клеевой композицией с электропроводящим наполнителем осуществляется при помощи грузов. В качестве электропроводящего наполнителя использована алюминиевая или серебряная пудра в количестве 20±5% и 10±5% соответственно, обеспечивающая необходимые электропроводящие свойства поверхности терморегулирующего материала. Достигается улучшение терморадиационных характеристик материала, повышение технологичности нанесения покрытия, повышение значения адгезии крепления подложек с покрытием к поверхности корпуса КО. 3 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к способу транспортировки вакуумно-дуговой катодной плазмы с фильтрованием от макрочастиц и устройству для его осуществления. Плазменные потоки транспортируют в плазмооптической системе от электродугового испарителя к выходу источника плазмы под действием транспортирующего магнитного поля, создаваемого с использованием электромагнитных катушек. Магнитное поле имеет как постоянную составляющую, так и дополнительные изменяющиеся по напряженности составляющие. Напряженность каждого из дополнительных магнитных полей увеличивают при приближении плазменного потока к поверхности конструктивного элемента источника плазмы и уменьшают при его удалении от него. В устройстве источник питания (15) вакуумной дуги подключен к аноду (2) через обмотку (16) электромагнитной катушки, которая его охватывает. В прямолинейном варианте плазмооптической системы электропроводящий отрезок трубы (11) внутри анода (2) электрически соединен с одним концом обмотки (12), размещенной в нем, отклоняющей электромагнитной катушки. Второй конец этой обмотки соединен с положительным полюсом источника питания (15) вакуумной дуги. В плазмоводе на плазменный поток действуют дополнительным магнитным полем, генерируемым с помощью дополнительной электромагнитной катушки, охватывающей плазмовод. При использовании способа и устройства значительно уменьшаются потери плазмы, очищенной от макрочастиц. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к модификации поверхностных свойств тканых и нетканых текстильных материалов методом магнетронного распыления и может быть использовано для изготовления материалов, обладающих электрической проводимостью и экранирующих электромагнитное излучение. Способ включает вакуумирование и нанесение тонкого металлического слоя методом магнетронного распыления на полимерную пленку, которую затем склеивают с текстильной тканью металлическим слоем вовнутрь или наружу, а вакуумирование полимерной пленки осуществляют до давления (1-10)×10^-5 мм рт.ст. Обеспечиваются условия для создания на текстильном материале из любых нитей и волокон сплошного металлического слоя, обладающего электрической проводимостью и экранирующими свойствами. 3 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области магнетронного распыления материалов. Узел магнетронного распыления содержит распыляемую мишень и по меньшей мере одну плоскую магнитную систему. Плоская магнитная система установлена на водиле с приводом его вращения вокруг оси, перпендикулярной поверхности распыляемой мишени. По меньшей мере один носитель по меньшей мере одной плоской магнитной системы имеет привод его вращения вокруг дополнительной оси, параллельной оси вращения водила. По меньшей мере одна плоская магнитная система установлена на носителе магнитной системы со смещением относительно дополнительной оси. Скорости вращения магнитной системы вокруг первой и вокруг второй осей изменяют по заданной программе. В результате достигается равномерность распыления мишени, увеличение степени использования материала мишени и увеличение скорости распыления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Прозрачное проводящее покрытие из оксида металла наносят на подложку путем распыления, по меньшей мере, одного компонента покрытия из оксида металла импульсным магнетронным методом и конденсирования его на подложке. Пиковая плотность мощности импульсов магнетрона составляет свыше 1,5 кВт/см ², длительность импульсов магнетрона составляет 200 мкс, а среднее увеличение плотности протекающего тока при воспламенении плазмы во временном интервале 0,025 мс составляет не менее 106 А/(мс·см²). Способ позволяет получить оптимальные свойства покрытия из оксида металла, в частности в отношении механической и химической стойкости, прочности и оптических свойств. 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к обработке резанием в машиностроении, в частности к металлорежущему инструменту. Осуществляют осаждение первого слоя покрытия из тугоплавкого соединения, затем второго слоя покрытия из тугоплавкого соединения с размером зерен 40-60 нм, после чего проводят магнитно-импульсную обработку в течение 15-20 минут. Обеспечивается повышение степени сцепления покрытия с основой и трещиностойкости пластин. 1 табл.

