Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..герметичные корпуса – H01L 33/52

МПКРаздел HH01H01LH01L 33/00H01L 33/52
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 33/00 Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов
H01L 33/52 ..герметичные корпуса

Патенты в данной категории

ОСАЖДЕНИЕ ФОСФОРА ДЛЯ СВЕТОДИОДА

Изобретение относится к области светоизлучающих диодов Согласно изобретению предложен способ формирования герметизации светоизлучающих диодов, причем способ содержит этапы, на которых определяют геометрическую форму для герметизации; выбирают ограждающий материал; наносят ограждающий материал на подложку для формирования границы, определяющей пространство, имеющее геометрическую форму, причем указанное нанесение содержит нанесение ограждающего материала при помощи автоматического распыления; и наполняют пространство герметизирующим материалом для формирования герметизации. Также согласно изобретению предложены светодиод и лампа на основе светодиода. Изобретение обеспечивает упрощение изготовления светодиодов и снижение затрат на их производство. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

2521749
патент выдан:
опубликован: 10.07.2014
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к оптоэлектронике. Полупроводниковое устройство содержит герметичный корпус, основание с присоединительными выводами, по меньшей мере, один из выводов изолирован от основания. В основании выполнено углубление с плоским дном для посадки одного или нескольких полупроводниковых элементов с выводами. Основание выполнено двухслойным, нижний слой выполнен из алмаза, а верхний - из кремния. Глубина углубления выполнена равной толщине кремниевого слоя. Изобретение обеспечивает снижение теплового сопротивления прибора в целом и, как следствие, повышение потребляемой мощности без потери пропорциональности увеличения полезных параметров приборов. 19 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 табл.

2392696
патент выдан:
опубликован: 20.06.2010
Наверх