Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ..особой формы – H01L 33/38

Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости. Формируются канавки в слоях СИД, которые проникают, по меньшей мере, частично в слой первого типа проводимости. Области электрической изоляции формируются на или примыкающими к, по меньшей мере, участкам слоя первого типа проводимости вдоль краев кристалла. Слой контактной площадки первого типа проводимости формируется, чтобы электрически контактировать со слоем первого типа проводимости и продолжаться над разделительными дорожками между кристаллами СИД. Слой контактной площадки второго типа проводимости формируется, чтобы электрически контактировать со слоем второго типа проводимости и продолжаться над разделительными дорожками между кристаллами СИД и электрически изолированными участками слоя первого типа проводимости. Кристаллы СИД монтируются на кристаллодержатели, и кристаллы СИД разделяются вдоль разделительных дорожек между кристаллами СИД. Изобретение обеспечивает возможность упрощения и снижения стоимости. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 14 ил.

Светодиодный чип (1), выращенный на электроизоляционной подложке (4), содержит нижний токораспределительный слой (5) первого типа проводимости и сформированные на нем первый электрод (2) и вертикальную слоистую структуру (5, 6, 7), отделенные друг от друга в горизонтальном направлении. Вертикальная слоистая структура содержит активный слой (6) и расположенный над ним верхний токораспределительный слой (8) второго типа проводимости, на котором сформирован второй электрод (3). Геометрия электродов такова, что горизонтальное расстояние между электродами меньше длины растекания тока в чипе. Согласно изобретению, между электродами (2, 3) выполнена вертикальная канавка (9), проходящая через чип (1), включая нижний токораспределительный слой (5), для управления протеканием тока в горизонтальном направлении с целью достижения постоянной плотности тока в активном слое (6). Целью изобретения является создание такой Конструкция светодиодного чипа согласно изобретению позволяет улучшить его рабочие характеристики и надежность путем улучшения равномерности распределения тока по светогенерирующей области чипа. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.