Изобретение относится к области нанесения покрытий, в частности к каталитическим оксидным покрытиям, а также к электрохимическим производствам, и может быть использовано при изготовлении электродных материалов. Способ получения градиентного каталитического покрытия на подложке из титана или его сплава включает формирование промежуточного пористого подслоя из оксидов титана и нанесение покрытия методом магнетронного напыления. При нанесении упомянутого покрытия магнетронное напыление металлической компоненты систем (Ti-Ru), (Ti-Ru-Ir) или (Zr-Ru) осуществляют в вакуумной камере в среде плазмообразующего газа аргона и реакционного газа кислорода. Давление аргона поддерживают постоянным в течение всего процесса напыления, а парциальное давление кислорода увеличивают по линейному закону от 0 Па до 8·10^-2 Па в течение 10 минут и при установившемся давлении кислорода напыляют указанную металлическую композицию до требуемой толщины с получением градиентного каталитического покрытия, в котором содержание оксидов увеличивается от 0% до 100% от промежуточного слоя к поверхности. Обеспечивается получение коррозионно-стойкого покрытия для увеличения ресурса работы анодов с покрытием с низким содержанием примесей металлов, снижающих коррозионную стойкость покрытия, высокими характеристиками электрокаталитической активности по отношению к процессам, протекающим в системах очистки воды, существенно более высокой механической прочностью самого покрытия и более высокой прочностью сцепления с промежуточным подслоем. 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано для нанесения многослойных покрытий на поверхность изделий в виде тонких пленок. Устройство содержит цилиндрическую рабочую камеру с магнетронной распылительной системой, систему питания магнетронной распылительной системы, вакуумную систему, систему напуска рабочего газа, при этом магнетронная распылительная система включает, по меньшей мере, три магнетрона, установленных на рычагах, обеспечивающих поочередную возможность поворота в горизонтальной плоскости каждого магнетрона, снабженного индивидуальной заслонкой с приводом, рабочая камера дополнительно содержит рабочий стол, выполненный с возможностью вращения вокруг своей оси и нагрева изделия, устройство также дополнительно содержит средство управления, осуществляющее поочередное изменение положения каждого магнетрона в горизонтальной плоскости с обеспечением сканирующего перемещения магнетрона к центру рабочей камеры и обратно. Технический результат изобретения заключается в обеспечении нанесения многослойных покрытий на изделия различных габаритных размеров, получении равномерного покрытия высокого качества, а также в уменьшении массогабаритных параметров устройства, что обеспечивает возможность его использования в качестве модуля группы кластерной установки и возможности управляемого сканирующего перемещения магнетронов над изделием с изменяемой скоростью. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано для нанесения многослойных покрытий на поверхность изделий в виде тонких пленок. Устройство содержит рабочую камеру с магнетронной распылительной системой, систему питания магнетронной распылительной системы, вакуумную систему, систему напуска рабочего газа и источник ионов, при этом магнетронная распылительная система включает, по меньшей мере, четыре магнетрона, установленных на рычагах, обеспечивающих поочередную возможность поворота в горизонтальной плоскости каждого магнетрона, имеет кольцевую заслонку и рабочий стол, выполненный с возможностью нагрева изделия, устройство также содержит средство управления, обеспечивающее изменение положения каждого магнетрона в горизонтальной плоскости для перевода из парковочной позиции в рабочую. Технический результат изобретения заключается в обеспечении нанесения многослойных покрытий на изделия, получении высокого качества нанесенных покрытий, а также в уменьшении массогабаритных параметров устройства, что обеспечивает возможность ее использования в качестве модуля группы кластерной установки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к технологии повышения стойкости режущих инструментов за счет нанесения на их поверхность многокомпонентных износостойких покрытий. На предварительно очищенную поверхность с использованием реакционного газа наносят нижний слой покрытия электродуговым испарением катода из сплава ВТ5 совместно с магнетронным распылением мишеней из сплава ВТ5 и циркония до толщины покрытия 0,3 мкм. Дальнейшее осаждение покрытия до заданной толщины проводят магнетронным распылением мишеней из сплава ВТ5 и циркония. Повышается адгезионная прочность формируемых покрытий и уменьшается вероятность возникновения и распространения усталостных трещин в теле покрытия вследствие более однородной структуры, сформировавшейся в отсутствии затвердевших микрокапель, образующихся при использовании электродугового распылителя. 4 ил., 2 табл.

