Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..оптические элементы, формирующие поле – H01L 33/58

Изобретение относится к области оптического приборостроения. Светодиодное устройство согласно изобретению включает один или несколько излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, и пластину из оптического материала, размещенную без воздушного промежутка на плоской поверхности геля. На внутренней стороне пластины, граничащей с гелем, нарезаны взаимноперпендикулярные канавки, грани которых наклонены к поверхности геля на угол =55° 65°, глубина нарезки канавок не более h=0,8 мм. Вершины канавок образуют квадраты, стороны которых составляют D=(1,75 2,3)D_c, где D_c - размер стороны чипа, причем D=D₀, где D₀ - расстояние между оптическими осями излучателей-чипов, при этом оптические оси квадратов нарезки и соответствующих чипов совпадают. Изобретение обеспечивает повышение энергетических параметров устройства, а именно значительное увеличение осевой силы света и уменьшение энергетических потерь за счет увеличения угла охвата излучения кристалла чипа до ₁=±75°. 2 ил.

Изобретение относится к области оптического приборостроения, а именно к классу мощных светодиодов, которые используются в качестве аналогов галогенных ламп, а также для потолочных, индустриальных, фасадных и других светильников. Светодиодное устройство состоит из одного или нескольких излучателей-чипов, установленных по любой топографии на единую плоскую подложку и покрытых общим слоем компаунда-геля, возможно с кристаллами люминофора, причем над каждым чипом поверхность, граничащая с воздухом, является сферической или асферической с радиусом при вершине не более 4 мм. Диаметр этой поверхности составляет D=(1,75 2,3)D_c, где D_c - размер излучающей поверхности чипа, при этом оптические оси этих поверхностей совпадают, а расстояние от поверхности чипа до вершины поверхности, граничащей с воздухом, не превышает d=1,5 мм. Поверхность, граничащая с воздухом, может иметь над каждым чипом по всему периметру поверхности устройство, ограничивающее размер D, причем высота h и ширина t этого устройства не превышает (0,1 0,15)D. Поверхность, граничащая с воздухом, может быть выполнена на плоскоыпуклой линзе из любого оптического материала, в том числе из органического стекла, которая без воздушного промежутка расположена на компаунде-геле над чипом. Изобретение обеспечивает повышение энергетических параметров устройства, а именно значительное увеличение осевой силы света за счет увеличения угла охвата излучения кристалла до ₁=±65°, при этом потери чипа уменьшаются до E=6%. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света на основе светодиодов. Светодиод содержит по меньшей мере один светоизлучающий кристалл со сверхузкой диаграммой направленности, который установлен в корпусе из оптически прозрачного материала, световыводящая поверхность которого выполнена сферической формы, причем размер сферы и высота оптического элемента связаны определенным соотношением, зависящим от угла расходимости потока излучения светодиода; высоты оптического элемента; радиуса сферы оптического элемента; угловой величины диаграммы направленности светового потока излучающего кристалла и показателя преломления материала оптического элемента. Изобретение обеспечивает возможность создания светодиода, обеспечивающего формирование требуемой диаграммы направленности излучения светового потока. 1 ил.

Полупроводниковый светоизлучающий диод (СИД) (1), содержащий первый и второй электроды (40, 11) для приложения напряжения к активной области (4), расположенной между слоем (21) полупроводника первого типа и слоем (30) полупроводника второго типа для генерирования света, светоизлучающую поверхность (6) для излучения света и множество фотонных кристаллов (101, 102), расположенных между светоизлучающей поверхностью (6) и активной областью (4), при этом по меньшей мере два фотонных кристалла (101, 102) первого и второго типа, выбранных из множества фотонных кристаллов (101, 102), выполнены с возможностью выведения света от активной области (4) и отличаются друг от друга в отношении по меньшей мере одного параметра решетки, причем каждый из по меньшей мере двух фотонных кристаллов (101, 102) имеет соответствующую диаграмму направленности в дальней зоне, при этом размещение множества фотонных кристаллов (101, 102) выполнено так, что диаграмма направленности в дальней зоне от света, генерируемого в СИД (1), создается посредством объединения диаграмм направленности в дальней зоне по меньшей мере двух фотонных кристаллов (101, 102), при этом второй электрод содержит подэлектроды, расположенные на стороне активной области, противоположной по сравнению со светоизлучающей поверхностью, причем первый и второй подэлектроды ассоциированы с соответствующим фотонным кристаллом первого и второго типа, соответственно, причем первый и второй подэлектроды являются индивидуально управляемыми посредством приложения соответствующего напряжения к каждому из первого и второго подэлектродов, посредством чего диаграмма направленности в дальней зоне СИД является динамически управляемой вследствие различия между диаграммами направленности в дальней зоне от фотонных кристаллов первого и второго типа. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности вывода излучения, а также равномерности диаграммы направленности. 12 з.п. ф-лы, 7 ил.

Светодиодный модуль, содержащий печатную плату, на которой размещены: по крайней мере один светоизлучающий кристалл, защищенный светопрозрачным герметизирующим первым полимерным материалом, а также полупроводниковые элементы поверхностного монтажа, упомянутый светоизлучающий кристалл имеет электрические контакты и провода для соединения с упомянутыми полупроводниковыми элементами и источником питания. Печатная плата по меньшей мере частично покрыта по крайней мере одним защитным слоем второго полимерного материала. Светодиодный модуль согласно изобретению обладает улучшенными оптическими характеристиками и высокой эффективностью, обусловленными оптимальной системой теплоотвода и конструктивными особенностями печатной платы модуля, а также повышенным уровнем защиты от влияния негативных факторов окружающей среды. 26 з.п. ф-лы, 10 ил.

Светоизлучающее устройство, содержащее твердофазный источник (3) света, по меньшей мере, один конверсионный (4) элемент и светорассеивающий (6) элемент, причем твердофазный источник (3) света обеспечен для испускания первой (511) части первичного излучения, которая должна попадать в светорассеивающий (6) элемент, и второй (512) части первичного излучения, которая должна попадать в конверсионный (4) элемент для, по меньшей мере, частичного преобразования, по меньшей мере, в одно вторичное (521, 522) излучение, причем светорассеивающий (6) элемент обеспечен для генерирования смешанного (5) излучения, обладающего ламбертовской схемой распределения света, соответствующего первой (511) части первичного излучения, вторичного (521, 522) излучения и доли второй (512) части первичного излучения, которое не было преобразовано в конверсионном (4) элементе, при этом первая (511) - часть первичного излучения выходит из светоизлучающего устройства, не проходя через конверсионный (4) элемент. Настоящее изобретение обеспечивает возможность создания светоизлучающего устройства, обладающего ламбертовским распределением света, которое характеризуется повышенной световой отдачей. 11 з.п. ф-лы, 7 ил.