Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения, например инфракрасного, специальные способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, конструктивные элементы таких приборов: ...в светоизлучающей области, например структуры с квантовым ограничением или туннельным барьером – H01L 33/06

Изобретение может быть использовано в системе связи, называемой системой с мультиплексированием по длине волны (WDM), что является выгодным способом связи на больших расстояниях. Согласно изобретению массив полупроводниковых светоизлучающих элементов содержит: полупроводниковую кристаллическую подложку; изолирующую пленку, расположенную на поверхности подложки, причем изолирующая пленка разделена на две или более области, каждая из которых имеет два или более отверстия, обнажающие поверхность подложки; полупроводниковые стержни, простирающиеся от поверхности подложки вверх через отверстия, причем каждый из полупроводниковых стержней имеет наслоенные в направлении его простирания слой полупроводника n-типа и слой полупроводника р-типа, тем самым обеспечивающие р-n-переход; первый электрод, соединенный с полупроводниковой кристаллической подложкой; и второй электрод, соединенный с верхними частями полупроводниковых стержней; при этом высоты полупроводниковых стержней, измеренные от поверхности подложки, меняются у каждой из упомянутых двух или более областей. Изобретение обеспечивает возможность простого формирования множества светоизлучающих элементов, которые излучают лучи света с различными длинами волн и сформированы на одной и той же подложке. 7 н. и 8 з.п. ф-лы, 25 ил.

Полупроводниковый светоизлучающий элемент содержит подложку, а также выполненные из Al_xGa_1-x N n-контактный слой, активный слой, барьерный слой и р-контактный слой. Подложка выполнена из AlN, а р-контактный слой - из GaN. Между подложкой и n-контактным слоем расположена переходная структура, состоящая из одинаковых пар слоев, выполненных из беспримесного соединения Al_xGa_1-xN. Количество пар слоев 3÷6. Толщина слоев в слоях со стороны подложки - 300÷500 нм, а в слоях со стороны n-контактного слоя - 70÷140 нм. Содержания Al в слоях со стороны подложки - 30÷70%, а в слоях со стороны n-контактного слоя - 10÷60%. Изобретение направлено на увеличение выходной мощности полупроводникового светоизлучающего элемента в широком диапазоне длин волн излучения и увеличение его срока службы. 4 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Полупроводниковый элемент содержит многослойную структуру, выполненную из нитридов твердых растворов металлов третьей группы. Многослойная структура включает темплейт, на котором последовательно расположены: активный слой и контактные слои с различным типом проводимости. Для предотвращения утечки электронов из активного слоя в р-контактный слой, р-контактный слой выполнен с полярностью, противоположной полярности активного слоя. За счет такого распределения полярностей значительно увеличивается внутренняя квантовая эффективность и, как следствие, повышается эффективность преобразования электрической энергии в излучение. Изобретение направлено на повышение эффективности преобразования электрической энергии в излучение путем снижения утечки носителей заряда из активной области и может быть использовано в серийном производстве. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение касается полупроводниковой гетероструктуры для светоизлучающих устройств, в частности, структуры, сформированной из полупроводниковых материалов с рассогласованием кристаллической решетки. Напряженная полупроводниковая гетероструктура (10) содержит инжекционную область, включающую первый эмиттерный слой (11) и второй эмиттерный слой (12), а также слой (13) генерации света, расположенный между эмиттерными слоями (11, 12). Между слоем (13) генерации света и вторым эмиттерным слоем (12) расположена область (14) захвата электронов, которая содержит слой (16) захвата, расположенный рядом со вторым эмиттерным слоем, и ограничительный слой (15), расположенный рядом с указанным слоем захвата электронов. Согласно изобретению концентрация электронов во втором эмиттерном слое (12) подобрана равной произведению концентрации дырок в первом эмиттерном слое (11), отношения коэффициента диффузии для дырок во втором эмиттерном слое (12) и коэффициента диффузии для электронов в первом эмиттерном слое (11) и отношения длины диффузии для электронов в первом эмиттерном слое (11) и длины диффузии для дырок во втором эмиттерном слое (12). Изобретение обеспечивает возможность создания напряженной полупроводниковой гетероструктуры с повышенной полной мощностью генерации света. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к оптоэлектронике. Светодиод белого свечения содержит слой полупроводника n-типа, одну или более структур с квантовыми ямами, сформированных поверх слоя полупроводника n-типа, слой полупроводника p-типа, сформированный на структуре с квартовыми ямами, первый электрод, сформированный на полупроводнике p-типа, и второй электрод, сформированный на по меньшей мере части слоя полупроводника n-типа. Каждая структура с квантовыми ямами включает в себя слой квантовой ямы In _xGa_1-xN, слой барьера In_yGa_1-y N (x>0,3 или х=0,3) и квантовые точки In_zGa _1-zN, где x<y<z .1. В изобретении предложены два варианта светодиодов и два варианта структур с квантовыми ямами Изобретение позволяет создать светодиоды белого свечения, которые просты в изготовлении, имеют высокие характеристики светоотдачи и цветопередачи, а также обладают требуемой надежностью для обеспечения таких применений, как источники света для освещения и жидкокристаллические устройства отображения (дисплеи). 4 н. и 18 з.п. ф-лы, 5 ил.