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные пленки твердого раствора (SiC)_1-x(AlN)_x, где компонента х больше нуля, но меньше единицы, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре 1000°С магнетронным ионно-плазменным распылением, при этом распыление осуществляют в атмосфере аргона и азота из составной мишени, представляющей собой диск поликристаллического карбида кремния, заданная часть поверхности которого покрыта слоем химически чистого алюминия, причем концентрацию атомов Si, С, Al в осаждаемых пленках регулируют путем изменения площади слоя алюминия на поверхности мишени, а концентрацию азота - изменением соотношения давления азота к общему давлению в распылительной камере. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии получения, в улучшении совершенства получаемых пленок и возможности получения пленок широкозонного твердого раствора (SiC)_1-x(AlN) _x во всем интервале составов. 3 ил., 1 пр.

Изобретение относится к вакуумно-дуговым устройствам для генерации плазмы и может быть использовано для нанесения различного рода металлических покрытий на поверхности изделий. Катодный узел включает катод (1), средства охлаждения катода и держатель (2) катода (1), анод, блок электропитания дугового разряда и магнитную систему управления движением катодных пятен по рабочей поверхности катода (МСУДКП). МСУДКП включает, по меньшей мере, один основной источник магнитного поля (3), расположенный у поверхности катода со стороны держателя катода, магнитопровод (4), регулируемый блок электропитания, магнитный экран (9) и, по меньшей мере, один дополнительный источник магнитного поля (ДИМП). ДИМП включает дополнительный магнитопровод (5) с магнитным полюсом, расположенным у поверхности катода (1) со стороны держателя катода, и управляющую электромагнитную катушку, установленную на дополнительном магнитопроводе вне зоны размещения основного источника магнитного поля и подключенную к регулируемому блоку электропитания. Блок электропитания выполнен с возможностью периодического изменения тока, протекающего через управляющую электромагнитную катушку. Магнитный экран (9) расположен между основным источником магнитного поля и управляющей электромагнитной катушкой. Технический результат состоит в обеспечении равномерной выработки материала катода и генерации плазменных потоков с минимальным содержанием капельной фракции, что ведет к повышению качества наносимых покрытий. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения. Устройство содержит вакуумную реакционную камеру, размещенный в камере электрически изолированный подложкодержатель в виде полой усеченной составной пирамиды, нагреватель подложкодержателя, систему подачи реагентов, вакуумную систему, электрически соединенные источник электромагнитного излучения, электрический вакуумный ввод, элемент реализации электромагнитного излучения и экран в виде охватывающего подложкодержатель металлического заземленного стакана. Подложкодержатель с усеченной стороны дополнительно снабжен крышкой и размещенной на внешней стороне крышки антифрикционной пластиной, а на его боковых стенках с внешней стороны установлены рабочие подложки. Элемент реализации электромагнитного излучения выполнен в виде съемного и разъемного перпендикулярно вертикальной оси экранированного полого цилиндрического корпуса с центрирующей канавкой на внутренней горизонтальной поверхности. В цилиндрическом корпусе в прямой последовательности расположены спиральная пружина и толкатель в виде диска с центрирующей канавкой со стороны спиральной пружины, выполненный с возможностью возвратно-поступательного движения вдоль вертикальной оси полого цилиндрического корпуса. Электрический вакуумный ввод, вакуумная реакционная камера, экран подложкодежателя, полый цилиндрический корпус, спиральная пружина, антифрикционная пластина, крышка и подложкодержатель расположены соосно. Угол наклона боковых стенок подложкодержателя с внешней стороны относительно вертикальной оси составляет не более 3°. Повышается качество и воспроизводимость пленок за счет обеспечения надежной и стабильной подачи электромагнитного излучения на подвижный подложкодержатель, а также повышается производительность и упрощается эксплуатация. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к способам получения электроизолирующих слоев вакуумным нанесением покрытия. Согласно способу между по меньшей мере одним анодом и катодом дугового источника в содержащей реакционноспособный газ атмосфере осуществляют стабильный электрический дуговой разряд при приложении к поверхности мишени в основном перпендикулярного внешнего магнитного поля, которое имеет вертикальную составляющую B_z, устанавливаемую в диапазоне 3-50 Гс, и меньшую по сравнению с ней радиальную относительно упомянутой поверхности мишени составляющую В_r. При этом подают ток возбуждения по меньшей мере на одну в основном аксиально поляризованную в катушку, имеющую похожую на периферию мишени геометрию. Технический результат - повышение производительности способа. 2 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 пр.

