Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..отражающим покрытием, например диэлектрический отражатель Брэгга – H01L 33/46

Изобретение относится к полупроводниковым источникам света. Согласно изобретению предложен способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя: формирование пластины устройства с матрицами СИД; разъединение матриц СИД на пластине устройства; разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД; нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД; удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД, при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение. Также предложен другой вариант способа изготовления СИД, в котором отражающее покрытие выполнено из тонкой металлической пленки. Таким образом выполнение отражающего покрытия на боковых сторонах матриц СИД обеспечивает возможность регулирования краевого излучения, улучшение равномерности света при изменении угла и увеличение яркости. 2 н. и 25 з.п. ф-лы, 17 ил.

Предложенный способ изготовления полупроводниковых излучателей применяется в технологии квантовой электроники. Получаемые полупроводниковые излучатели предназначены для использования в аппаратуре медицинской диагностики, экологической аппаратуре контроля газовых сред, волоконно-оптических датчиках давления, температуры, вибрации, химического анализа веществ, скорости потока жидкости и газов, в системах связи, контрольно-измерительной аппаратуре. Способ заключается в изготовлении полупроводникового излучателя, в котором торцевую грань, противоположную выводной, активного элемента соединяют с внешним спектрально-селективным отражателем на основе кристаллической брэгговской решетки, имеющей последовательность чередующихся параллельных слоев двух видов полупроводниковых материалов. Излучатель может быть суперлюминесцентный, лазерный одноэлементный, многоэлементный. Способ изготовления полупроводникового излучателя согласно изобретению обеспечивает упрощение технологии изготовления за счет упрощения и ускорения сборки элементов излучателя, увеличение мощности излучения при сохранении стабилизации длины волны и ширины спектра выходного излучения при изменении температуры окружающей среды и тока накачки через активный кристалл, увеличение долговечности и надежности, уменьшение габаритов излучателя, снижение его себестоимости. 8 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 пр.

Предложено светоизлучающее устройство бокового свечения (100), включающее, по крайней мере, один светоизлучающий диод (101), расположенный на подложке (102) и обращенный к рассеивающему отражателю (103, 109), расположенному на расстоянии от указанной подложки и продолжающемуся вдоль распространения подложки. Отражатель включает множество ориентированных не параллельно отражающих пластинок (112), распределенных в передающем носителе (113), таком чтобы свет, падающий на него под любым углом падения, отражался и рассеивался. Процесс рассеивания на отражателе дает толчок к перераспределению углов в устройстве, что увеличивает вероятность выхода света из устройства через боковые отверстия между отражателем и подложкой, в то время как светонепроницаемость отражателя предотвращает излучение света через верхнюю поверхность. 7 з.п. ф-лы, 1 ил.

Согласно изобретению предложено осветительное устройство, содержащее: нелазерный светоизлучающий диод (СИД) бокового излучения, при этом светоизлучающий диод имеет множество светоизлучающих боковых стенок, при этом каждая светоизлучающая боковая стенка имеет верхний участок и нижний участок; в котором светоизлучающий диод излучает свет со своих светоизлучающих боковых стенок без использования линзы бокового излучения; и оптический элемент, причем каждая из светоизлучающих боковых стенок светоизлучающего диода оптически связана с оптическим элементом, оптический элемент имеет нижний край, в котором свет, направляемый ниже нижнего края оптического элемента, не входит в оптический элемент; в котором нижний край оптического элемента расположен на уровне или ниже нижнего участка светоизлучающей боковой стенки, подложку, на которой установлен светоизлучающий диод; и первый силиконовый участок, сформированный поверх подложки и вокруг светоизлучающего диода, при этом верхняя поверхность первого силиконового участка имеет криволинейную форму, при этом криволинейная форма отлого поднимается вверх к светоизлучающему диоду и заканчивается ниже светоизлучающих боковых стенок светоизлучающего диода, при этом первый силиконовый участок имеет первый показатель преломления; в котором оптический элемент содержит второй силиконовый участок, сформированный поверх верхней поверхности первого силиконового участка и граничащий с ней, при этом второй силиконовый участок имеет второй показатель преломления, более высокий, чем первый показатель преломления, так что имеется полное внутреннее отражение света светоизлучающего диода на границе раздела первого силиконового участка и второго силиконового участка. Изобретение обеспечивает по существу равномерное излучение устройством задней подсветки с тем, чтобы не искажалась яркость изображения, воспроизводимого жидкокристаллическим дисплеем, а также обеспечивает тонкий, но эффективный источник направленного света. 12 з.п. ф-лы, 15 ил.