Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...светоизлучающей области, например не плоский переход – H01L 33/24

Светоизлучающее полупроводниковое устройство согласно изобретению содержит: подложку; первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке; второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа; активный слой, расположенный между первым и вторым слоями; проводящий слой, расположенный на втором слое; первый контакт, нанесенный на подложку; второй контакт, нанесенный на проводящий слой, при этом подложка содержит, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, выполненное в форме усеченной инвертированной пирамиды, при этом первый, второй, активный и проводящий слои нанесены как на горизонтальные участки подложки, так и на внутренние грани отверстий. Изобретение обеспечивает повышение эффективности светоизлучающих полупроводниковых приборов при одновременном подавлении негативных эффектов, связанных с вершинами инвертированных поверхностных пирамид 18 з.п. ф-лы, 3 пр., 5 ил.

Изобретение относится к полупроводниковым структурам с повышенной способностью к рассеянию света. Сущность изобретения: полупроводниковая структура образована из нитридов металлов III группы с кристаллической структурой вюрцита и выращена в паровой фазе на полупроводниковой подложке с ориентацией (0001). Структура включает нижний покрывающий слой, верхний покрывающий слой и область рассеяния, расположенную между покрывающими слоями, для рассеяния света, распространяющегося в полупроводниковой структуре. Область рассеяния имеет коэффициент преломления, отличный от коэффициентов преломления покрывающих слоев, и неплоские поверхности для обеспечения рассеивающих границ раздела между областью рассеяния и покрывающими слоями. Согласно изобретению, область рассеяния включает множество рассеивающих слоев, причем составы и толщины упомянутых рассеивающих слоев выбраны так, чтобы избежать образования дислокаций, обусловленных напряжениями в области рассеяния, а смежные рассеивающие слои имеют различные коэффициенты преломления, чтобы еще более увеличить эффективность рассеяния. Полупроводниковая структура обеспечивает эффективное рассеяние света при упрощенной технологии изготовления. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.