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации различного назначения в микроэлектронике и других высоких технологиях. Заявлены способ производства литой мишени для магнетронного распыления из сплава на основе молибдена и полученная этим способом мишень. Способ включает получение слитка сплава на основе молибдена. Предварительно получают поликристаллический слиток молибдена высокой чистоты путем глубокого вакуумного рафинирования электронно-лучевым капельным переплавом заготовки, изготовленной из молибдена высокой чистоты, затем проводят дуговой вакуумный переплав поликристаллического слитка молибдена высокой чистоты с полосами из монокристаллического кремния высокой чистоты, причем количество полос выбирают из условия получения поликристаллического слитка сплава с составом молибден - 0,005-1,0 мас.% кремния, который подвергают механической обработке. Повышается качество полупроводниковых приборов и интегральных схем за счет повышения химической стойкости пленок, а также стабильности величины переходного сопротивления контактов при термообработке. 2 н.п. ф-лы, 2 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области металлургического производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники, а также к изготовлению интегральных схем и тонкопленочных конденсаторов на основе тантала и его сплавов. Заявлены способ производства литой мишени для магнетронного распыления из сплава на основе тантала и мишень, полученная этим способом. Способ включает получение слитка сплава на основе тантала. Предварительно получают слиток тантала высокой чистоты путем глубокого вакуумного рафинирования электронно-лучевым капельным переплавом заготовки, изготовленной прессованием порошков тантала высокой чистоты, также получают слитки интерметаллидов TaFe₂ и YFe₃ сплавлением тантала с железом и иттрия с железом, затем осуществляют дуговой вакуумный переплав слитка тантала высокой чистоты со слитками интерметаллидов TaFe₂ и YFe₃ при их соотношении, мас.%: ТаFе₂ 3,0-10,0, YFe₃ 0,3-3,0, Та - остальное, с получением слитка сплава на основе тантала состава Та + 1 мас.% Fe + 0,1 мас.% Y, который подвергают механической обработке. Технический результат - повышение качества распыляемых мишеней для повышения выхода годных тонкопленочных конденсаторов за счет улучшения воспроизводимости элементного состава материала на основе тантала с иттрием и железом, а также за счет уменьшения потерь, связанных с испарением иттрия и железа при их введении в тантал. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. Заявлены способ производства составной мишени для получения пленок магнетронным распылением и мишень, полученная этим способом. Способ включает изготовление диска из слитка поликристаллического титана, полученного многократным вакуумным переплавом титана, сверление отверстий в шахматном порядке в распыляемой зоне титанового диска по двум концентрическим окружностям и крепление в них цилиндрических вставок. Резкой слитков монокристаллического вольфрама и монокристаллического рения, полученных многократным вакуумным переплавом вольфрама и рения, изготавливают цилиндрические вставки. Крепление вставок осуществляют прессовой посадкой в просверленные отверстия при соотношении площадей, занимаемых вставками вольфрама и рения на поверхности мишени в титановом диске, обеспечивающем получение пленок состава, мас.%: титан 2,5-37,0, рений 0,04-9,78, вольфрам - остальное. Технический результат - повышение надежности и технологичности барьерных слоев за счет уменьшения механических напряжений и улучшения однородности металлизации. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. Заявлены способ производства составной мишени для получения пленок магнетронным распылением и мишень, полученная этим способом. Способ включает изготовление диска из слитка поликристаллического титана, полученного многократным вакуумным переплавом титана, сверление отверстий в шахматном порядке в распыляемой зоне титанового диска по двум концентрическим окружностям и крепление в них цилиндрических вставок. Резкой слитков монокристаллического вольфрама и монокристаллического кремния, полученных многократным вакуумным переплавом вольфрама и кремния, изготавливают цилиндрические вставки. Крепление вставок осуществляют прессовой посадкой в просверленные отверстия при соотношении площадей, занимаемых вставками вольфрама и кремния на поверхности мишени в титановом диске, обеспечивающем получение пленок состава, мас.%: кремний 0,1-1,3, титан 11-33, вольфрам - остальное. Технический результат - повышение термостойкости металлизации и воспроизводимости технологического процесса ее формирования. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к области получения тонкопленочных покрытий, в частности к вакуумному нанесению прозрачных проводящих покрытий методом магнетронного распыления. Способ получения прозрачных проводящих покрытий оксида цинка, легированного галлием, на стекле или полимерной подложке включает магнетронное распыление материала катода, состоящего из оксида цинка, легированного галлием, осаждение распыленного материала на нагретую подложку с формированием пленки материал катода. Распыление катода проводят в аргоновой атмосфере на постоянном токе при несбалансированной конфигурации магнитного поля магнетрона, обеспечивающей на подложке плотность ионного тока 1 мА/см² и более, при этом осаждение проводят на подложку, нагретую до температуры не более 110°С. Улучшаются электрофизические характеристики и однородности распределения электрофизических параметров покрытия на подложке при температуре не более 110°С. Данный результат достигается тем, что используется несбалансированная конфигурация магнитного поля магнетронной распылительной системы. 9 ил.

Изобретение относится к способу нанесения нанокомпозитных покрытий на плоские поверхности деталей и устройству для его реализации. Технический результат - повышение качества покрытия и однородности его свойств на всей площади обрабатываемой поверхности плоской детали. Способ включает установку на держателе карусели в вакуумной камере по крайней мере одной плоской детали, приведение карусели во вращение и формирование нанокомпозитного покрытия на плоской детали с помощью установленных в вакуумной камере источников распыляемого материала. При прохождении детали перед источником распыляемого материала ее ориентируют с расположением обрабатываемой плоской поверхности перпендикулярно плоскости, проведенной через оси вращения карусели и держателя, параллельные друг другу и фиксируют деталь относительно оси держателя. При этом вне области осаждения распыляемого материала осуществляют разворот детали на 180° относительно оси держателя. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области вакуумно-плазменной технологии и может быть использовано для нанесения покрытий в вакууме. Технический результат: обеспечение стабильной безаварийной работы источника плазмы протяженной конструкции, повышение равномерности толщины формируемого покрытия на обрабатываемых изделиях, ускоренный выход катода в рабочий режим. В вакуумно-дуговом устройстве в электрическую цепь питания дуги включены аналоговый блок управления, коммутирующее устройство и дополнительные балластные сопротивления, величина которых соответственно определяет ток очистки и ток разогрева катода. 3 ил.

Изобретение относится к нанесению прозрачных электропроводящих покрытий и может найти применение в авиационной, оптической и других областях техники. Способ включает реактивное магнетронное распыление металлической мишени из сплава индия с оловом и осаждение в рабочей камере покрытия на диэлектрическую подложку в атмосфере смеси газов, содержащей инертный газ и кислород с ионной стимуляцией процесса осаждения покрытия потоком ионов, покрытие осаждают на полимерную пленку при величине средней плотности тока магнетронного разряда на распыляемой поверхности мишени 180-200 А/м² и ионной стимуляции процесса осаждения покрытия потоком ионов с энергией 20-40 эВ в две стадии: сначала в смеси газов, содержащей 20-22 об.% кислорода, затем в смеси газов, содержащей кислорода не менее 60 об.%, при условии выполнения следующего соотношения t₁:t₂=2-3, где t₁ - время проведения первой стадии осаждения покрытия, t₂ - время проведения второй стадии осаждения покрытия. Использование предлагаемого способа позволяет увеличить срок службы прозрачных электродов в составе электрохромного материала, а также повысит надежность и ресурс оптически активного электрохромного материала остекления. 1 табл., 7 пр.

Способ получения фотокаталитически активного покрытия относится к технологии получения указанных покрытий методом магнетронного реактивного распыления. Способ включает нанесение покрытия из диоксида титана на изделие методом магнетронного реактивного распыления на постоянном токе титановой мишени в смеси аргона и кислорода. Распыление мишени осуществляют при суммарном парциальном давлении смеси 0,8-1,2 Па, при соотношении аргона и кислорода в смеси 2/1, плотности тока на титановой мишени 1,7-3,5 А/мм ² и расстоянии от мишени до подложки 30-80 мм. Получается покрытие с супергидрофильными свойствами. 7 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к способу формирования бритвенного лезвия. Способ включает следующие этапы: обеспечение основы, формирование клиновидной заостренной кромки на основе с внутренним углом менее чем 30° и радиусом закругления менее 1000 , помещение основы в вакуумную камеру, введение первой твердой мишени в вакуумную камеру, введение газа в вакуумную камеру для ионизации и генерация потока ионов из первой твердой мишени путем приложения отрицательного напряжения к первой твердой мишени в виде импульсов. В результате ионы образуют тонкопленочное покрытие на клиновидной заостренной кромке основы. Технический результат - повышение качества лезвия и прочности режущих кромок. 16 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к подложкодержателю и установке для нанесения покрытий методом магнетронного распыления. Технический результат заключается в повышении производительности, гибкости, ресурсосбережения, удобства обслуживания и качества осаждаемого слоя. Подложкодержатель включает, по меньшей мере, один модуль, состоящий, по меньшей мере, из одной насадки с элементами фиксации подложек, соединенной с приводом и установленной с помощью державок на опоре с возможностью передачи подложек в одну из фиксированных позиций ожидания или обработки с размещением обрабатываемых поверхностей подложек по нормали к вектору потока распыляемого материала. Платформа установки выполнена в виде пустотелого кольцевого цилиндра, смонтированного с возможностью выполнения в автоматическом режиме циклических установочных перемещений подложкодержателей с механизмами их привода из одной позиции обработки в другую на угол =2 /n, где n - количество позиций обработки. Внутри платформы под проемами оборудованы специальные площадки для размещения корпусов подложкодержателей с механизмами их перемещения и датчиками управления по времени. Площадки включают направляющие, жестко закрепленные снизу плоскости перекрытия по границам проемов в направлении от периферии к центру платформы, два упора. Стационарный упор смонтирован на внутреннем обводном каркасе платформы. Откидной упор смонтирован на внешнем обводном каркасе платформы на затворе. 2 з. и 8 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок, в частности сегнетоэлектрических пленок на основе сложных оксидов, и может быть использовано для создания многокомпонентных пленочных покрытий с заданным стехиометрическим составом. Способ включает ионно-плазменное распыление мишени, выполненной из сложных оксидов сегнетоэлектриков, и нанесение ее атомов на подложку, расположенную на аноде. При этом между подложкой и мишенью устанавливают цилиндрический экран, выполненный из диэлектрического материала. Распыляемая мишень может быть выполнена из Ba_xSr _1-xTiO₃ или PbZr_xTi_1-x O₃. Технический результат - расширение диапазона отклонения стехиометрического состава получаемых пленок от стехиометрического состава распыляемой мишени. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к получению износостойких тугоплавких покрытий и может быть использовано в машиностроительной и добывающей промышленности, в инструментальном и ремонтном производствах для упрочнения поверхности инструмента и пар трения. На предварительно очищенную поверхность подложки наносят слои покрытия магнетронным распылением, причем сначала наносят адгезионный слой титана магнетронным распылением титановой мишени в среде инертного газа, затем наносят слой нитрида титана TiN распылением титановой мишени в газовой смеси инертного и реакционного газов, затем наносят чередующиеся слои двухкомпонентного нитрида циркония ZrN распылением циркониевой мишени в газовой смеси инертного и реакционного газов и циркония распылением циркониевой мишени в инертном газе, после чего наносят чередующиеся слои трехкомпонентного нитрида титана и циркония TiZrN одновременным распылением титановой и циркониевой мишеней в газовой смеси инертного и реакционного газов и циркония распылением циркониевой мишени в инертном газе. Взаимное расположение слоев в покрытии обеспечивает минимальные термические напряжения на границах слоев и наиболее благоприятно с точки зрения усталостной прочности материала покрытия при действии динамических теплосиловых нагрузок при работе в условиях повышенных температур. 2 з.п. ф-лы.